炭化ケイ素（SiC）は既知の物質の中で最も硬いもののひとつであり、弾丸から身を守るセラミック・ブロックや、高速で作動するポンプのシール材に最適である。カーボンブラックの粉末は研磨材として製造されるほか、ドーピングして半導体にすることもできるため、信号を増幅したり切り替えたりする電子機器に有用である。物理的特性 炭化ケイ素は、硬くて耐久性のある非酸化物セラミックで、さまざまな産業用途に適した多くの望ましい特性を備えています。炭化ケイ素は、優れた熱伝導性を誇りながら、極端な温度にも耐えることができます。さらに、炭化ケイ素は最も硬い合成材料の1つです（モース硬度はダイヤモンドに次いで2番目）。
酸化アルミニウムはブラスト材料として炭化ケイ素よりも柔軟性があり、吸引システムと直圧システムの両方で機能し、鋼鉄のような硬い金属をブラストするときに均一な仕上げが得られます。炭化ケイ素は酸化アルミニウムよりも鋭利で硬いですが、摩耗が速く壊れやすい細い形状をしているため、硬い木材や非鉄金属への適用が制限されます。硬度 炭化ケイ素と酸化アルミニウムは、どちらも耐久性の高い素材ですが、硬度はそれぞれ異なります。靭性と破砕性の特性は様々で、靭性はより大きな圧力に耐えることを可能にし、硬度は様々な材料に対する傷防止になります。炭化ケイ素の特徴 ...
理想的なブラスト媒体を選択することで、業務で洗練されたプロフェッショナルな仕上げを実現できます。酸化アルミニウムは、金属や木材の表面の剥離、洗浄、研磨によく使用されます。より高い引張強度と非金属表面を必要とする強靭な材料を扱う場合は、炭化ケイ素が優れた選択肢となる場合があります。この記事では、両砥粒の比較をそれぞれの用途の究極のガイドとします。硬度 炭化ケイ素の砥粒は、酸化アルミニウムに比べて鋭く硬いが、もろく形状が細いため耐久性に劣り、摩耗速度が速くなる。この特性のため、炭化ケイ素は非金属や引張強度の低い金属に使用するのが最適です。
反応結合炭化ケイ素（RB SiC）は、プレス、射出成形、押出成形などのニアネットフォーミングプロセスに理想的な材料です。多孔質成形体に液状シリコンを浸透させることにより製造され、炭素とシリコンが反応してSiCが生成され、初期粒子が結合されるため、歩留まりの高いニアネットフォームが形成されます。非晶質カーボンと液体シリコンの反応速度は、その組成、形態、黒鉛化の程度、プリフォーム内の分布に依存する。その結果、完成したRB SiC材料には、残留炭素や気孔がしばしば目に見える形で残ります。高強度 反応結合炭化ケイ素の卓越した強度は、耐衝撃性、耐衝撃性、耐衝撃性、耐衝撃性を必要とする用途に理想的な材料です。
金属の錆を削り取るにも、溶接の下準備をするにも、研磨砥石があれば作業が効率的に進みます。砥石を選ぶ際には、砥粒の大きさ、砥粒の粒度、ボンドの種類などを考慮することが重要です。研磨ホイールは、粉末状の砥粒を樹脂や酸化アルミニウムの接着剤で結合させたもので、鋭い砥粒が表面を通過する際に表面に食い込みます。砥粒の種類 どのような用途においても、砥粒は欠かすことのできない最も重要な材料です。金属研削砥石には、酸化アルミニウム砥粒が必要であり、この砥粒は高張力材料を研削することができる。
炭化ケイ素サンドペーパーは、金属、石材、塗料などの硬い素材のサンディングに最適です。この研磨剤の鋭い砥粒は、熱をあまり発生させずに硬い材料を簡単に切断することができます。汎用性 炭化ケイ素サンディングディスクは、用途に応じて、粗い材料の除去から細かい仕上げまで、あらゆる用途に使用できます。耐熱性と耐圧性があるため、自動車用として最適です。ただし、最高の結果を得るためには、適切な速度で使用し、溝を作らないようにすることが不可欠です。
炭化ケイ素半導体は、その多くの利点により人気を博しており、熱膨張率を抑えながら高電圧を扱うことができるため、パワーエレクトロニクスに最適です。インフィニオン・テクノロジーズは、さまざまな半導体ソリューションを提供しています。同社の製品は、エネルギー効率の高い進歩を促進するのに役立ち、情熱と配慮をもって作られています。インフィニオン・テクノロジーズ 20年以上にわたり、インフィニオンはパワーエレクトロニクスの未来として炭化ケイ素（SiC）チップを支持してきました。同社の最新のSiCデバイスは、シリコンベースのチップと比較して、より高い電力密度や効率など、いくつかの利点を誇っています。ゼネラルモーターズ（GM）やテスラなどの自動車メーカーは、電気自動車のバッテリーの一部としてSiCを採用し、電気自動車がより遠くまで走行できるようにした。
シリコンカーバイドMOSFET、より具体的にはSiC MOSFETとして知られるその半導体バージョンは、シリコンIGBTよりも優れたスイッチング性能を持つため、電子回路設計においてますます一般的な選択肢となりつつあります。これらのデバイスを使用して設計する場合、適切なドライバを採用することが重要です。そうでない場合、リンギングが発生し、仕様に適合したデバイスが規格外に見えることがあります。サイズ シリコンカーバイドMOSFETは、シリコンMOSFETよりも小型で堅牢であるため、回路基板の省スペース化に貢献します。オン状態の抵抗が低いため、電力損失が少なく、LLCやZVSスイッチング・トポロジーなどのハード・スイッチングや共振スイッチング・トポロジーに最適です。加えて、炭化ケイ素MOSFETは、低オン抵抗のため、低電圧のスイッチング・トポロジーに最適です。
窯の棚板は、窯の中で陶磁器を載せる支持面として機能し、コージェライト、アルミナ、または窒化物結合炭化ケイ素で作られることがあります。炭化ケイ素は、硬度、耐薬品性、耐熱衝撃性、耐硬性に優れており、窯道具の部品として優れた材料であることが証明されています。素材 炭化ケイ素は、耐クリープ性に優れた非常に耐久性のある素材であり、1600℃に達する窯の家具に使用される棚板や支柱を構成するのに最適な素材です。さらに、その強度は...
Silicon carbide is an extremely hard and durable non-oxide ceramic, distinguished by its layered crystal structure containing four carbon and two silicon atoms in primary coordination tetrahedra. At least 70 different forms, or polytypes exist of silicon carbide. Modern applications of graphite include abrasive applications, melting furnace refractories and production lines for producing float glass production as well as various engineering components. It boasts excellent physical wear resistance, chemical resistance and low thermal expansion rates. High-Temperature Resistance Silicon carbide’s superior temperature resistance makes it suitable for many industrial applications that demand high operating temperatures, such as heating elements for electric furnaces or production of ceramics or non-ferrous metals. This compound’s …
Silicon Carbide – High Temperature Resistant Refractory Material もっと読む »
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