Silicon carbide MOSFETs (also referred to as SiC MOSFETs) provide significant performance advantages over their silicon counterparts, including faster switching speeds for power conversion circuits; improved reliability by eliminating voltage spikes; lower power losses in components like inductors, capacitors & filters; and smaller designs. SiC is known for its wide bandgap, making it suitable for high temperature applications such as traction inverters and motor drives. But what other benefits can this electronic component bring to the table? High Breakdown Voltage SiC MOSFETs feature high breakdown voltages that enable them to withstand higher operating temperatures, making them especially suitable for applications involving elevated currents and voltages, such as switch mode power …

Silicon Carbide MOSFETs もっと読む »

Fuji provides an impressive array of silicon carbide (SiC) guides. These rings are extremely hard and smooth, helping reduce friction that could otherwise damage rod guides. Ceramic inserts also stand up well against the abrasiveness of modern braided lines, while remaining cost-effective enough for use on high-end brand name spinning or casting rods. However, due to their costlier nature they are most often only found on high-end brand name spinning or casting rods. KW Double-Foot Guides Fuji’s K-Series guides feature an innovative patented tangle free design, making these guides perfect for use with mono or braid line. Their sloped frame and ring help prevent line wraps, and these guides come …

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炭化ケイ素は100年以上前から優れた研磨材として使用されており、耐食性と高温耐性を誇っている。純粋な単結晶SiCの室温での平均熱伝導率は490 W m-1 K-1であるが、多結晶の3C-SiCは焼結添加物や格子欠陥のために熱伝導率が著しく低く、熱伝導率は一桁低下する。化学気相成長法（CVD） 化学気相成長法（CVD）は、超大規模集積（VLSI）シリコン回路やマイクロエレクトロニクスデバイス全般の製造に関わる重要なプロセスのひとつである。CVDでは、希薄な不活性ガスを通して反応剤蒸気を基板に向けて通過させることで、化学反応を誘起し、...

炭化ケイ素の熱伝導率 もっと読む »

炭化ケイ素は、研削砥石や研磨材によく使用される非常に硬く耐久性のある材料です。モース硬度は、ダイヤモンドと立方晶窒化ホウ素だけが上回る9です！炭化ケイ素の優れた硬度特性は、研削砥石や研磨材に使用される場合、他の選択肢を凌駕します。エドワード・グッドリッチ・アチソンは、大量生産のパイオニアとして知られています。彼は合成ダイヤモンドを作ろうとして、珪砂に粉状のコークス（炭素）を混ぜて誤って加熱し、カーボランダムと呼ばれる青い結晶を作り出した。炭化ケイ素（SiC）の製造 炭化ケイ素（SiC）は工業用鉱物の結晶材料である。半導体特性と優れた研磨特性を持つ、硬いセラミックと金属のハイブリッドである。

炭化ケイ素はどのようにして作られるのか？ もっと読む »

炭化ケイ素（SiC）顆粒は、研磨用途に理想的な強靭で弾力性のある材料です。さらに、その不活性な性質から、高温・高周波で動作する電子機器にも適している。SiCは現在、大規模な野外炉で石英砂と石油コークスを反応させるアチソン法で製造されている。コスト 人類は、食料の栽培から電力の生産まで、あらゆる用途のために地球の天然資源を利用してきた。しかし、私たちの消費は経済的にも環境的にも影響を及ぼす可能性がある。このような重要な資源へのアクセスを次世代に残すために、リサイクルは日常的な習慣の一部となるべきです。

炭化ケイ素のリサイクルでコストを削減し、環境に貢献する もっと読む »

炭化ケイ素は、バンドギャップが広く、電子移動度が高く、低熱膨張で硬いという、天体望遠鏡の鏡材料として理想的な特性を持つ優れた半導体材料である。図 5(a)は、異なる膜厚の SiC/Si 膜のフレネル正規化 XRR パターンを示している。丸は実験データを、線は理論的な適合モデルを示している。コランダムまたはカーボランダムとも呼ばれる炭化ケイ素（SiC）は、ケイ素と炭素からなる硬い結晶性の化合物で、研磨剤や防弾チョッキの部品など、さまざまな用途に使用されている。さらに、SiCは、半導体デバイスの製造や、半導体製造に使用されています。

炭化ケイ素 - 天体望遠鏡用ミラー材料 もっと読む »

a-SiCの格子構造は、原子が規則正しく配列した結晶性材料とは対照的に、ランダムに配列している。デルフト工科大学の研究者たちは最近、この革新的な新素材の機械的特性をこれまでにない精度で解明し、この驚異的な強度を持ちながら柔軟性のある素材の将来的な用途の可能性を切り開いた。物理的特性 炭化ケイ素はワイドバンドギャップ半導体材料で、結晶形と非晶質形がある。アモルファス形状は、そのユニークな機械的特性、化学的不活性、硬度、化学的不活性により、過酷な作業環境における保護コーティングやナノメカニカルセンサーなどの用途に適しているとして注目されている。...

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炭化ケイ素（SiC）は半導体に似た性質を持つ不活性化合物であり、慎重に選択された不純物を添加することで、SiCは従来のシリコンよりも簡単に半導体のように振る舞うように変換することができる。SiCはバンドギャップが広いため、シリコンよりも電気エネルギーを効率的に移動させることができる。SiCトランジスタは、IGBTやシリコンMOSFETに比べて、ブロッキング電圧の上昇、オン抵抗の低減、温度性能の向上など、大きな利点を備えており、従来は不可能であった、あるいは実用的でなかった電力変換ソリューションを可能にします。高ブレークダウン電圧 優れた電界強度を持つ炭化ケイ素（SiC）は、シリコンベースの同等品よりもはるかに高い電圧を供給するパワー半導体デバイスを可能にします。これは、複数の利点をもたらします...

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炭化ケイ素は優れたワイドバンドギャップ半導体であり、虹色発光を伴う黄色から緑青、青黒い結晶など、卓越した物理的・化学的特性を持つ。エピタキシャル成長した立方晶SiCの屈折率測定は、可変角分光エリプソメトリーを用いて慎重に行われ、常屈折率と異常屈折率の両方が温度とともに増加することを示している。屈折率 屈折率とは、光の通り方を表す無次元の数値で、例えばガラスの屈折率は1.5であるのに対し、鉛結晶の屈折率は1.77、ダイヤモンドの屈折率は2.42である。一般的に言って、どのような素材でも屈折率が高ければ高いほど、その外観はよりきらびやかになります。炭化ケイ素の屈折率は ...

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黒色炭化ケイ素（カーボランダムとも呼ばれる）は、ケイ素と炭素の非常に硬い合成結晶化合物で、サンドペーパー、研削砥石、切削工具、工業炉の耐火物ライニングや電気発熱体の重要な材料として使用されている。また、航空宇宙部品、滑り止め床材、精密表面仕上げ用途、炭化ケイ素セラミックの反応焼結などの研磨材やブラスト媒体としても広く利用されている。硬度 炭化ケイ素は、一般に黒色炭化ケイ素またはa-SiCと呼ばれ、炭素原子とケイ素原子の両方からなる硬くて耐久性のある化学化合物です。モアッサナイトとして天然に発見され、大量生産が開始されました。

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