Sadece elmas ve k\u00fcbik bor nitr\u00fcr (B4C) a\u015f\u0131nd\u0131r\u0131c\u0131lar SiC'den daha serttir ve ola\u011fan\u00fcst\u00fc g\u00fc\u00e7, dayan\u0131kl\u0131l\u0131k ve termal iletkenlik \u00f6zellikleri sa\u011flar.<\/p>\n
Kristalin florit, 2700 derece s\u0131cakl\u0131kta y\u00fccelen ve Lely'nin y\u00f6ntemini kullanarak daha d\u00fc\u015f\u00fck s\u0131cakl\u0131klarda grafit \u00fczerinde biriken sar\u0131dan ye\u015file ve mavimsi-siyah yanard\u00f6ner kristaller olu\u015fturur.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr (SiC), son derece sert, sentetik olarak \u00fcretilen, Mohs \u00f6l\u00e7e\u011fine g\u00f6re son derece sert (Mohs \u00f6l\u00e7e\u011finde 9) bir silikon ve karbon kristal bile\u015fi\u011fidir. Yo\u011funlu\u011fu 3,21 g cm-3't\u00fcr ve 2700 degC'de s\u00fcblimle\u015fir; renkleri sar\u0131-ye\u015filden yanard\u00f6ner \u00f6zelliklere sahip mavimsi siyaha kadar de\u011fi\u015fir; bu malzeme kimyasal korozyona, oksidasyona ve y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klara kar\u015f\u0131 diren\u00e7li kal\u0131rken d\u00fc\u015f\u00fck termal genle\u015fme sergiler.<\/p>\n
D\u00fc\u015f\u00fck termal genle\u015fme ve sertlik, borosilikat cam\u0131 end\u00fcstriyel ta\u015flama, kesme ve parlatma uygulamalar\u0131 gibi y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131k veya voltaj gibi zorlu ortamlara tolerans gerektiren uygulamalarda kullan\u0131m i\u00e7in ideal bir malzeme haline getirir. Ayr\u0131ca, a\u015f\u0131nd\u0131r\u0131c\u0131 \u00f6zellikleri onu end\u00fcstriyel ta\u015flama uygulamalar\u0131nda da kullan\u0131\u015fl\u0131 hale getirir. Ayr\u0131ca, d\u00fc\u015f\u00fck yo\u011funlu\u011fu ve a\u015f\u0131nma direnci onu teleskop aynalar\u0131ndaki optik bile\u015fenler i\u00e7in uygun hale getirir.<\/p>\n
Yar\u0131 iletken bir malzeme olarak SiC'nin geni\u015f bant aral\u0131\u011f\u0131, elektri\u011fi standart silikon yar\u0131 iletkenlerden daha y\u00fcksek h\u0131zlarda ve daha fazla esneklikle iletmesini sa\u011flayarak elektrik sinyallerini y\u00fckselten, de\u011fi\u015ftiren veya d\u00f6n\u00fc\u015ft\u00fcren elektronik cihazlar i\u00e7in uygun hale getirir.<\/p>\n
Edward G. Acheson, 1891 y\u0131l\u0131nda s\u0131radan bir karbon ark \u0131\u015f\u0131\u011f\u0131 ile demir bir kapta kil ve toz kok kar\u0131\u015f\u0131m\u0131n\u0131 \u0131s\u0131tarak yapay olarak silisyum karb\u00fcr \u00fcreten ilk ki\u015fi olmu\u015f, elektroduna ba\u011fl\u0131 parlak ye\u015fil kristallerle kendisini \u015fa\u015f\u0131rtm\u0131\u015f ve Al\u00fcmina'n\u0131n (korundum) do\u011fal korundum mineral formlar\u0131na benzerli\u011finden dolay\u0131 bunlara karb\u00fcretum ad\u0131n\u0131 vermi\u015ftir. Acheson'un ke\u015ffi 1905 y\u0131l\u0131nda Henri Moissan taraf\u0131ndan Fransa'da ba\u011f\u0131ms\u0131z olarak tekrarlanm\u0131\u015ft\u0131r - Canyon Diablo meteoritlerinde bulunan do\u011fal moissanit ta\u015flar\u0131 bazen de\u011ferli ta\u015f olarak kullan\u0131lmaktad\u0131r.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr, m\u00fckemmel mekanik \u00f6zelliklere sahip sert ve k\u0131r\u0131lgan bir oksit olmayan seramiktir. Asit, alkaliler ve erimi\u015f tuzlara kar\u015f\u0131 diren\u00e7li kal\u0131rken y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klara dayanabilir; bu da onu piller gibi zorlu uygulamalar i\u00e7in uygun hale getirir. Ayr\u0131ca, silisyum karb\u00fcr \u00e7ok d\u00fc\u015f\u00fck bir termal genle\u015fme katsay\u0131s\u0131na sahiptir; kimyasal olarak inerttir; ve m\u00fckemmel a\u015f\u0131nma direnci \u00f6zelliklerine sahiptir.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr tozu 1893'ten beri ta\u015flama ta\u015flar\u0131nda, kesici aletlerde ve refrakter malzemelerde kullan\u0131lmak \u00fczere a\u015f\u0131nd\u0131r\u0131c\u0131 olarak seri \u015fekilde \u00fcretilmektedir. Sinterleme teknolojisi, araba frenleri ve debriyajlar\u0131n yan\u0131 s\u0131ra kur\u015fun ge\u00e7irmez yelek plakalar\u0131nda kullan\u0131lan daha sert seramikler olu\u015fturmas\u0131n\u0131 sa\u011flar; benzer \u015fekilde sentetik mozanit ta\u015flar\u0131 bu i\u015flem kullan\u0131larak kesilebilir ve b\u00fcy\u00fck tek kristaller Lely y\u00f6ntemi kullan\u0131larak b\u00fcy\u00fct\u00fclebilir.<\/p>\n
A\u015f\u0131r\u0131 mukavemetinin nedeni, kristal kafesinde kovalent ba\u011flarla bir arada tutulan karbon ve silikonun tetrahedral yap\u0131lar\u0131n\u0131n olu\u015fmas\u0131d\u0131r. Elmas en sert do\u011fal maddelerden biridir ve bor nitr\u00fcr 1929'da yayg\u0131n olarak bulunana kadar en sert sentetik malzemeydi; bug\u00fcn hem z\u0131mpara ka\u011f\u0131d\u0131 hem de ta\u015flama ta\u015flar\u0131nda birincil a\u015f\u0131nd\u0131r\u0131c\u0131 olarak hizmet vermektedir.<\/p>\n
Sinterlenmi\u015f silisyum karb\u00fcr (SiC), erimi\u015f silisyum ve karbonun a\u015f\u0131r\u0131 y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klarda reaksiyona girmesi ve azot veya fosfor gibi ilave katk\u0131 maddeleri ile \u00fcretilir. Al\u00fcminyum galyum bor gibi daha ileri katk\u0131lama uygulamalar\u0131 i\u00e7in.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr\u00fcn sertli\u011fi, onu termal \u015fok direnci de dahil olmak \u00fczere bir\u00e7ok y\u00fcksek mukavemetli uygulama i\u00e7in ideal hale getirir. Ayr\u0131ca silisyum karb\u00fcr, zorlu kimyasal ortamlarda kullan\u0131m i\u00e7in asitlere ve alkalilere kar\u015f\u0131 dayan\u0131kl\u0131d\u0131r.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr, dayan\u0131kl\u0131l\u0131\u011f\u0131 nedeniyle \u00f6zellikle \u00e7ok y\u00f6nl\u00fc bir malzeme olarak \u00f6ne \u00e7\u0131kmaktad\u0131r, ancak sahip oldu\u011fu bir di\u011fer avantaj, belirli safs\u0131zl\u0131klarla katk\u0131land\u0131\u011f\u0131nda yar\u0131 iletken olarak i\u015flev g\u00f6rebilmesidir. Al\u00fcminyum, bor ve galyum katk\u0131 maddeleri p-tipi yar\u0131 iletkenler haline gelirken, azot ve fosfor katk\u0131s\u0131 n-tipi bir yar\u0131 iletken \u00fcretir.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr yar\u0131 iletkenler, elektrik enerjisini geleneksel yar\u0131 iletkenlerden daha verimli bir \u015fekilde ta\u015f\u0131malar\u0131n\u0131 sa\u011flayan geni\u015f bant aral\u0131klar\u0131na sahiptir, bu da onlar\u0131 elektrikli ara\u00e7larda ve elektrik santrallerinde kullan\u0131lan g\u00fc\u00e7 elektroni\u011fi gibi y\u00fcksek frekansl\u0131 \/ voltajl\u0131 cihazlar i\u00e7in \u00f6zellikle uygun hale getirir.<\/p>\n
Silisyum Karb\u00fcr, alt\u0131gen bir yap\u0131 olu\u015fturmak i\u00e7in g\u00fc\u00e7l\u00fc kovalent ba\u011flarla birbirine ba\u011flanm\u0131\u015f silikon ve karbondan olu\u015fan geli\u015fmi\u015f bir teknik seramiktir. \u00dcst\u00fcn mekanik ve yal\u0131t\u0131m \u00f6zelliklerine sahip geli\u015fmi\u015f bir teknik malzeme olarak, \u00e7e\u015fitli uygulamalar\u0131 kar\u015f\u0131lamak i\u00e7in \u00e7e\u015fitli \u015fekil ve boyutlarda \u00fcretilebilir - kur\u015fun ge\u00e7irmez z\u0131rh bile! Sert yap\u0131s\u0131 nedeniyle mermiler y\u00fczeyine n\u00fcfuz edemez. Ayr\u0131ca, bu malzeme hava veya su molek\u00fclleri ile h\u0131zl\u0131 reaksiyona girmeyen, yan\u0131c\u0131 olmayan, m\u00fckemmel \u015fok-esnek niteliklere sahiptir.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr\u00fcn m\u00fckemmel termal iletkenli\u011fi ve d\u00fc\u015f\u00fck termal genle\u015fme \u00f6zellikleri, onu ani s\u0131cakl\u0131k de\u011fi\u015fimleri de dahil olmak \u00fczere \u0131s\u0131 da\u011f\u0131tma uygulamalar\u0131 i\u00e7in m\u00fckemmel bir malzeme haline getirir. Ayr\u0131ca, d\u00fc\u015f\u00fck erime noktas\u0131 deforme olmadan veya kimyasal reaksiyonlara maruz kalmadan y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klara dayanmas\u0131n\u0131 sa\u011flar - bu iki \u00f6zellik onu m\u00fckemmel bir malzeme se\u00e7imi haline getirir.<\/p>\n
Silisyum Karb\u00fcr, sar\u0131ms\u0131 ye\u015filden mavimsi siyaha kadar de\u011fi\u015fen bir g\u00f6r\u00fcn\u00fcme sahip, yanmayan ve suda \u00e7\u00f6z\u00fcnmeyen sert bir seramiktir. Bununla birlikte, silikon dioksit olu\u015fturmak i\u00e7in y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klarda klor ile reaksiyona girmeden \u00f6nce alkaliler (NaOH ve KOH) ve 2350 \u00b0 C'den y\u00fcksek s\u0131cakl\u0131klarda erimi\u015f tuzlar yoluyla da\u011f\u0131t\u0131labilir.<\/p>\n
Ceria, yak\u0131n mesafede birbirine ba\u011flanm\u0131\u015f karbon ve silikon atomlar\u0131ndan olu\u015fan iki birincil koordinasyon tetrahedras\u0131ndan olu\u015fan \u00e7ekici bir yak\u0131n paket yap\u0131s\u0131na sahiptir. Birincil koordinasyon tetrahedralar\u0131n\u0131n her biri, farkl\u0131 \u00f6zelliklere sahip farkl\u0131 kristal yap\u0131lar\u0131 olu\u015fturmak i\u00e7in farkl\u0131 \u015fekillerde istiflenen politipler olarak bilinen \u00e7ok tipli yap\u0131lar olu\u015fturmak i\u00e7in en yak\u0131n d\u00f6rt kom\u015fuya ba\u011flan\u0131r.<\/p>\n
Silisyum karb\u00fcr (SiC) en s\u0131k Wurtzite'e benzer \u00e7inko blende kristal yap\u0131s\u0131na sahip bir ala\u015f\u0131m olarak g\u00f6r\u00fcl\u00fcr; ancak e\u015fde\u011fer bir \u00e7inko blende yap\u0131s\u0131na sahip b-SiC piyasada zemin kazanmaya ba\u015flam\u0131\u015ft\u0131r. Herhangi bir uygulama i\u00e7in SiC se\u00e7erken, ama\u00e7lanan uygulamaya ve kalite mevcudiyetine g\u00f6re uygun bir kalite se\u00e7mek \u00e7ok \u00f6nemlidir.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Only diamond and cubic boron nitride (B4C) abrasives are harder than SiC, providing exceptional strength, durability and thermal conductivity properties. Crystalline fluorite forms yellow to green to bluish-black iridescent crystals that sublime at 2700degC and deposit onto graphite at lower temperatures using Lely’s method. Density Silicon carbide (SiC) is an exceptionally hard, synthetically produced crystalline …<\/p>\n