Silicon Carbide (SiC) granules are strong and resilient materials ideal for use in abrasive applications. Furthermore, their inert nature makes them suitable for electronics that operate at higher temperatures and frequencies. SiC is currently produced through an Acheson process that involves reacting quartz sand and petroleum coke in massive open-air furnaces. Cost Humans have exploited …

Reduce Costs and Help the Environment With Silicon Carbide Recycling Preberite več “

Silicijev karbid je izjemen polprevodniški material s široko pasovno vrzeljo in visoko mobilnostjo elektronov ter nizkim toplotnim raztezkom in trdoto, kar so idealne lastnosti za zrcala v astronomskih teleskopih. Slika 5(a) prikazuje Fresnelove normalizirane vzorce XRR plasti SiC/Si različnih debelin z uporabljeno Fresnelovo normalizacijo. Krogi predstavljajo eksperimentalne podatke, medtem ko ...

Silicijev karbid - zrcalni material za astronomske teleskope Preberite več “

V nasprotju s kristalnimi vrstniki, ki se ponašajo z urejeno razporeditvijo atomov, je mrežasta struktura a-SiC naključno urejena, vendar ta naključnost daje temu materialu izjemno trdnost. Raziskovalci Tehnološke univerze v Delftu so pred kratkim z nezaslišano natančnostjo razkrili mehanske lastnosti novega inovativnega materiala, kar odpira možnosti za prihodnjo uporabo tega neverjetno močnega ...

Amorfni silicijev karbid Preberite več “

Silicijev karbid (SiC) je inertna kemična spojina z lastnostmi, podobnimi polprevodnikom; s skrbno izbranimi dodanimi nečistočami je mogoče SiC pretvoriti, da se obnaša kot polprevodnik lažje kot običajni silicij. Zaradi široke pasovne vrzeli lahko SiC prenaša električno energijo učinkoviteje kot njegov silicijev kolega. Tranzistorji SiC imajo pomembne prednosti pred tranzistorji IGBT in ...

Silicijev karbidni tranzistor Preberite več “

Silicijev karbid je vrhunski polprevodnik s široko pasovno vrzeljo in izjemnimi fizikalnimi in kemičnimi lastnostmi, vključno z rumenimi do zelenomodrimi in modrikasto črnimi kristali z iridescenco. Meritve lomnega količnika na epitaksijsko vzgojenem kubičnem SiC so bile skrbno opravljene z uporabo spektroskopske elipsometrije s spremenljivim kotom in so pokazale, da se tako navadni kot izredni lomni količnik povečujeta s temperaturo. Lomni količnik Index of refraction Index of ...

Silicijev karbid Indeks refrakcije Preberite več “

Črni silicijev karbid (imenovan tudi karborundum) je izjemno trda sintetična kristalinična spojina silicija in ogljika, ki se uporablja kot pomemben material v brusnem papirju, brusilnih kolesih in rezalnih orodjih ter za ognjevarne obloge in električne grelne elemente v industrijskih pečeh. Črni silicijev karbid se pogosto uporablja tudi kot abraziv in ...

Črni silicijev karbid Preberite več “

Brusilni kamni iz silicijevega karbida so odpornejši od točk iz aluminijevega oksida in so zasnovani za brušenje in jedkanje kamna, stekla, keramike, porcelana in barvnih kovin. Ti brusilni kamni iz silicijevega karbida so stožčaste oblike in majhne velikosti, zato so idealni brusilni kamni in orodja za splošno uporabo; običajno se uporabljajo za odstranjevanje sledi po stekleni površini ali odvečne glazure ...

Dremel Silicijev karbidni brusilni kamen Preberite več “

Silicijev karbid (SiC) je pomemben industrijski material. S trdoto, primerljivo z diamantom, se SiC zaradi svojih trdih lastnosti uporablja v aplikacijah, kot so abrazivi, ognjevzdržni materiali in keramika. Kemijska formula SiC je na voljo tukaj. Pri kemijskih reakcijah je ključnega pomena, da natančno pretvorimo mole reaktantov in produktov v mole za natančno ...

Formula za silicijev karbid Preberite več “

Silicijev karbid (SiC) je izjemno trd keramični material, ki se pogosto uporablja kot abraziv in za proizvodnjo visoko zmogljivih komponent močnostne elektronike. Poleg tega je SiC zaradi odpornosti na ekstremne temperature primeren za industrijska okolja. Vendar pa se pri uporabi SiC v elektronskih napravah z drugimi materiali lahko pojavi mehanska obremenitev zaradi neusklajenosti CTE ...

Koeficient toplotne razteznosti (CTE) silicijevega karbida Preberite več “

United Silicon Carbide, Inc. je proizvajalec polprevodnikov, specializiran za silicijev karbid in diodne močnostne polprevodnike za stranke v New Jerseyju. SiC Schottkyjeve diode in JFET zagotavljajo industrijsko spremenljive ravni energetske učinkovitosti na ključnih trgih, ki spodbujajo bolj zeleno gospodarstvo, kot je polnjenje električnih vozil. Njihova vrhunska preklopna zmogljivost izboljšuje čas polnjenja in ...

United Silicon Carbide Inc. Preberite več “