Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka pon\u00fakaj\u00fa alternat\u00edvu k be\u017en\u00fdm krem\u00edkov\u00fdm zariadeniam, preto\u017ee sa m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 ni\u017e\u0161\u00edmi poklesmi nap\u00e4tia v priamom smere a v\u00e4\u010d\u0161ou toleranciou prev\u00e1dzkov\u00fdch tepl\u00f4t, okrem toho sa m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 vysok\u00fdm sp\u00e4tn\u00fdm prierazn\u00fdm nap\u00e4t\u00edm a poskytuj\u00fa lep\u0161iu schopnos\u0165 n\u00e1razov\u00e9ho pr\u00fadu ako be\u017en\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 modely.<\/p>\n
Zariadenia so \u0161irokou p\u00e1smovou medzerou sa daj\u00fa vyu\u017ei\u0165 v aplik\u00e1ci\u00e1ch s tvrd\u00fdm sp\u00ednan\u00edm, ako s\u00fa nab\u00edjacie stanice pre elektrick\u00e9 vozidl\u00e1 (EV), zdroje nepreru\u0161ite\u013en\u00e9ho nap\u00e1jania (UPS) a motorov\u00e9 pohony; okrem toho zni\u017euj\u00fa \u00farove\u0148 elektromagnetick\u00e9ho ru\u0161enia a hluku.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka s\u00fa zariadenia s r\u00fdchlym sp\u00ednan\u00edm, ktor\u00e9 sa stali \u0161iroko vyu\u017e\u00edvanou s\u00fa\u010das\u0165ou v elektronick\u00fdch obvodoch. Tieto di\u00f3dy pon\u00fakaj\u00fa vy\u0161\u0161ie sp\u00ednacie r\u00fdchlosti a lep\u0161iu tepeln\u00fa vodivos\u0165 v porovnan\u00ed so svojimi n\u00e1protivkami na b\u00e1ze krem\u00edka a m\u00f4\u017eu sa tie\u017e pochv\u00e1li\u0165 ni\u017e\u0161\u00edm poklesom nap\u00e4tia v priamom smere, lep\u0161ou \u00farov\u0148ou pr\u00fadovej stability a schopnos\u0165ou odol\u00e1va\u0165 prep\u00e4tiu, ktor\u00e1 prevy\u0161uje schopnosti ich krem\u00edkov\u00fdch n\u00e1protivkov.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka sa tie\u017e m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 ove\u013ea vy\u0161\u0161\u00edm sp\u00e4tn\u00fdm prierazn\u00fdm nap\u00e4t\u00edm ako ich krem\u00edkov\u00e9 n\u00e1protivky, v\u010faka \u010domu s\u00fa vhodn\u00e9 na pou\u017eitie v energetick\u00fdch syst\u00e9moch s potenci\u00e1lnymi \u00farov\u0148ami sp\u00e4tn\u00e9ho nap\u00e4tia dosahuj\u00facimi nieko\u013eko tis\u00edc voltov alebo viac. To umo\u017e\u0148uje kon\u0161trukt\u00e9rom vyhn\u00fa\u0165 sa dodato\u010dn\u00fdm ochrann\u00fdm opatreniam, ako s\u00fa snubber obvody.<\/p>\n
Silik\u00f3nov\u00e9 unipol\u00e1rne Schottkyho di\u00f3dy zvy\u010dajne zn\u00e1\u0161aj\u00fa len do 200 V sp\u00e4tn\u00e9ho prierazn\u00e9ho nap\u00e4tia; Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka v\u0161ak dok\u00e1\u017eu odola\u0165 nap\u00e4tiu a\u017e 1,2 kV a vy\u0161\u0161iemu v z\u00e1vislosti od typu di\u00f3dy - poskytuj\u00fa ove\u013ea v\u00e4\u010d\u0161ie mo\u017enosti sp\u00e4tn\u00e9ho prierazn\u00e9ho nap\u00e4tia, v\u010faka \u010domu s\u00fa ove\u013ea univerz\u00e1lnej\u0161ie ako krem\u00edkov\u00e9 verzie v mnoh\u00fdch aplik\u00e1ci\u00e1ch, kde by krem\u00edkov\u00e9 nesta\u010dili.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka sa vyzna\u010duj\u00fa vy\u0161\u0161\u00edmi sp\u00ednac\u00edmi r\u00fdchlos\u0165ami, ktor\u00e9 umo\u017e\u0148uj\u00fa v\u00fdrazn\u00e9 zmen\u0161enie ve\u013ekosti komponentov, \u010do vedie k ni\u017e\u0161\u00edm cen\u00e1m komponentov, vy\u0161\u0161ej \u00fa\u010dinnosti a men\u0161\u00edm rozmerom elektronick\u00fdch obvodov. Okrem toho tieto di\u00f3dy zjednodu\u0161uj\u00fa prev\u00e1dzku pri vy\u0161\u0161\u00edch r\u00fdchlostiach pre zlo\u017eitej\u0161ie n\u00e1vrhy vysokofrekven\u010dnej elektroniky.<\/p>\n
Spolo\u010dnos\u0165 Galaxy Microelectronics ned\u00e1vno predstavila rad 650V a 1200V Schottkyho bari\u00e9rov\u00fdch di\u00f3d z karbidu krem\u00edka (SiC) navrhnut\u00fdch \u0161peci\u00e1lne na uspokojenie potrieb kon\u0161trukt\u00e9rov obvodov na konverziu energie pre syst\u00e9my fotovoltaick\u00fdch sol\u00e1rnych \u010dl\u00e1nkov, syst\u00e9my nap\u00e1jania elektrick\u00fdch vozidiel, r\u00e1diofrekven\u010dn\u00e9 detektory a r\u00e1diofrekven\u010dn\u00e9 detektory. Tieto zariadenia sa vyzna\u010duj\u00fa n\u00edzkymi stratami pri veden\u00ed s teplotne nez\u00e1vislou schopnos\u0165ou nulovej reverznej obnovy, ako aj kladn\u00fdmi hodnotami teplotn\u00e9ho koeficientu (TJC); okrem toho maj\u00fa robustn\u00fd lav\u00ednov\u00fd v\u00fdkon, ktor\u00fd obmedzuje potrebu \u010fal\u0161\u00edch ochrann\u00fdch zariaden\u00ed alebo obvodov zo strany kon\u0161trukt\u00e9rov.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka (SiC) s\u00fa unipol\u00e1rne polovodi\u010dov\u00e9 zariadenia s vy\u0161\u0161ou r\u00fdchlos\u0165ou sp\u00ednania a ni\u017e\u0161\u00edmi \u00fabytkami nap\u00e4tia v priamom smere ako ich krem\u00edkov\u00e9 n\u00e1protivky, v\u010faka \u010domu s\u00fa vhodn\u00e9 pre v\u00fdkonov\u00e9 polovodi\u010de pracuj\u00face pri vysok\u00fdch teplot\u00e1ch. Pri n\u00e1vrhu obvodov sa v\u0161ak musia zoh\u013eadni\u0165 ur\u010dit\u00e9 obmedzenia, napr\u00edklad zabezpe\u010denie kr\u00e1tkeho \u010dasu sp\u00e4tn\u00e9ho zotavenia, aby sa minimalizovali straty energie.<\/p>\n
Kr\u00e1tke \u010dasy sp\u00e4tn\u00e9ho zotavenia umo\u017e\u0148uj\u00fa zariadeniam r\u00fdchlo prep\u00edna\u0165 medzi vodiv\u00fdm a nevodiv\u00fdm stavom a tie\u017e pom\u00e1haj\u00fa zni\u017eova\u0165 \u0161um EMI a parazitn\u00e9 pr\u00fady, ktor\u00e9 by inak mohli po\u0161kodi\u0165 di\u00f3dy a tyristorov\u00e9 most\u00edky. Okrem toho kr\u00e1tke zotavovacie \u010dasy umo\u017e\u0148uj\u00fa di\u00f3dam a tyristorov\u00fdm most\u00edkom pred\u013a\u017ei\u0165 dobu reverz\u00e1cie (POR).<\/p>\n
N\u00edzky \u00fabytok nap\u00e4tia v priamom smere SiC Schottkyho di\u00f3d mo\u017eno prip\u00edsa\u0165 ich \u00fazkej z\u00f3ne vy\u010derpania. V\u010faka tejto vlastnosti je di\u00f3da menej kapacitn\u00e1 ako di\u00f3dy s prechodom P-N, \u010do je nevyhnutn\u00e9 pre vysokor\u00fdchlostn\u00e9 sp\u00ednacie aplik\u00e1cie a pom\u00e1ha zabr\u00e1ni\u0165 prenikaniu zvoniv\u00e9ho alebo kapacitn\u00e9ho \u0161umu do sign\u00e1lov\u00fdch ciest.<\/p>\n
SiC Schottkyho di\u00f3dy pon\u00fakaj\u00fa n\u00edzky odpor v zapnutom stave a teplotne nez\u00e1visl\u00e9 zotavenie z nulovej reverz\u00e1cie - dve vlastnosti, ktor\u00e9 z nich robia vynikaj\u00facu vo\u013ebu pre vysokor\u00fdchlostn\u00e9 sp\u00ednacie aplik\u00e1cie, ako s\u00fa napr\u00edklad buck boost konvertory. Spolo\u010dnos\u0165 Galaxy microelectronics ned\u00e1vno predstavila 650V a 1200V Schottkyho dyn\u00f3dy z karbidu krem\u00edka (SiC), ktor\u00e9 s\u00fa vynikaj\u00facim doplnkom pre n\u00e1vrhy syst\u00e9mov konverzie energie.<\/p>\n
\u00danikov\u00e9 pr\u00fady v SiC Schottkyho di\u00f3dach s\u00fa sp\u00f4soben\u00e9 nedokonalos\u0165ami na rozhran\u00ed kov - polovodi\u010d, ale mo\u017eno ich zmierni\u0165 hrub\u0161\u00edmi driftov\u00fdmi vrstvami - t\u00fdm sa v\u0161ak zvy\u0161uje ohmick\u00fd a tepeln\u00fd odpor zariadenia. Spolo\u010dnos\u0165 Nexperia vyvinula hybridn\u00fa \u0161trukt\u00faru zariadenia, ktor\u00e1 tento probl\u00e9m rie\u0161i kombin\u00e1ciou Schottkyho a P-N di\u00f3d do jedn\u00e9ho obalu, \u010d\u00edm sa v\u00fdrazne zni\u017euje \u00fanikov\u00fd pr\u00fad a zvy\u0161uje spo\u013eahlivos\u0165 pri vysok\u00fdch teplot\u00e1ch. T\u00e1to kon\u0161trukcia sa m\u00f4\u017ee pochv\u00e1li\u0165 v\u00fdrazn\u00fdm zn\u00ed\u017een\u00edm zvodov\u00e9ho pr\u00fadu a z\u00e1rove\u0148 zv\u00fd\u0161en\u00edm spo\u013eahlivosti pri vysok\u00fdch teplot\u00e1ch.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka maj\u00fa vysok\u00e9 prierazn\u00e9 nap\u00e4tia, ktor\u00e9 ich predur\u010duj\u00fa na pou\u017eitie vo v\u00fdkonov\u00fdch zariadeniach, ako s\u00fa pohony motorov a ovl\u00e1da\u010de LED, ktor\u00e9 pracuj\u00fa pri vysok\u00fdch frekvenci\u00e1ch, ktor\u00e9 si vy\u017eaduj\u00fa vy\u0161\u0161ie prierazn\u00e9 nap\u00e4tia di\u00f3d ako tradi\u010dn\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 di\u00f3dy. Okrem toho \u0161irok\u00e1 p\u00e1smov\u00e1 medzera SiC pom\u00e1ha zvy\u0161ova\u0165 \u00fa\u010dinnos\u0165 a r\u00fdchlos\u0165. Okrem toho je tento materi\u00e1l v\u010faka vy\u0161\u0161ej teplote topenia vhodn\u00fd na pou\u017eitie v r\u00f4znych prostrediach.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka maj\u00fa \u0161irok\u00fa p\u00e1smov\u00fa medzeru a ve\u013emi n\u00edzky odpor v zapnutom stave, v\u010faka \u010domu s\u00fa vhodn\u00e9 pre aplik\u00e1cie s r\u00fdchlou v\u00fdmenou. Ich \u010dinnos\u0165 spo\u010d\u00edva v nanesen\u00ed kovov\u00fdch kontaktov na polovodi\u010dov\u00fd materi\u00e1l, aby sa zv\u00fd\u0161il tok elektr\u00f3nov cez jeho prechod; na rozdiel od be\u017en\u00fdch PN di\u00f3d, ktor\u00e9 prep\u00fa\u0161\u0165aj\u00fa s\u00fa\u010dasne elektr\u00f3ny aj diery, toto usporiadanie prep\u00fa\u0161\u0165a iba elektr\u00f3ny, \u010d\u00edm sa v\u00fdrazne zvy\u0161uje r\u00fdchlos\u0165 sp\u00ednania. Okrem toho maj\u00fa n\u00edzke zap\u00ednacie nap\u00e4tie na jednoduch\u00e9 zap\u00ednanie a vyp\u00ednanie.<\/p>\n
T\u00e1to kon\u0161trukcia tie\u017e profituje z ten\u0161ej vrstvy substr\u00e1tu, ktor\u00e1 vytv\u00e1ra lep\u0161iu tepeln\u00fa cestu medzi spojom a r\u00e1mom obalu alebo puzdrom, \u010d\u00edm sa zni\u017euje tepeln\u00fd odpor. Toto zn\u00ed\u017eenie m\u00f4\u017ee pom\u00f4c\u0165 zn\u00ed\u017ei\u0165 rozptyl energie, ako aj zv\u00fd\u0161i\u0165 spo\u013eahlivos\u0165 zariadenia t\u00fdm, \u017ee je menej n\u00e1chyln\u00e9 na elektrostatick\u00e9 v\u00fdboje (ESD) a prep\u00e4tia, ktor\u00e9 by ho mohli po\u0161kodi\u0165.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka sa vyzna\u010duj\u00fa vynikaj\u00facou prieraznou silou elektrick\u00e9ho po\u013ea, v\u010faka ktorej zvl\u00e1daj\u00fa vy\u0161\u0161ie nap\u00e4tia ako tradi\u010dn\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 di\u00f3dy. Okrem toho sa daj\u00fa vyr\u00e1ba\u0165 s ten\u0161\u00edmi a v\u00e4\u010d\u0161\u00edmi driftov\u00fdmi vrstvami pre r\u00fdchlej\u0161iu odozvu; ich vynikaj\u00faca tepeln\u00e1 vodivos\u0165 navy\u0161e umo\u017e\u0148uje zvl\u00e1dnu\u0165 vy\u0161\u0161ie \u00farovne n\u00e1razov\u00e9ho pr\u00fadu ako tradi\u010dn\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 di\u00f3dy.<\/p>\n
SiC Schottkyho di\u00f3dy pon\u00fakaj\u00fa n\u00edzke \u00farovne zvodov\u00e9ho pr\u00fadu, v\u010faka \u010domu s\u00fa ide\u00e1lnou vo\u013ebou pre v\u00fdkonov\u00e9 usmer\u0148ovacie obvody v mnoh\u00fdch aplik\u00e1ci\u00e1ch. Ich vy\u0161\u0161ia prev\u00e1dzkov\u00e1 teplota a vy\u0161\u0161ia r\u00fdchlos\u0165 sp\u00ednania umo\u017e\u0148uj\u00fa aplik\u00e1cie s vy\u0161\u0161ou frekvenciou a zn\u00ed\u017eenou \u00farov\u0148ou EMI - ide\u00e1lne pre nap\u00e1jacie zdroje alebo motorov\u00e9 pohony, ktor\u00e9 potrebuj\u00fa spo\u013eahliv\u00e9 usmer\u0148ova\u010de.<\/p>\n
Di\u00f3dy SiC pon\u00fakaj\u00fa vysok\u00fa pr\u00fadov\u00fa hustotu, ktor\u00e1 im umo\u017e\u0148uje pren\u00e1\u0161a\u0165 v\u00e4\u010d\u0161\u00ed pr\u00fad pri men\u0161\u00edch rozmeroch spojov, \u010do vedie k zn\u00ed\u017eeniu celkov\u00e9ho odporu a str\u00e1t pri rozptyle tepla a k ni\u017e\u0161\u00edm strat\u00e1m v\u00fdkonu, ktor\u00e9 zlep\u0161uj\u00fa energetick\u00fa \u00fa\u010dinnos\u0165 a z\u00e1rove\u0148 zvy\u0161uj\u00fa spo\u013eahlivos\u0165.<\/p>\n
SiC Schottkyho di\u00f3dy s\u00fa ide\u00e1lne pre aplik\u00e1cie, kde je \u00fa\u010dinnos\u0165 mimoriadne d\u00f4le\u017eit\u00e1, vr\u00e1tane fotovoltick\u00fdch sol\u00e1rnych meni\u010dov a nab\u00edja\u010diek elektrick\u00fdch vozidiel. Ich kon\u0161trukcia MPS tie\u017e u\u013eah\u010duje prep\u00ednanie medzi konfigur\u00e1ciami usmer\u0148ova\u010dov s pln\u00fdm a polovi\u010dn\u00fdm most\u00edkom v kon\u0161trukci\u00e1ch nap\u00e1jac\u00edch zdrojov - zni\u017euje zlo\u017eitos\u0165 a z\u00e1rove\u0148 zvy\u0161uje v\u00fdstupn\u00fd v\u00fdkon.<\/p>\n
Di\u00f3dy SiC pon\u00fakaj\u00fa v\u00e4\u010d\u0161ie mo\u017enosti n\u00e1razov\u00e9ho pr\u00fadu ako ich krem\u00edkov\u00e9 n\u00e1protivky, v\u010faka \u010domu s\u00fa obzvl\u00e1\u0161\u0165 vhodn\u00e9 pre funkcie korekcie \u00fa\u010dinn\u00edka (PFC), ktor\u00e9 sa nach\u00e1dzaj\u00fa v UPS a sol\u00e1rnych strieda\u010doch. Ich kon\u0161trukcia MPS poskytuje kon\u0161trukt\u00e9rom v\u00e4\u010d\u0161iu vo\u013enos\u0165 pri optimaliz\u00e1cii syst\u00e9mov pre fotovoltick\u00e9 sol\u00e1rne meni\u010de a nab\u00edja\u010dky elektrick\u00fdch vozidiel, pri\u010dom vy\u017eaduj\u00fa men\u0161ie chladi\u010de a filtre; navy\u0161e ich n\u00edzke straty a r\u00fdchla r\u00fdchlos\u0165 sp\u00ednania pom\u00e1haj\u00fa zni\u017eova\u0165 ru\u0161enie EMI.<\/p>\n
Karbidov\u00e9 di\u00f3dy zo silik\u00f3nu s\u00fa u\u017e dlho zn\u00e1me svojou v\u00fdnimo\u010dnou tepelnou vodivos\u0165ou a t\u00e1to vlastnos\u0165 je jedn\u00fdm z hlavn\u00fdch d\u00f4vodov, pre\u010do sa m\u00f4\u017eu pou\u017e\u00edva\u0165 v energetick\u00fdch aplik\u00e1ci\u00e1ch. V\u010faka tomu, \u017ee zariadenia z karbidu krem\u00edka pracuj\u00fa pri vy\u0161\u0161\u00edch teplot\u00e1ch ako tradi\u010dn\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 zariadenia, dok\u00e1\u017eu zn\u00ed\u017ei\u0165 v\u00fdkonov\u00e9 straty a z\u00e1rove\u0148 zv\u00fd\u0161i\u0165 \u00fa\u010dinnos\u0165, pri\u010dom pracuj\u00fa s vy\u0161\u0161\u00edmi sp\u00ednac\u00edmi frekvenciami, \u010do im umo\u017e\u0148uje spracova\u0165 v\u00e4\u010d\u0161\u00ed pr\u00fad pri men\u0161\u00edch fyzick\u00fdch rozmeroch.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka sa tie\u017e m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 vy\u0161\u0161ou pr\u00fadovou hustotou v porovnan\u00ed so svojimi krem\u00edkov\u00fdmi n\u00e1protivkami, v\u010faka \u010domu s\u00fa schopn\u00e9 pren\u00e1\u0161a\u0165 v\u00e4\u010d\u0161\u00ed pr\u00fad a zvl\u00e1da\u0165 vy\u0161\u0161ie n\u00e1razov\u00e9 nap\u00e4tia efekt\u00edvnej\u0161ie ako krem\u00edkov\u00e9 modely. Okrem toho je ich pokles nap\u00e4tia v priamom smere ni\u017e\u0161\u00ed, \u010do pom\u00e1ha nielen \u0161etri\u0165 n\u00e1klady na spotrebu energie, ale aj zni\u017eova\u0165 teplotu v samotnom zariaden\u00ed.<\/p>\n
Schottkyho di\u00f3dy s\u00fa polovodi\u010dov\u00e9 zariadenia zlo\u017een\u00e9 z dvoch \u010dast\u00ed: kovov\u00e9ho kontaktu a \u013eahko dopovanej krem\u00edkovej vrstvy. Pri kladnom nap\u00e4t\u00ed sa vytvor\u00ed elektrick\u00e9 pole, ktor\u00e9 sp\u00f4sob\u00ed, \u017ee elektr\u00f3ny z kovov\u00e9ho kontaktu sa prostredn\u00edctvom elektrostatick\u00e9ho po\u013ea injektuj\u00fa do krem\u00edka a fotoelektrick\u00fd efekt sa vyu\u017e\u00edva na premenu v\u00e4\u010d\u0161inov\u00fdch nosi\u010dov sp\u00e4\u0165 na vo\u013en\u00e9 elektr\u00f3ny ove\u013ea r\u00fdchlej\u0161ie ako v be\u017enej di\u00f3de s P-N prechodom.<\/p>\n
Tento elektrick\u00fd obvod vytv\u00e1ra pri pravidelnom zap\u00ednan\u00ed a vyp\u00ednan\u00ed zariaden\u00ed, ako s\u00fa motory alebo LED di\u00f3dy, ve\u013emi minim\u00e1lny dopredn\u00fd \u00fabytok nap\u00e4tia. N\u00edzky \u00fabytok nap\u00e4tia v priamom smere umo\u017e\u0148uje aj vy\u0161\u0161ie frekvencie prev\u00e1dzky, \u010d\u00edm sa zlep\u0161uje v\u00fdkon a z\u00e1rove\u0148 sa zni\u017euj\u00fa straty energie; okrem toho zabezpe\u010duje konzistentn\u00fd pr\u00fad v \u0161irokom rozsahu tepl\u00f4t.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Schottkyho di\u00f3dy z karbidu krem\u00edka pon\u00fakaj\u00fa alternat\u00edvu k be\u017en\u00fdm krem\u00edkov\u00fdm zariadeniam, preto\u017ee sa m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 ni\u017e\u0161\u00edmi poklesmi nap\u00e4tia v priamom smere a v\u00e4\u010d\u0161ou toleranciou prev\u00e1dzkov\u00fdch tepl\u00f4t, okrem toho sa m\u00f4\u017eu pochv\u00e1li\u0165 vysok\u00fdm sp\u00e4tn\u00fdm prierazn\u00fdm nap\u00e4t\u00edm a poskytuj\u00fa lep\u0161iu schopnos\u0165 n\u00e1razov\u00e9ho pr\u00fadu ako be\u017en\u00e9 krem\u00edkov\u00e9 modely. Zariadenia so \u0161irokou p\u00e1smovou medzerou mo\u017eno vyu\u017ei\u0165 v aplik\u00e1ci\u00e1ch s tvrd\u00fdm sp\u00ednan\u00edm, ako s\u00fa nab\u00edjacie stanice pre elektrick\u00e9 vozidl\u00e1, ...<\/p>\n