Karbid krem\u00edka je v\u00fdnimo\u010dne tvrd\u00e1, kry\u0161talick\u00e1 keramika s vynikaj\u00facou pevnos\u0165ou a tepelnou vodivos\u0165ou, schopn\u00e1 odol\u00e1va\u0165 vysok\u00fdm teplot\u00e1m bez tepelnej roz\u0165a\u017enosti a chemickej stability.<\/p>\n
Ned\u00e1vno sme zaznamenali rekordne vysok\u00e9 hodnoty izotropnej fonickej kry\u0161t\u00e1lovej tepelnej vodivosti (k) pri izbovej teplote v objemov\u00fdch kry\u0161t\u00e1loch 3C-SiC pri teplot\u00e1ch vy\u0161\u0161\u00edch ako izbov\u00e1 teplota; na\u0161a hodnota bola o viac ako 50% vy\u0161\u0161ia ako komer\u010dn\u00e9 produkty 6H-SiC a AlN.<\/p>\n
Keramika z karbidu krem\u00edka m\u00e1 schopnos\u0165 udr\u017ea\u0165 si pevnos\u0165 pri zv\u00fd\u0161en\u00fdch teplot\u00e1ch a z\u00e1rove\u0148 odol\u00e1va\u0165 tepeln\u00fdm \u0161okom, \u010do je d\u00f4le\u017eit\u00e1 vlastnos\u0165 vzh\u013eadom na to, \u017ee n\u00e1hle zmeny teploty m\u00f4\u017eu v materi\u00e1loch vytv\u00e1ra\u0165 tepeln\u00e9 nap\u00e4tie, ktor\u00e9 vedie k vzniku mikrotrhl\u00edn.<\/p>\n
N\u00edzka tepeln\u00e1 roz\u0165a\u017enos\u0165 karbidu krem\u00edka z neho rob\u00ed vynikaj\u00faci materi\u00e1l pre leteck\u00e9 a vesm\u00edrne aplik\u00e1cie, pri\u010dom sa \u010dasto pou\u017e\u00edva aj ako nepriestreln\u00fd pancier v\u010faka svojej schopnosti odol\u00e1va\u0165 n\u00e1razom striel.<\/p>\n
\u010eal\u0161ou k\u013e\u00fa\u010dovou vlastnos\u0165ou karbidu krem\u00edka, ktor\u00e1 ho odli\u0161uje ako v\u00fdnimo\u010dn\u00fd polovodi\u010dov\u00fd materi\u00e1l, je jeho \u0161irok\u00fd p\u00e1sov\u00fd odstup. P\u00e1smov\u00e1 medzera je energetick\u00e1 bari\u00e9ra, ktor\u00fa musia elektr\u00f3ny prekona\u0165, aby pre\u0161li z valen\u010dn\u00e9ho p\u00e1sma do vodivostn\u00e9ho p\u00e1sma; v pr\u00edpade karbidu krem\u00edka je t\u00e1to energetick\u00e1 bari\u00e9ra medzi jeho valen\u010dn\u00fdm a vodivostn\u00fdm p\u00e1smom; je u\u017e\u0161ia ako u vodi\u010dov, ale ove\u013ea \u0161ir\u0161ia ako u izolantov, \u010do umo\u017e\u0148uje \u013eah\u0161\u00ed tok elektriny medzi t\u00fdmito p\u00e1smi. Karbid krem\u00edka mo\u017eno premeni\u0165 na polovodi\u010d typu p dopovan\u00edm hlin\u00edkom, b\u00f3rom alebo g\u00e1liom, pri\u010dom mo\u017eno prida\u0165 aj dus\u00edk alebo fosfor, \u010d\u00edm vznikne polovodi\u010d typu n.<\/p>\n
Vynikaj\u00faca tepeln\u00e1 vodivos\u0165 SiC umo\u017e\u0148uje r\u00fdchlo odv\u00e1dza\u0165 teplo, \u010d\u00edm pom\u00e1ha chr\u00e1ni\u0165 elektronick\u00e9 zariadenia pred zn\u00ed\u017een\u00edm v\u00fdkonu alebo skr\u00e1ten\u00edm ich \u017eivotnosti v d\u00f4sledku pr\u00edli\u0161 vysok\u00fdch tepl\u00f4t.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka je ide\u00e1lnym materi\u00e1lom na pou\u017eitie v metalurgick\u00fdch aplik\u00e1ci\u00e1ch v\u010faka svojim trvanliv\u00fdm vlastnostiam, vysokej mechanickej pevnosti, chemickej inertnosti, n\u00edzkemu koeficientu tepelnej roz\u0165a\u017enosti a vynikaj\u00facej odolnosti vo\u010di tepeln\u00fdm \u0161okom. Okrem toho sa vyzna\u010duje vynikaj\u00facou odolnos\u0165ou proti kor\u00f3zii a je schopn\u00fd odol\u00e1va\u0165 ve\u013emi vysok\u00fdm teplot\u00e1m.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka prv\u00fdkr\u00e1t syntetizoval pennsylv\u00e1n Edward Acheson v roku 1891 zahrievan\u00edm zmesi hliny a pr\u00e1\u0161kov\u00e9ho koksu v \u017eeleznej miske s uhl\u00edkovou elektr\u00f3dou. Dnes je karbid krem\u00edka jedn\u00fdm z najpou\u017e\u00edvanej\u0161\u00edch priemyseln\u00fdch keramick\u00fdch materi\u00e1lov na svete; ro\u010dne sa ho spotrebuje viac ako 1 mili\u00f3n ton. Vynikaj\u00faca odolnos\u0165 karbidu krem\u00edka vo\u010di tepeln\u00fdm \u0161okom vypl\u00fdva z jeho vysokej tepelnej vodivosti a n\u00edzkej tepelnej roz\u0165a\u017enosti; preto sa hojne pou\u017e\u00edva v zrkadl\u00e1ch pou\u017e\u00edvan\u00fdch v astronomick\u00fdch teleskopoch, ako aj v pancierov\u00fdch dosk\u00e1ch v nepriestreln\u00fdch vest\u00e1ch.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka m\u00e1 vynikaj\u00facu odolnos\u0165 vo\u010di tepeln\u00fdm \u0161okom a odol\u00e1va n\u00e1hlym zmen\u00e1m teploty, tak\u017ee je vhodn\u00fd na pou\u017eitie v n\u00e1ro\u010dn\u00fdch podmienkach. Okrem toho dobre odol\u00e1va p\u00f4sobeniu kysel\u00edn a l\u00fahov - \u010fal\u0161ie v\u00fdhody z h\u013eadiska chemickej odolnosti.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka sa medzi ostatn\u00fdmi \u017eiaruvzdorn\u00fdmi materi\u00e1lmi vyzna\u010duje t\u00fdm, \u017ee sa pri vysok\u00fdch teplot\u00e1ch nerozklad\u00e1 na oxidy a je chemicky inertn\u00fd, okrem vody.<\/p>\n
\u010cist\u00fd karbid krem\u00edka sa spr\u00e1va ako elektrick\u00fd izolant, av\u0161ak pridan\u00edm riaden\u00fdch pr\u00edmes\u00ed m\u00f4\u017ee sl\u00fa\u017ei\u0165 ako polovodi\u010d. Dopovanie hlin\u00edkom, b\u00f3rom alebo g\u00e1liom vytv\u00e1ra polovodi\u010de typu P s vy\u0161\u0161\u00edm nap\u00e4\u0165ov\u00fdm odporom ako \u0161tandardn\u00fd krem\u00edk, v\u010faka \u010domu s\u00fa vhodn\u00e9 pre aplik\u00e1cie v elektrick\u00fdch vozidl\u00e1ch alebo syst\u00e9moch na v\u00fdrobu energie, ako aj pre nepriestreln\u00e9 vesty. Vyu\u017e\u00edvaj\u00fa ho aj \u017eiaruvzdorn\u00e9 materi\u00e1ly, ktor\u00e9 pom\u00e1haj\u00fa efekt\u00edvne riadi\u0165 pr\u00fadov\u00e9 toky - \u010do je v\u00fdhoda oproti ich izola\u010dn\u00fdm vlastnostiam.<\/p>\n
Mrie\u017ekov\u00e1 \u0161trukt\u00fara v\u00e4zieb medzi at\u00f3mami uhl\u00edka a krem\u00edka karbidu krem\u00edka vytv\u00e1ra v\u00fdnimo\u010dne tvrd\u00fd materi\u00e1l s vysokou tepelnou vodivos\u0165ou a n\u00edzkou tepelnou roz\u0165a\u017enos\u0165ou, v\u010faka \u010domu je schopn\u00fd odol\u00e1va\u0165 n\u00e1ro\u010dn\u00fdm podmienkam, ako s\u00fa vysok\u00e9 teploty a nap\u00e4tie.<\/p>\n
Tepeln\u00e1 vodivos\u0165 spekan\u00e9ho karbidu krem\u00edka z\u00e1vis\u00ed od mnoh\u00fdch premenn\u00fdch, napr\u00edklad od typu spekanej pr\u00edsady, ve\u013ekosti zrna, zlo\u017eenia f\u00e1z a mikro\u0161trukt\u00fary. Preto je potrebn\u00e9 identifikova\u0165 jeho najkritickej\u0161ie aspekty na zlep\u0161enie tepelnej vodivosti.<\/p>\n
Nov\u00fd v\u00fdskum odhalil, \u017ee 3C-SiC vykazuje vysok\u00fd rozptyl fon\u00f3nov v\u010faka svojej \u010distote a kvalite kry\u0161t\u00e1lov, \u010do mu poskytuje vynikaj\u00face transportn\u00e9 vlastnosti, ktor\u00e9 by z neho mohli urobi\u0165 vynikaj\u00faci polovodi\u010d so \u0161irok\u00fdm p\u00e1smom pre aplik\u00e1cie vo v\u00fdkonovej elektronike. V\u010faka svojej odolnosti vo\u010di chemickej kor\u00f3zii, oxid\u00e1cii, opotrebovaniu, aplik\u00e1ci\u00e1m dynamickej tesniacej technol\u00f3gie, ako aj priemyseln\u00fdm komponentom sa SiC ukazuje ako trvanliv\u00e1 vo\u013eba aj v pr\u00edpade aplik\u00e1ci\u00ed tepeln\u00e9ho mana\u017ementu, preto\u017ee zost\u00e1va vo\u010di t\u00fdmto faktorom odoln\u00fd.<\/p>\n
P\u00e1smov\u00e1 medzera ozna\u010duje mno\u017estvo energie, ktor\u00e9 elektr\u00f3ny a diery potrebuj\u00fa na prechod z valen\u010dn\u00e9ho p\u00e1sma do vodivostn\u00e9ho p\u00e1sma, pri\u010dom karbid krem\u00edka a nitrid g\u00e1lia maj\u00fa v\u00e4\u010d\u0161ie p\u00e1smov\u00e9 medzery ako tradi\u010dn\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 materi\u00e1ly, ako je krem\u00edk, aby sa prisp\u00f4sobili vy\u0161\u0161\u00edm nap\u00e4tiam a teplot\u00e1m.<\/p>\n
Polovodi\u010de so \u0161irok\u00fdm p\u00e1smom, ako je karbid krem\u00edka a nitrid g\u00e1lia, sa presadili vo v\u00fdkonovej elektronike a optoelektronike, kde zvy\u0161uj\u00fa \u00fa\u010dinnos\u0165 a z\u00e1rove\u0148 zni\u017euj\u00fa energetick\u00e9 straty. V\u010faka vysok\u00e9mu blokovaciemu nap\u00e4tiu a n\u00edzkemu odporu s\u00fa tieto polovodi\u010de vhodn\u00e9 pre vy\u0161\u0161ie sp\u00ednacie r\u00fdchlosti a radia\u010dn\u00e9 prostredie.<\/p>\n
Vynikaj\u00faca tepeln\u00e1 vodivos\u0165 \u0161irokop\u00e1smov\u00fdch polovodi\u010dov je nevyhnutn\u00e1 v aplik\u00e1ci\u00e1ch, kde je potrebn\u00e9 udr\u017eiava\u0165 teplotu zariadenia pod kontrolou, aby sa zabr\u00e1nilo prehriatiu a zhor\u0161eniu v\u00fdkonu. Ich vy\u0161\u0161ie teploty tavenia a zn\u00ed\u017een\u00e9 koeficienty tepelnej roz\u0165a\u017enosti tie\u017e umo\u017e\u0148uj\u00fa r\u00fdchly \u00fanik tepla zo zariadenia.<\/p>\n
Vynikaj\u00faca elektrick\u00e1 vodivos\u0165 karbidu krem\u00edka z neho rob\u00ed fantastick\u00fd materi\u00e1l pre vysoko v\u00fdkonn\u00e9 elektrick\u00e9 aplik\u00e1cie. Dok\u00e1\u017ee odol\u00e1va\u0165 extr\u00e9mnym teplot\u00e1m a z\u00e1rove\u0148 zost\u00e1va pevn\u00fd v podmienkach intenz\u00edvneho tepla a tlaku.<\/p>\n
Pridanie \u0161pecifick\u00fdch pr\u00edsad po\u010das spekania m\u00f4\u017ee zv\u00fd\u0161i\u0165 elektrick\u00fa vodivos\u0165 por\u00e9zneho karbidu krem\u00edka a pom\u00f4c\u0165 zn\u00ed\u017ei\u0165 odpor a z\u00e1rove\u0148 zabr\u00e1ni\u0165 oxid\u00e1cii jeho por\u00e9znej \u0161trukt\u00fary.<\/p>\n
To v\u0161ak nemen\u00ed fon\u00f3nov\u00fa vodivos\u0165 a st\u00e1le mo\u017eno pozorova\u0165, \u017ee s rast\u00facou ve\u013ekos\u0165ou hrdla vodivos\u0165 kles\u00e1.<\/p>\n
Vo v\u00fdrobnej f\u00e1ze v\u00fdroby karbidu krem\u00edka sa \u010dasto pou\u017e\u00edva dopovanie hlin\u00edkom, b\u00f3rom a g\u00e1liom na vytvorenie polovodi\u010da typu p. Ak je to potrebn\u00e9, m\u00f4\u017ee sa pou\u017ei\u0165 aj dopovanie dus\u00edkom a fosforom, aby sa vytvoril polovodi\u010d typu N, a t\u00fdm sa kontrolovali jeho elektrick\u00e9 vlastnosti. Tento postup sa z tohto d\u00f4vodu stal v polovodi\u010dovom priemysle \u0161tandardn\u00fdm postupom.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka je jednou z naj\u013eah\u0161\u00edch, najtvrd\u0161\u00edch a najpevnej\u0161\u00edch modern\u00fdch keram\u00edk, ktor\u00e9 s\u00fa dnes k dispoz\u00edcii. V\u010faka svojej pevnosti, odolnosti vo\u010di kor\u00f3zii a n\u00edzkej tepelnej roz\u0165a\u017enosti sa \u0161iroko pou\u017e\u00edva na v\u00fdrobu dielov odoln\u00fdch vo\u010di opotrebovaniu, ako aj v \u017eiaruvzdorn\u00fdch materi\u00e1loch pre svoju tvrdos\u0165 a v elektronike pre svoju vysok\u00fa tepeln\u00fa vodivos\u0165.<\/p>\n
SiC sa v \u010distom stave spr\u00e1va ako elektrick\u00fd izolant, ale riaden\u00fdm dopovan\u00edm ho mo\u017eno premeni\u0165 na polovodi\u010d. Dopovanie hlin\u00edkom, b\u00f3rom alebo g\u00e1liom vytv\u00e1ra polovodi\u010d typu p, zatia\u013e \u010do dopovanie dus\u00edkom a fosforom vytv\u00e1ra polovodi\u010d typu N.<\/p>\n
SiC je ob\u013e\u00faben\u00fd v\u010faka svojmu \u0161irok\u00e9mu p\u00e1smov\u00e9mu rozhraniu, ktor\u00e9 umo\u017e\u0148uje elektr\u00f3nom \u013eah\u0161\u00ed pohyb medzi energetick\u00fdmi stavmi. V spojen\u00ed s vy\u0161\u0161ou pohyblivos\u0165ou elektr\u00f3nov a zn\u00ed\u017een\u00fdmi energetick\u00fdmi stratami je tak SiC vynikaj\u00facou vo\u013ebou materi\u00e1lu na pou\u017eitie v elektronick\u00fdch zariadeniach, ako s\u00fa di\u00f3dy a tranzistory - k\u013e\u00fa\u010dov\u00e9 faktory, ktor\u00e9 prispievaj\u00fa k jeho pou\u017eitiu vo v\u00fdkonovej elektronike a optoelektronike.<\/p>\n
Vynikaj\u00faca tepeln\u00e1 vodivos\u0165 a n\u00edzky koeficient roz\u0165a\u017enosti karbidu krem\u00edka ho robia odoln\u00fdm vo\u010di r\u00fdchlym zmen\u00e1m teploty, v\u010faka \u010domu je vhodn\u00fd na n\u00e1ro\u010dn\u00e9 aplik\u00e1cie v keramickom, metalurgickom a chemickom priemysle. Jeho tvrdos\u0165 a tuhos\u0165 ho tie\u017e predur\u010duj\u00fa na pou\u017eitie.<\/p>\n
Ned\u00e1vno sa zistilo, \u017ee polykry\u0161talick\u00fd SiC spekan\u00fd v kvapalnej f\u00e1ze (LPS) s pr\u00edsadami Y2O3 a Sc2O3 vykazuje tepeln\u00fa vodivos\u0165 a\u017e 261,5 W\/m-K; faktory zodpovedn\u00e9 za tak\u00fdto v\u00fdkon v\u0161ak st\u00e1le nie s\u00fa dostato\u010dne zn\u00e1me.<\/p>\n
Cie\u013eom tohto v\u00fdskumu je presk\u00fama\u0165 korel\u00e1ciu medzi f\u00e1zov\u00fdm zlo\u017een\u00edm, mikro\u0161trukt\u00farou a tepelnou vodivos\u0165ou vo vzork\u00e1ch LPS-SiC pomocou r\u00f6ntgenovej difrakcie, skenovacej transmisnej elektr\u00f3novej mikroskopie s vysok\u00fdm rozl\u00ed\u0161en\u00edm a met\u00f3d sp\u00e4tnej difrakcie elektr\u00f3nov. Tieto techniky umo\u017e\u0148uj\u00fa aj identifik\u00e1ciu chemick\u00fdch alebo \u0161truktur\u00e1lnych defektov, ktor\u00e9 ovplyv\u0148uj\u00fa tepeln\u00fa vodivos\u0165. V\u00fdsledky ukazuj\u00fa, \u017ee f\u00e1zov\u00e9 zlo\u017eenie aj mikro\u0161trukt\u00fara v\u00fdznamne ovplyv\u0148uj\u00fa tepeln\u00fa vodivos\u0165;<\/p>\n
Karbid krem\u00edka sa m\u00f4\u017ee pochv\u00e1li\u0165 vysokou tepelnou vodivos\u0165ou v\u010faka svojej kry\u0161t\u00e1lovej mrie\u017ekovej \u0161trukt\u00fare zlo\u017eenej z v\u00e4zieb medzi at\u00f3mami uhl\u00edka a krem\u00edka, \u010do sp\u00f4sobuje n\u00edzku tepeln\u00fa roz\u0165a\u017enos\u0165 a mechanick\u00fa pevnos\u0165 - dve vlastnosti, ktor\u00e9 z tohto materi\u00e1lu robia vynikaj\u00facu kon\u0161truk\u010dn\u00fa keramiku na priemyseln\u00e9 pou\u017eitie.<\/p>\n
SiC sa \u0161iroko vyu\u017e\u00edva ako materi\u00e1l pl\u00e1\u0161\u0165a v jadrov\u00fdch reaktoroch v\u010faka svojej odolnosti vo\u010di \u017eiareniu, tepelnej vodivosti a lomovej h\u00fa\u017eevnatosti - vlastnosti, ktor\u00e9 boli overen\u00e9 experimentmi a simul\u00e1ciami.<\/p>\n
Ned\u00e1vno bolo ozn\u00e1men\u00e9, \u017ee tepeln\u00e1 vodivos\u0165 polykry\u0161talickej SiC keramiky spekanej v kvapalnej f\u00e1ze (LPS) s pr\u00edsadami Y2O3-Sc2O3 pri izbovej teplote dosiahla 261,5 W\/m-K. Predpoklad\u00e1 sa, \u017ee t\u00fato hodnotu ovplyv\u0148uje mno\u017estvo faktorov, ako napr\u00edklad obsah kysl\u00edka\/dus\u00edka v mrie\u017eke, p\u00f3rovitos\u0165, rozlo\u017eenie ve\u013ekosti z\u0155n, \u0161trukt\u00fary na hraniciach z\u0155n a f\u00e1zov\u00e1 transform\u00e1cia spolu so zlo\u017een\u00edm a zlo\u017een\u00edm pr\u00edsad. Tento \u010dl\u00e1nok hodnot\u00ed ich vplyv na tepeln\u00fa vodivos\u0165 LPS-SiC a z\u00e1rove\u0148 odha\u013euje pr\u00edpadn\u00e9 skryt\u00e9 s\u00favislosti medzi r\u00f4znymi faktormi.<\/p>\n
Karbid krem\u00edka je ide\u00e1lna keramika pre vysokoteplotn\u00e9 aplik\u00e1cie, ktor\u00e1 pon\u00faka \u010distotu, tuhos\u0165, odolnos\u0165 vo\u010di chemik\u00e1li\u00e1m a oxid\u00e1cii, n\u00edzku tepeln\u00fa roz\u0165a\u017enos\u0165 a odolnos\u0165 vo\u010di tepeln\u00fdm \u0161okom - vlastnosti, ktor\u00e9 ju robia vhodnou na priemyseln\u00e9 pou\u017eitie. Karbid krem\u00edka m\u00e1 mnoho aplik\u00e1ci\u00ed vr\u00e1tane vykladac\u00edch blokov a teh\u00e1l vysok\u00fdch pec\u00ed; vodiacich ko\u013eajn\u00edc; absorb\u00e9rov v\u013an pre \u010dastice jadrov\u00e9ho paliva; ochrann\u00fdch povlakov na metalurgick\u00fdch zariadeniach a ochrann\u00fdch povlakov pou\u017e\u00edvan\u00fdch ako ochrann\u00e9 povlaky proti opotrebovaniu.<\/p>\n
Vysoko v\u00fdkonn\u00e1 elektronika a optoelektronika si vy\u017eaduj\u00fa \u00fa\u010dinn\u00fd odvod tepla, aby fungovali \u010do najlep\u0161ie. Nane\u0161\u0165astie, lokalizovan\u00e1 tvorba tepla zhor\u0161uje v\u00fdkon t\u00fdm, \u017ee zvy\u0161uje teplotu zariadenia.<\/p>\n
V\u00fdskumn\u00edci ned\u00e1vno urobili prekvapiv\u00fd objav, \u017ee vo\u013ene stojace kry\u0161t\u00e1ly 3C-SiC m\u00f4\u017eu pri izbovej teplote dosiahnu\u0165 izotropn\u00fa tepeln\u00fa vodivos\u0165 rovnaj\u00facu sa ich teoretick\u00fdm hodnot\u00e1m, \u010diasto\u010dne v\u010faka r\u00f4znym faktorom vr\u00e1tane \u00farovne kysl\u00edka\/dus\u00edka v mrie\u017eke, \u00farovne p\u00f3rovitosti, f\u00e1zov\u00fdch transform\u00e1ci\u00ed, zmien \u0161trukt\u00fary na hraniciach z\u0155n a zlo\u017eenia pr\u00edsad, ktor\u00e9 ovplyv\u0148uj\u00fa hodnotu tepelnej vodivosti. Ich pr\u00e1ca by mohla pom\u00f4c\u0165 pri navrhovan\u00ed ka\u017edodenn\u00fdch elektronick\u00fdch zariaden\u00ed vyu\u017e\u00edvaj\u00facich tieto polovodi\u010de.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Karbid krem\u00edka je v\u00fdnimo\u010dne tvrd\u00e1, kry\u0161talick\u00e1 keramika s vynikaj\u00facou pevnos\u0165ou a tepelnou vodivos\u0165ou, schopn\u00e1 odol\u00e1va\u0165 vysok\u00fdm teplot\u00e1m bez tepelnej roz\u0165a\u017enosti a chemickej stability. Ned\u00e1vno sme uviedli rekordne vysok\u00e9 hodnoty izotropnej fonickej kry\u0161t\u00e1lovej tepelnej vodivosti (k) pri izbovej teplote v objemov\u00fdch kry\u0161t\u00e1loch 3C-SiC v meradle do\u0161ti\u010diek pri teplot\u00e1ch vy\u0161\u0161\u00edch ako izbov\u00e1 teplota; na\u0161a hodnota bola o viac ako 50% vy\u0161\u0161ia ...<\/p>\n