Węglik krzemu (SiC) to niezwykle trwała ceramika nietlenkowa o wyjątkowych właściwościach termicznych, mechanicznych i elektrycznych. Chociaż SiC nie występuje naturalnie w przyrodzie, z wyjątkiem niezwykle rzadkiego minerału moissanitu, masowa produkcja rozpoczęła się w 1891 roku przez wynalazcę z Pensylwanii Edwarda G. Achesona. Twardy jak stal z oceną 9 w skali Mohsa i ...

Właściwości materiału z węglika krzemu Czytaj więcej “

Materiały ścierne z węglika krzemu to twarde, ostre materiały ścierne, które skutecznie sprawdzają się w obróbce metalu, kamienia i drewna. Popularne zastosowania obejmują zgrubne usuwanie materiału i operacje szlifowania zgrubnego. Wysokiej jakości czarne taśmy szlifierskie POWERTEC z węglika krzemu posiadają zamkniętą powłokę dla optymalnego pokrycia ziarna, co czyni je doskonałym wyborem do stosowania na twardszych materiałach. Mikropęknięcia występują ...

Taśmy szlifierskie z węglika krzemu Czytaj więcej “

Silicon Carbide (SiC), commonly referred to as carborundum, is an extremely hard and durable ceramic material with low thermal expansion rates and great acid/lye resistance. Asbestos occurs as yellow to green to bluish black iridescent crystals that, when inhaled, may produce sustained nodular fibrosing alveolitis similar to that caused by crocidolite asbestos. Density Silicon carbide …

Density of Silicon Carbide Czytaj więcej “

Silicon carbide (SiC) is an extremely hard synthetic crystalline compound of silicon and carbon that has been produced commercially since the late 19th century as an industrial abrasive and now finds widespread application as a high-performance ceramic application material. Moissanite can be found naturally in very limited quantities as a mineral and can be mined …

Silicon Carbide Compound Czytaj więcej “

Silicon Carbide (SiC) is a solid industrial mineral crystal with ceramic and semiconductor properties. It can be colored using various impurities like nitrogen and aluminium. Silicon carbide is an ideal material for high-resolution astronomical telescope mirrors. Furthermore, silicon carbide is also utilized in power diodes, power transistors, and high-power microwave devices. High-voltage applications Silicon carbide …

Silicon Carbide Substrates for Power Electronics Czytaj więcej “

Silicon carbide (formerly Carborundum) has become increasingly important for use in power electronics applications, particularly with Schottky barrier diodes. SiC Schottky diodes consist of a metal-semiconductor junction where only electrons flow, rather than holes as in traditional PN junction diodes. These devices feature rapid recovery times that enable smaller magnetic and passive components to be …

Advantages of Using a Silicon Carbide Diode in Power Electronics Czytaj więcej “

Silicon Carbide (SiC) power modules offer revolutionary new solutions for power applications, offering greater system efficiency in terms of system size, weight and form factor. Their higher operating temperatures, faster switching frequencies and smaller magnetics reduce system costs significantly. Vincotech addresses this challenge with advanced die-attach technology to mitigate SiC’s mechanical properties that decrease its …

Silicon Carbide Power Modules Czytaj więcej “

Tarcze szlifierskie z węglika krzemu zapewniają doskonałe wykończenie projektów obróbki drewna dzięki trwałym, ale skutecznym właściwościom ściernym, przy minimalnej degradacji ziarna w czasie w porównaniu z papierami ściernymi z tlenku glinu. Wybór materiału ściernego do danego zadania zależy od jego wymagań i właściwości materiału, które obejmują stosunek ceny do wydajności, wszechstronność i agresywną siłę cięcia - cechy papieru ściernego z węglika krzemu ...

Tarcze szlifierskie z węglika krzemu Czytaj więcej “

Silicon carbide, more commonly referred to as carborundum, offers superior heat resistance and maintains high mechanical strength at temperatures reaching 1400degC. Furthermore, its extreme hardness, fatigue resistance and chemical stability in aggressive environments are hallmarks of excellence for any material. SiC was first synthesized artificially in 1891 by Edward Acheson when he discovered small black …

Czy węglik krzemu jest materiałem ceramicznym? Czytaj więcej “

Coherent has announced that Japan-based DENSO and Mitsubishi Electric will jointly invest $1 billion into its SiC substrate business, creating a subsidiary offering 150 mm and 200 mm SiC substrates as well as epitaxial wafers. SiC is an attractive material for power semiconductors as it can reduce power loss while operating at higher temperatures than …

Coherent Closes $1 Billion Investment in Silicon Carbide Substrates Czytaj więcej “