Siliciumcarbide (SiC) is een extreem duurzame niet-oxide keramiek met uitstekende thermische, mechanische en elektrische eigenschappen. Hoewel SiC van nature niet voorkomt in de natuur, behalve als het uiterst zeldzame mineraal moissaniet, begon de massaproductie in 1891 door de Pennsylvania uitvinder Edward G. Acheson. Het is zo hard als staal met een Mohs schaal van 9 en zit net ...

Siliciumcarbide materiaaleigenschappen Lees meer »

Siliciumcarbide schuurmiddelen zijn harde, scherpe schuurmiddelen die effectief werken op metaal, steen en houtfinish. Populaire toepassingen zijn het verwijderen van grove materialen en ruwe schuurbewerkingen. POWERTEC's premium zwarte siliciumcarbide schuurbanden hebben een gesloten laag voor een optimale korreldekking, waardoor ze een uitstekende keuze zijn voor gebruik op hardere materialen. Microfracturen ontstaan ...

Siliciumcarbide schuurbanden Lees meer »

Siliciumcarbide (SiC), ook wel carborundum genoemd, is een extreem hard en duurzaam keramisch materiaal met een lage thermische uitzetting en een grote weerstand tegen zuren en logen. Asbest komt voor als geelgroene tot blauwzwarte iriserende kristallen die bij inademing een aanhoudende nodulaire fibroserende alveolitis kunnen veroorzaken die lijkt op de alveolitis die veroorzaakt wordt door crocidolietasbest. Dichtheid Siliciumcarbide ...

Dichtheid van siliciumcarbide Lees meer »

Siliciumcarbide (SiC) is een extreem harde synthetische kristallijne verbinding van silicium en koolstof die sinds het einde van de 19e eeuw commercieel wordt geproduceerd als industrieel schuurmiddel en nu op grote schaal wordt toegepast als hoogwaardig keramisch toepassingsmateriaal. Moissaniet komt van nature in zeer beperkte hoeveelheden voor als mineraal en kan worden gedolven ...

Siliciumcarbidesamenstelling Lees meer »

Siliciumcarbide (SiC) is een vast industrieel mineraal kristal met keramische en halfgeleidende eigenschappen. Het kan worden gekleurd met verschillende onzuiverheden zoals stikstof en aluminium. Siliciumcarbide is een ideaal materiaal voor astronomische telescoopspiegels met een hoge resolutie. Bovendien wordt siliciumcarbide ook gebruikt in vermogensdiodes, vermogenstransistors en microgolfapparaten met een hoog vermogen. Hoogspanningstoepassingen Siliciumcarbide ...

Siliciumcarbidesubstraten voor vermogenselektronica Lees meer »

Siliciumcarbide (voorheen carborundum) is steeds belangrijker geworden voor gebruik in vermogenselektronicatoepassingen, met name bij Schottky-barrièrediodes. SiC Schottky diodes bestaan uit een metaal-halfgeleider junctie waar alleen elektronen stromen, in plaats van gaten zoals in traditionele PN junctie diodes. Deze apparaten hebben een snelle hersteltijd waardoor kleinere magnetische en passieve componenten ...

Voordelen van het gebruik van een Siliciumcarbide diode in vermogenselektronica Lees meer »

Siliciumcarbide (SiC) vermogensmodules bieden revolutionaire nieuwe oplossingen voor vermogenstoepassingen, die een grotere systeemefficiëntie bieden in termen van systeemgrootte, gewicht en vormfactor. Hun hogere bedrijfstemperaturen, snellere schakelfrequenties en kleinere magneten verlagen de systeemkosten aanzienlijk. Vincotech pakt deze uitdaging aan met geavanceerde die-attach technologie om de mechanische eigenschappen van SiC, die de ...

Siliciumcarbide voedingsmodules Lees meer »

Siliciumcarbide schuurschijven bieden fijne afwerkingen op houtbewerkingsprojecten dankzij hun duurzame maar effectieve schuureigenschappen, met minimale korrelafbraak na verloop van tijd in vergelijking met aluminiumoxide schuurpapier. Het selecteren van een schuurmiddel voor uw taak hangt af van de eisen en materiaaleigenschappen, waaronder prijs-efficiÃ"ntie, veelzijdigheid en agressieve zaagkracht - kwaliteiten siliciumcarbide schuurpapier ...

Siliciumcarbide schuurschijven Lees meer »

Siliciumcarbide, beter bekend als carborundum, biedt een superieure hittebestendigheid en behoudt een hoge mechanische sterkte bij temperaturen tot 1400°C. Bovendien zijn extreme hardheid, weerstand tegen vermoeiing en chemische stabiliteit in agressieve omgevingen kenmerken van uitmuntendheid voor elk materiaal. SiC werd voor het eerst kunstmatig gesynthetiseerd in 1891 door Edward Acheson toen hij kleine zwarte ...

Is siliciumcarbide een keramiek? Lees meer »

Coherent heeft aangekondigd dat het Japanse DENSO en Mitsubishi Electric samen $1 miljard zullen investeren in haar SiC substraat business, waarbij een dochteronderneming wordt opgericht die 150 mm en 200 mm SiC substraten en epitaxiale wafers zal aanbieden. SiC is een aantrekkelijk materiaal voor vermogenshalfgeleiders omdat het vermogensverlies kan verminderen terwijl het werkt bij hogere temperaturen dan ...

Coherent sluit $1 miljard investering in siliciumcarbidesubstraten af Lees meer »