Forfatternavn:admin88

Silicon Carbide (SiC) granules are strong and resilient materials ideal for use in abrasive applications. Furthermore, their inert nature makes them suitable for electronics that operate at higher temperatures and frequencies. SiC is currently produced through an Acheson process that involves reacting quartz sand and petroleum coke in massive open-air furnaces. Cost Humans have exploited …

Reduce Costs and Help the Environment With Silicon Carbide Recycling Les mer “

Silisiumkarbid er et enestående halvledermateriale med bredt båndgap og høy elektronmobilitet, i tillegg til lav termisk ekspansjon og hardhet - ideelle egenskaper for speilmaterialer i astronomiske teleskoper. Figur 5(a) viser Fresnel-normaliserte XRR-mønstre av SiC/Si-filmer av ulik tykkelse med Fresnel-normalisering. Sirklene representerer eksperimentelle data, mens ...

Silisiumkarbid - et speilmateriale for astronomiske teleskoper Les mer “

I motsetning til sine krystallinske motstykker, som har et ordnet arrangement av atomer, er gitterstrukturen i a-SiC tilfeldig organisert, men denne tilfeldigheten gir dette materialet en bemerkelsesverdig styrke. Forskere ved Delft University of Technology har nylig avdekket de mekaniske egenskapene til et nytt, innovativt materiale med enestående presisjon, noe som åpner opp for mulige fremtidige bruksområder for dette utrolig sterke ...

Amorft silisiumkarbid Les mer “

Silisiumkarbid (SiC) er en inert kjemisk forbindelse med egenskaper som ligner på halvledere. Ved å tilsette nøye utvalgte urenheter kan SiC lettere omdannes til å oppføre seg som en halvleder enn tradisjonelt silisium. SiCs brede båndgap gjør det mulig å flytte elektrisk energi mer effektivt enn silisium. SiC-transistorer gir betydelige fordeler i forhold til IGBT-er og ...

Silisiumkarbid-transistor Les mer “

Silisiumkarbid er en overlegen halvleder med bredt båndgap og enestående fysiske og kjemiske egenskaper, blant annet gule til grønnblå til blåsorte krystaller med irisering. Målinger av brytningsindeksen på epitaksialt dyrket kubisk SiC er nøye utført ved hjelp av spektroskopisk ellipsometri med variabel vinkel, og viser at både den ordinære og den ekstraordinære brytningsindeksen øker med temperaturen. Brytningsindeksen Indeksen for ...

Silisiumkarbid brytningsindeks Les mer “

Svart silisiumkarbid (også kalt karborundum) er en ekstremt hard syntetisk krystallinsk forbindelse av silisium og karbon, som brukes som et viktig materiale i sandpapir, slipeskiver og skjæreverktøy samt til ildfaste foringer og elektriske varmeelementer i industriovner. Svart silisiumkarbid er også mye brukt som slipemiddel og ...

Svart silisiumkarbid Les mer “

Slipesteiner av silisiumkarbid er mer motstandsdyktige enn spisser av aluminiumoksid, og de er utviklet for sliping og etsing av stein, glass, keramikk, porselen og ikke-jernholdige metaller. Disse kegleformede og små slipesteinene av silisiumkarbid er ideelle slipesteiner og slipeverktøy til generelle formål, og brukes vanligvis til å fjerne stilkmerker eller overflødig glasur på glassoverflater ...

Dremel slipestein av silisiumkarbid Les mer “

Silisiumkarbid (SiC) er et viktig industrielt materiale. Med en hardhet som kan sammenlignes med diamant, brukes SiC blant annet i slipemidler, ildfaste materialer og keramikk takket være sine sterke egenskaper. SiCs kjemiske formel finner du her. Når vi arbeider med kjemiske reaksjoner, er det avgjørende at vi omregner reaktant- og produktmolekyler til mol for å få nøyaktige ...

Formelen for silisiumkarbid Les mer “

Silisiumkarbid (SiC) er et ekstremt hardt keramisk materiale som er mye brukt som slipemiddel og til produksjon av kraftelektronikkomponenter med høy ytelse. SiCs motstand mot ekstreme temperaturer gjør det dessuten egnet for industrielle miljøer. Når SiC brukes i elektroniske enheter sammen med andre materialer, kan det imidlertid utsettes for mekaniske påkjenninger på grunn av CTE-misforhold ...

Termisk ekspansjonskoeffisient (CTE) for silisiumkarbid Les mer “

United Silicon Carbide, Inc. er en produsent av halvledere som spesialiserer seg på silisiumkarbid- og diodekrafthalvledere for kunder i hele New Jersey. SiC Schottky-dioder og JFET-er gir bransjeskiftende nivåer av strømeffektivitet i viktige markeder som fremmer en grønnere økonomi, som for eksempel lading av elektriske kjøretøy. Deres overlegne koblingsytelse forbedrer ladetiden og ...

United Silicon Carbide Inc. Les mer “