Pasinaudokite neprilygstamu silicio karbido efektyvumu, da\u017enio, temperat\u016bros ir \u012ftampos galimyb\u0117mis su \"ACEPACK DRIVE\" moduliais, sukurtais specialiai tam, kad b\u016bt\u0173 galima i\u0161naudoti ma\u017eo RDS(on) ir ribot\u0173 perjungimo nuostoli\u0173 privalumus ir u\u017etikrinti didesn\u012f galios tank\u012f, ma\u017eesn\u012f plot\u0105 ir ma\u017eesn\u012f au\u0161inimo poreik\u012f HEV\/EV traukos keitikliuose.<\/p>\n
Ta\u010diau SiC mechanin\u0117s savyb\u0117s gali apsunkinti jo galios ciklo galimybes, kai jis yra veikiamas pakartotin\u0117s apkrovos. Tai ypa\u010d akivaizdu lusto ir pagrindo lydmetalio jungtyse, kur pakartotiniai \u012ftempiai ardo med\u017eiag\u0105 ir sutrumpina \u012frenginio tarnavimo laik\u0105.<\/p>\n
\"SEMITOP E1\/E2\" - tai i\u0161baigtas maitinimo modulio sprendimas, sukurtas remiantis pa\u017eangiausiomis lust\u0173 technologijomis, leid\u017eiantis projektuotojams pasiekti optimal\u0173 projektavimo na\u0161umo lyg\u012f. \u0160i moduli\u0173 platforma idealiai tinka ma\u017eos ir vidutin\u0117s galios, iki 70 kW, taikymams, d\u0117l kompakti\u0161kos, ta\u010diau ma\u017eo induktyvumo konstrukcijos ir lust\u0173 technologij\u0173 \u0161i moduli\u0173 platforma idealiai tinka UPS, saul\u0117s energijos (\u012fskaitant iki 1500 VDC magistral\u0119 string inverteri\u0173 sprendimams), varikli\u0173 pavaroms ir (arba) maitinimo \u0161altiniams, taip pat naujoms elektromobili\u0173 akumuliatori\u0173 \u012fkrovikli\u0173 rinkoms.<\/p>\n
GaN HEMT technologija yra \u012fsp\u016bdinga alternatyva \u012fprastesn\u0117ms technologijoms efektyvumo ir patikimumo po\u017ei\u016briu, pasi\u017eyminti gerokai geresniu energijos konversijos efektyvumu, geresniu EMI slopinimu, didesniu perjungimo da\u017eniu, ma\u017eesne histereze ir ma\u017eesniais perjungimo nuostoliais, kurie padidina galios tank\u012f.<\/p>\n
\"SEMITOP E1\" ir \"E2\" 7 kartos IGBT maitinimo moduliai buvo pirmieji IGBT, specialiai sukurti \u012fprastoms pavaros topologijoms, tokioms kaip CIB, \"sixpack\" ir pus\u0117s tilto pavaros. D\u0117l kompakti\u0161ko dyd\u017eio, lanks\u010dios architekt\u016bros ir visi\u0161ko suderinamumo su standartiniais pramoniniais paketais \u0161ie moduliai pasi\u017eymi ypatinga verte kainos ir na\u0161umo at\u017evilgiu. J\u0173 platform\u0105 sudaro 12 mm auk\u0161\u010dio moduliai be bazin\u0117s plok\u0161t\u0117s, turintys du \u0161oninius montavimo var\u017etus, kartu su nelituojam\u0173 kontakt\u0173 tinklelio filosofija, kad b\u016bt\u0173 lengviau prijungti prie PCB; be to, j\u0173 GaN HEMT galios jungiklis kartu su didelio na\u0161umo IGBT u\u017etikrina tiekimo grandin\u0117s saugum\u0105, kai reikia didelio na\u0161umo u\u017e konkurencing\u0105 kain\u0105.<\/p>\n
SiC puslaidininkiai pasi\u017eymi tris kartus didesniu \u0161ilumos laidumu nei silicis, tod\u0117l u\u017etikrina daug ma\u017eesnius perjungimo nuostolius ir didesn\u012f galios tank\u012f, ma\u017eesnius korpusus ir v\u0117sesnius galios keitiklius, skirtus tylesn\u0117ms, energij\u0105 taupan\u010dioms pramonin\u0117ms varikli\u0173 pavaroms, medicinos \u012frangai, aviacijos ir kosmoso sistemoms bei traukos pavar\u0173 sistemoms.<\/p>\n
HM platformoje yra platus 62 mm ilgio moduli\u0173, tinkam\u0173 sunkiai perjungiamoms topologijoms, tokioms kaip LLC ir ZVS, pasirinkimas, su pa\u017eangiaisiais u\u017etvar\u0173 valdikliais, pagr\u012fstais CISSOID HADES2 mikroschem\u0173 rinkiniu, kad b\u016bt\u0173 galima visapusi\u0161kai i\u0161naudoti SiC technologijos ma\u017eus perjungimo nuostolius ir veikim\u0105 auk\u0161toje temperat\u016broje iki 175 laipsni\u0173 Celsijaus.<\/p>\n
ROHM si\u016blo didelio na\u0161umo SiC maitinimo sprendimus, kuriuose naudojami pramoniniai standartiniai korpusai su pa\u017eangiomis pakavimo technologijomis, pasi\u017eymin\u010diais ma\u017eu modulio komutacijos induktyvumu, b\u016btinu auk\u0161tesniems perjungimo da\u017eniams, ir ma\u017eesniu magnetini\u0173 filtr\u0173 komponent\u0173 kiekiu, tod\u0117l u\u017etikrinama efektyvi energijos konversija ir ma\u017eesn\u0117s bendros sistemos s\u0105naudos.<\/p>\n
HM serijos moduliai pasi\u017eymi auk\u0161tu RDS(on) temperat\u016bros koeficientu, kad b\u016bt\u0173 suma\u017einti galios nuostoliai, tod\u0117l jie tinkami naudoti taikant didelio patikimumo reikalaujan\u010dius \u012frenginius, pavyzd\u017eiui, automobili\u0173 ir pramon\u0117s inverterius. D\u0117l savo ilgaam\u017ei\u0161kumo jie taip pat puikiai tinka naudoti hibridin\u0117se transporto priemon\u0117se, nes gali atlaikyti didesn\u0119 srov\u0119 nei silicio pagrindo \u012ftaisai, o veikdami auk\u0161tesn\u0117je temperat\u016broje suma\u017eina bendr\u0105 inverteri\u0173 dyd\u012f ir svor\u012f.<\/p>\n
ST \"ACEPACK DRIVE\" maitinimo moduliuose naudojami pa\u017eangiausi antros ir tre\u010dios kartos \"SiC Power MOSFET\" kompakti\u0161ki \"sixpack\" topologijos moduliai, specialiai sukurti didelio efektyvumo elektrini\u0173 transporto priemoni\u0173 traukos keitikliams. Naudojant tiesiogiai suri\u0161to vario (DBC) pakuot\u0119, pagamint\u0105 i\u0161 aliuminio nitrido, u\u017etikrinamas didesnis \u0161ilumos laidumas. Simetri\u0161kas auk\u0161tosios ir \u017eemosios pus\u0117s jungikli\u0173 i\u0161vad\u0173 i\u0161d\u0117stymas pa\u0161alina surinkimo klaidas, o poka-yoke sistema su X ir Y kai\u0161\u010diais u\u017etikrina tinkam\u0105 suderinim\u0105 su varan\u010diosiomis plok\u0161t\u0117mis.<\/p>\n
Tre\u010diosios kartos STPOWER SiC galios MOSFET moduliuose \"ACEPACK DRIVE\" pasiekiami geriausi pramon\u0117je rodikliai, pagr\u012fsti RDS(on), tenkan\u010diu vienam plok\u0161t\u0117s plotui, ir ribotais perjungimo nuostoliais. Be to, jie pasi\u017eymi geriausiomis eksploatacin\u0117mis savyb\u0117mis, kai veikia sinchroninio rektifikavimo re\u017eimu, padedan\u010diu suma\u017einti \u012fkrovimo ciklus ir padidinti elektromobili\u0173 rid\u0105.<\/p>\n
\u0160iuose moduliuose naudojama sukepinimo technologija, tod\u0117l jie yra patikima pakuot\u0117, kuri\u0105 gamintojams lengva integruoti \u012f elektrini\u0173 transporto priemoni\u0173 pavaras. Galimi \u012fvairi\u0173 galingum\u0173 moduliai, kad atitikt\u0173 keitikli\u0173 darbin\u0117s \u012ftampos poreikius. 1200 V ADP280120W3, ADP360120W3 ir ADP480120W3 akumuliatoriai \u0161iuo metu yra visi\u0161kai pagaminti, o 750 V versijos (ADP46075W3 ir ADP61075W3) tur\u0117t\u0173 pasirodyti iki 2023 m. kovo m\u0117n. \u0160ie moduliai - tai paprastas \"plug-and-play\" sprendimas elektromobili\u0173 traukos inverteriams, suderinamas su tiesioginiu au\u0161inimu skys\u010diu, su kai\u0161\u010di\u0173 briaun\u0173 masyvais, u\u017etikrinan\u010diais efektyv\u0173 \u0161ilumos i\u0161sklaidym\u0105. J\u0173 \u0161iluminei elgsenai modeliuoti buvo sukurtas 3D nuo laiko priklausomas \u0161iluminis baigtini\u0173 element\u0173 modelis (BEM), kuris buvo patikrintas pagal eksperimentinius duomenis, atsi\u017evelgiant \u012f nuo temperat\u016bros priklausant\u012f litavimo sluoksni\u0173 \u0161ilumin\u012f laidum\u0105, ir patvirtintas kaip tikslus.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Take advantage of silicon carbide’s unparalleled efficiency, frequency, temperature and voltage capabilities with ACEPACK DRIVE modules designed specifically to take advantage of low RDS(on) and limited switching losses to provide higher power density, smaller footprint and reduced cooling needs in HEV\/EV traction inverters. However, SiC’s mechanical properties can impede its power cycling capabilities when exposed …<\/p>\n