A szil\u00edcium-karbid egyre n\u00e9pszer\u0171bb anyagv\u00e1laszt\u00e1ss\u00e1 v\u00e1lt a teljes\u00edtm\u00e9ny f\u00e9lvezet\u0151 alkalmaz\u00e1sokban, mivel k\u00e9pes a nagyobb fesz\u00fclts\u00e9gig\u00e9nyt kezelni. A Bosch nemr\u00e9giben 1,5 milli\u00e1rd doll\u00e1rt fektetett be a kaliforniai Roseville-ben tal\u00e1lhat\u00f3 l\u00e9tes\u00edtm\u00e9nyeinek korszer\u0171s\u00edt\u00e9s\u00e9re \u00e9s a SiC chipek 200 mm-es osty\u00e1kon t\u00f6rt\u00e9n\u0151 gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1nak megkezd\u00e9s\u00e9re.<\/p>\n
M\u00e1s nagy chipgy\u00e1rt\u00f3k, mint az Infineon Technologies \u00e9s az Onsemi, szint\u00e9n b\u0151v\u00edtik gy\u00e1rt\u00e1si kapacit\u00e1saikat, hogy teljes m\u00e9rt\u00e9kben kihaszn\u00e1lj\u00e1k a sz\u00e9les s\u00e1vsz\u00e9less\u00e9g\u0171 technol\u00f3gi\u00e1ban rejl\u0151 k\u00f6lts\u00e9gcs\u00f6kkent\u0151 \u00e9s hat\u00e9konys\u00e1gn\u00f6vel\u0151 lehet\u0151s\u00e9geket.<\/p>\n
A Wolfspeed a szil\u00edcium-karbid f\u00e9lvezet\u0151 technol\u00f3gia \u00fatt\u00f6r\u0151jek\u00e9nt \u00e1ll, \u00e9s a hagyom\u00e1nyos szil\u00edcium chipekr\u0151l val\u00f3 \u00e1tt\u00e9r\u00e9s egyik vezet\u0151je a k\u00fcl\u00f6nb\u00f6z\u0151 kulcsfontoss\u00e1g\u00fa piacokon. A v\u00e1llalat, amely az els\u0151k k\u00f6z\u00f6tt szerzett el\u0151ny\u00e9vel \u00e9s kiterjedt szabadalmi portf\u00f3li\u00f3j\u00e1val b\u00fcszk\u00e9lkedhet, m\u00e1r most is jelent\u0151s \u00fcgyfelekkel b\u00fcszk\u00e9lkedhet, mik\u00f6zben \u00faj \u00fczemeket \u00e9p\u00edt a n\u00f6vekv\u0151 kereslet kiel\u00e9g\u00edt\u00e9s\u00e9re; tov\u00e1bb\u00e1 a Wolfspeed jelent\u0151s szerz\u0151d\u00e9seket k\u00f6t\u00f6tt az OEM-gy\u00e1rt\u00f3kkal, amelyek gyors terjeszked\u00e9s\u00e9t t\u00e1pl\u00e1lj\u00e1k.<\/p>\n
A Wolfspeed innovat\u00edv elj\u00e1r\u00e1st fejlesztett ki a szil\u00edcium-karbid krist\u00e1lyok osty\u00e1kk\u00e1 t\u00f6rt\u00e9n\u0151 kinyer\u00e9s\u00e9re, amelyeket azt\u00e1n chipekk\u00e9 dolgoznak fel, \u00edgy ezek hat\u00e9konyabbak a hagyom\u00e1nyos szil\u00edcium chipekn\u00e9l, \u00e9s magasabb fesz\u00fclts\u00e9gen k\u00e9pesek m\u0171k\u00f6dni, ami az elektromos aut\u00f3kban cs\u00f6kkentett elektromos vesztes\u00e9geket \u00e9s hosszabb akkumul\u00e1tor-\u00e9lettartamot eredm\u00e9nyez. Ezenfel\u00fcl a nagyobb teljes\u00edtm\u00e9ny\u00fck v\u00e9konyabb vezet\u00e9kez\u00e9st \u00e9s kisebb alkatr\u00e9szeket tesz lehet\u0151v\u00e9, ami tov\u00e1bb cs\u00f6kkenti a gy\u00e1rt\u00e1si k\u00f6lts\u00e9geket \u00e9s a s\u00falyt.<\/p>\n
A Wolfspeed jelent\u0151s l\u00e9p\u00e9seket tett egy hossz\u00fa t\u00e1v\u00fa sz\u00e1ll\u00edt\u00e1si meg\u00e1llapod\u00e1s al\u00e1\u00edr\u00e1sa fel\u00e9 is az egyik legnagyobb aut\u00f3ipari besz\u00e1ll\u00edt\u00f3val, ami t\u00e1mogatja a Renesasszal \u00e9s az Infineonnal nemr\u00e9giben al\u00e1\u00edrt meg\u00e1llapod\u00e1sokat, mik\u00f6zben jelent\u0151s el\u0151rel\u00e9p\u00e9st tesz hossz\u00fa t\u00e1v\u00fa n\u00f6veked\u00e9si strat\u00e9gi\u00e1ja fel\u00e9. A szil\u00edciumkarbid chipek ir\u00e1nti n\u00f6vekv\u0151 kereslet kiel\u00e9g\u00edt\u00e9se \u00e9rdek\u00e9ben a Wolfspeed b\u0151v\u00edti l\u00e9tes\u00edtm\u00e9nyeit; t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt egy t\u00f6bb milli\u00e1rd doll\u00e1ros anyaggy\u00e1rat \u00e9p\u00edt az \u00e9szak-karolinai Durhamban tal\u00e1lhat\u00f3 sz\u00e9khely\u00e9n, amely t\u00edzszeres\u00e9re n\u00f6veli a termel\u00e9si kapacit\u00e1st, \u00e9s a f\u00e9lvezet\u0151gy\u00e1rt\u00e1sban jelenleg haszn\u00e1lt 150 mm-es (8 h\u00fcvelykes) osty\u00e1kn\u00e1l nagyobb m\u00e9ret\u0171eket gy\u00e1rt.<\/p>\n
Ez a beruh\u00e1z\u00e1s jav\u00edtja a hozamokat \u00e9s cs\u00f6kkenti a k\u00f6lts\u00e9geket, n\u00f6velve a nyeres\u00e9gess\u00e9get. Emellett versenyk\u00e9pes juttat\u00e1si csomagokat, p\u00e9ld\u00e1ul eg\u00e9szs\u00e9g\u00fcgyi \u00e9s nyugd\u00edjbiztos\u00edt\u00e1st k\u00edn\u00e1lnak alkalmazottaiknak.<\/p>\n
A Wolfspeed a befektet\u00e9seknek k\u00f6sz\u00f6nhet\u0151en jelent\u0151sen n\u00f6velte piaci r\u00e9szesed\u00e9s\u00e9t a t\u00e1pegys\u00e9g-ipar\u00e1gon bel\u00fcl, t\u00f6bb befektet\u00e9st vonzott, \u00e9s a bev\u00e9telek n\u00f6veked\u00e9se gyorsabb volt, mint az ipar\u00e1gban. V\u00e1rakoz\u00e1saik szerint v\u00e1llalatuk az elk\u00f6vetkez\u0151 \u00e9vekben gyors terjeszked\u00e9st fog tapasztalni, \u00e9s jelent\u0151s nyeres\u00e9get fog termelni; ez a beruh\u00e1z\u00e1s azonban hatalmas mennyis\u00e9g\u0171 t\u0151k\u00e9t ig\u00e9nyel, ami kezdetben negat\u00edv szabad cash flow-t eredm\u00e9nyezhet, de a l\u00e9tes\u00edtm\u00e9ny\u00fck ki\u00e9p\u00edt\u00e9s\u00e9vel javulnia kell.<\/p>\n
Az STMicroelectronics egy nemzetk\u00f6zi f\u00e9lvezet\u0151gy\u00e1rt\u00f3 v\u00e1llalat, amely term\u00e9kek sz\u00e9les sk\u00e1l\u00e1j\u00e1t tervezi \u00e9s gy\u00e1rtja. A t\u00f6bb mint 60 \u00e9ves gy\u00f6kerekkel rendelkez\u0151 v\u00e1llalat er\u0151s jelenl\u00e9ttel b\u00fcszk\u00e9lkedhet mind az iparban, mind a fogyaszt\u00f3i elektronikai ipar\u00e1gakban; a v\u00e1llalat az egyik f\u0151 besz\u00e1ll\u00edt\u00f3juk. Az STMicroelectronics vil\u00e1gszerte \u00fczemeket m\u0171k\u00f6dtet - Catani\u00e1ban Olaszorsz\u00e1gban, Muar Malajzi\u00e1ban, Shenzhenben, K\u00edn\u00e1ban, Szingap\u00farban -, valamint a New York-i \u00e9s a p\u00e1rizsi t\u0151zsd\u00e9n is jegyzik, \u00edgy k\u00f6nnyen el\u00e9rhet\u0151v\u00e9 teszi a glob\u00e1lis piacot.<\/p>\n
Az STMicroelectronics 2004-ben mutatta be els\u0151 szil\u00edcium-karbid eszk\u00f6zeit, miut\u00e1n kiterjedt kutat\u00e1si \u00e9s fejleszt\u00e9si er\u0151fesz\u00edt\u00e9seket tett, \u00e9s az\u00f3ta ki\u00e9p\u00edtette a k\u00f6z\u00e9p- \u00e9s nagyfesz\u00fclts\u00e9g\u0171 SiC di\u00f3d\u00e1k, MOSFET-ek \u00e9s m\u00e1s teljes\u00edtm\u00e9ny f\u00e9lvezet\u0151k portf\u00f3li\u00f3j\u00e1t. Az STM emellett egyedi, SiC-alap\u00fa, egyedi alkalmaz\u00e1sokhoz tervezett teljes\u00edtm\u00e9nykezel\u00e9si megold\u00e1sokat k\u00edn\u00e1l.<\/p>\n
A STPOWER SiC-term\u00e9kek jelenlegi gy\u00e1rt\u00e1sa Catani\u00e1ban \u00e9s Ang Mo Kio-ban k\u00e9t 150 mm-es ostyasorb\u00f3l \u00e1ll; a v\u00e9gterm\u00e9kek \u00f6sszeszerel\u00e9se \u00e9s tesztel\u00e9se a sencseni, illetve a bouskourai back-end telephelyeken t\u00f6rt\u00e9nik. A tervek szerint a j\u00f6v\u0151ben a 200 mm-es gy\u00e1rt\u00e1si kapacit\u00e1s n\u00f6vel\u00e9se mellett 2024-re a bels\u0151 szubsztr\u00e1tbeszerz\u00e9s 40%-re t\u00f6rt\u00e9n\u0151 n\u00f6vel\u00e9s\u00e9t tervezik.<\/p>\n
A SiC-alap\u00fa t\u00e1pegys\u00e9gek sz\u00e1mos egy\u00e9rtelm\u0171 el\u0151nnyel b\u00fcszk\u00e9lkedhetnek a szil\u00edciumeszk\u00f6z\u00f6kkel szemben, bele\u00e9rtve a nagyobb hat\u00e9konys\u00e1got, a gyorsabb kapcsol\u00e1si id\u0151t, az alacsonyabb vesztes\u00e9geket \u00e9s a kisebb h\u0151kezel\u00e9si ig\u00e9nyeket. E tulajdons\u00e1gok miatt a SiC-elemek ide\u00e1lisak sz\u00e1mos energiagazd\u00e1lkod\u00e1si alkalmaz\u00e1shoz - k\u00fcl\u00f6n\u00f6sen az olyan nagy n\u00f6veked\u00e9st mutat\u00f3 piacokon, mint az e-mobilit\u00e1s \u00e9s az ipari folyamatok -, mik\u00f6zben jelent\u0151s m\u00f3dos\u00edt\u00e1sok n\u00e9lk\u00fcl k\u00f6nnyen be\u00e9p\u00edthet\u0151k a megl\u00e9v\u0151 tervekbe, ami gyors \u00e1tfut\u00e1si id\u0151t \u00e9s jelent\u0151s k\u00f6lts\u00e9gmegtakar\u00edt\u00e1st eredm\u00e9nyez.<\/p>\n
Az aut\u00f3ipari felhaszn\u00e1l\u00e1sra sz\u00e1nt szil\u00edcium-karbid alap\u00fa energiaell\u00e1t\u00e1si megold\u00e1sok forradalmas\u00edtj\u00e1k a tervez\u00e9st az\u00e1ltal, hogy kisebb, k\u00f6nnyebb \u00e9s kompaktabb formaterveket hoznak l\u00e9tre, mik\u00f6zben n\u00f6velik az elektromos energia mozg\u00e1sba val\u00f3 \u00e1talak\u00edt\u00e1s\u00e1nak hat\u00e9konys\u00e1g\u00e1t \u00e9s k\u00f6lts\u00e9ghat\u00e9konys\u00e1g\u00e1t. \u00datt\u00f6r\u0151 szerepet j\u00e1tszanak az \u00faj, k\u00f6rnyezetbar\u00e1tabb energiaell\u00e1t\u00e1si technol\u00f3gi\u00e1k kifejleszt\u00e9s\u00e9ben is.<\/p>\n
Az STMicroelectronics sikeresen l\u00e9trehozott egy glob\u00e1lis \u00f6kosziszt\u00e9m\u00e1t a szil\u00edciumkarbid technol\u00f3gia k\u00f6r\u00e9, \u00e9s ez a leg\u00fajabb beruh\u00e1z\u00e1s is ezt az elk\u00f6telezetts\u00e9get t\u00e1masztja al\u00e1. Az \u00fczem fejlett feldolgoz\u00f3eszk\u00f6z\u00f6kkel \u00e9s egy \u00faj ostyasorral fog rendelkezni, \u00edgy az STMicroelectronics a szil\u00edcium-karbid eszk\u00f6z\u00f6k sz\u00e9les v\u00e1laszt\u00e9k\u00e1t k\u00edn\u00e1lhatja \u00fcgyfeleinek.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid (SiC) f\u00e9lvezet\u0151k sz\u00e9les s\u00e1vh\u00e9zaguk, stabil r\u00e1csszerkezet\u00fck \u00e9s a szil\u00edciumtechnol\u00f3gi\u00e1hoz k\u00e9pest kiv\u00e1l\u00f3 h\u0151vezet\u0151 k\u00e9pess\u00e9g\u00fck miatt az elektromos j\u00e1rm\u0171vek (EV) t\u00e1p\u00e1ramk\u00f6reinek n\u00e9lk\u00fcl\u00f6zhetetlen r\u00e9sz\u00e9v\u00e9 v\u00e1ltak. Tov\u00e1bb\u00e1 a szil\u00edciummal ellent\u00e9tben, amely a sug\u00e1rz\u00e1s hat\u00e1s\u00e1ra id\u0151vel romlik, a SiC tov\u00e1bbra is alkalmas az \u0171r- \u00e9s nukle\u00e1ris alkalmaz\u00e1sokhoz, ami tov\u00e1bb n\u00f6veli a SiC chipek ir\u00e1nti keresletet.<\/p>\n
A szil\u00edcium-karbid (SiC) sokoldal\u00fa anyag, amely k\u00e9pes ellen\u00e1llni a magas h\u0151m\u00e9rs\u00e9kleteknek, fesz\u00fclts\u00e9geknek \u00e9s frekvenci\u00e1knak - ezek a tulajdons\u00e1gok teszik alkalmass\u00e1 a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronikai eszk\u00f6z\u00f6k, p\u00e9ld\u00e1ul \u00e1talak\u00edt\u00f3k, inverterek, t\u00e1pegys\u00e9gek \u00e9s akkumul\u00e1tort\u00f6lt\u0151k sz\u00e1m\u00e1ra. A SiC chipek az el\u0151rejelz\u00e9sek szerint 2027-re vil\u00e1gszerte el\u00e9rik az $13,9 milli\u00e1rd eur\u00f3t, a teljes\u00edtm\u00e9nyelektronika pedig a legnagyobb piaci r\u00e9szesed\u00e9ssel rendelkezik, mivel az elektromos j\u00e1rm\u0171vek egyre nagyobb teljes\u00edtm\u00e9ny\u0171 chipeket ig\u00e9nyelnek.<\/p>\n
A Microchip a szil\u00edciumkarbid term\u00e9kek ipar\u00e1gvezet\u0151 sz\u00e1ll\u00edt\u00f3ja. Diszkr\u00e9t \u00e9s modul\u00e1ris term\u00e9keik sz\u00e9les sk\u00e1l\u00e1ja megtal\u00e1lhat\u00f3 az aut\u00f3ipari, ipari, k\u00f6zleked\u00e9si \u00e9s t\u00e1vk\u00f6zl\u00e9si alkalmaz\u00e1sokban - p\u00e9ld\u00e1ul g\u00e9pj\u00e1rm\u0171vekben, ipari g\u00e9pekben \u00e9s t\u00e1vk\u00f6zl\u00e9sben. Az 1996 \u00f3ta vil\u00e1gszerte m\u0171k\u00f6d\u0151, amerikai sz\u00e9khely\u0171 v\u00e1llalat f\u0151 tev\u00e9kenys\u00e9gei k\u00f6z\u00e9 tartozik a hossz\u00fa t\u00e1v\u00fa megb\u00edzhat\u00f3s\u00e1got c\u00e9lz\u00f3, cs\u00f6kkentett k\u00f6lts\u00e9g\u0171 \u00e9s m\u00e9ret\u0171 elektronikus alkatr\u00e9szek tervez\u00e9se, fejleszt\u00e9se \u00e9s gy\u00e1rt\u00e1sa; valamint \u00e1tfog\u00f3 szolg\u00e1ltat\u00e1si \u00e9s t\u00e1mogat\u00e1si portf\u00f3li\u00f3, bele\u00e9rtve a tervez\u00e9si szolg\u00e1ltat\u00e1sokat, k\u00e9pz\u00e9seket \u00e9s technikai seg\u00edts\u00e9gny\u00fajt\u00e1st.<\/p>\n
Egyes chipgy\u00e1rt\u00f3k a COVID-19 vil\u00e1gj\u00e1rv\u00e1ny \u00e9s a lass\u00fa gazdas\u00e1gi n\u00f6veked\u00e9s miatt neh\u00e9zs\u00e9gekkel k\u00fczdenek; m\u00e1sok az elektromos j\u00e1rm\u0171vek elad\u00e1sai r\u00e9v\u00e9n tal\u00e1lnak enyh\u00fcl\u00e9st. Ez a tendencia fokozott beruh\u00e1z\u00e1sokat \u00f6szt\u00f6nz\u00f6tt az \u00faj technol\u00f3gi\u00e1k kifejleszt\u00e9s\u00e9be; ennek eredm\u00e9nyek\u00e9nt a v\u00e1llalatok felk\u00e9sz\u00fclnek a megn\u00f6vekedett teljes\u00edtm\u00e9ny f\u00e9lvezet\u0151 ig\u00e9nyek kiel\u00e9g\u00edt\u00e9s\u00e9re.<\/p>\n
Az ON Semiconductors a SiC f\u00e9lvezet\u0151k egyik vezet\u0151 sz\u00e1ll\u00edt\u00f3ja, \u00e9s t\u00f6bb \u00e9ve folyamatosan er\u0151s bev\u00e9telt \u00e9s nyeres\u00e9get k\u00f6nyvelhet el. A v\u00e1llalat jelent\u0151s beruh\u00e1z\u00e1sokat eszk\u00f6z\u00f6lt egy fejlett gy\u00e1rba a d\u00e9l-koreai Bucheonban, amely \u00e9vente t\u00f6bb mint egymilli\u00f3 200 mm-es osty\u00e1t fog gy\u00e1rtani; emellett vil\u00e1gszerte t\u00f6bb olyan gy\u00e1rat is \u00fczemeltet, amelyek k\u00e9pesek SiC-osty\u00e1kat gy\u00e1rtani. Hassane El-Khoury vez\u00e9rigazgat\u00f3 kijelentette, hogy \u00faj gy\u00e1rak \u00e9p\u00edt\u00e9s\u00e9re ker\u00fclhet sor, ha a kereslet tov\u00e1bb n\u00f6vekszik, de \u00fagy v\u00e9li, hogy a megl\u00e9v\u0151 telephelyekre val\u00f3 \u00f6sszpontos\u00edt\u00e1s a megfelel\u0151 \u00fat a termel\u00e9s hat\u00e9kony n\u00f6vel\u00e9s\u00e9hez.<\/p>\n
A GT Advanced Technologies 1994-ben alakult technol\u00f3giai v\u00e1llalatk\u00e9nt, amely a napenergia, a f\u00e9nykibocs\u00e1t\u00f3 di\u00f3da (LED), az elektronika \u00e9s az optoelektronikai ipar sz\u00e1m\u00e1ra anyagokat \u00e9s krist\u00e1lyn\u00f6veszt\u0151 berendez\u00e9seket gy\u00e1rt. A GT poliszil\u00edcium-feldolgoz\u00f3 rendszereket \u00e9s sz\u00e1lgy\u00e1rt\u00f3 rendszereket; trikl\u00f3rszil\u00e1n-reaktorokat; zaf\u00edrkrist\u00e1ly-n\u00f6veszt\u0151 kemenc\u00e9ket, valamint szil\u00edcium-karbid term\u00e9keket \u00e9s szolg\u00e1ltat\u00e1sokat, p\u00e9ld\u00e1ul ostyak\u00e9sz 150 mm-es \u00e9s 200 mm-es SiC-et gy\u00e1rt; tov\u00e1bb\u00e1 innovat\u00edv technol\u00f3giai megold\u00e1sokat k\u00edn\u00e1l a teljes\u00edtm\u00e9ny-f\u00e9lvezet\u0151 \u00e9s optoelektronikai piacok sz\u00e1m\u00e1ra.<\/p>\n
A GT Advanced k\u00f6zpontja a New Hampshire-i Hudsonban tal\u00e1lhat\u00f3. A GT Advanced 2018. j\u00fanius 26-\u00e1n \u00fcnnepelte a szil\u00edciumkarbid (SiC) korszer\u0171 gy\u00e1rt\u00f3\u00fczem\u00e9nek \u00fcnnep\u00e9lyes megnyit\u00f3j\u00e1t. A rendezv\u00e9nyen helyi \u00e9s sz\u00f6vets\u00e9gi tisztvisel\u0151k, valamint alkalmazottak \u00e9s r\u00e9szv\u00e9nyesek vettek r\u00e9szt. Ez a l\u00e9tes\u00edtm\u00e9ny nagy mennyis\u00e9g\u0171 SiC-t fog el\u0151\u00e1ll\u00edtani a nagy teljes\u00edtm\u00e9ny\u0171 elektronikai alkalmaz\u00e1sokban val\u00f3 felhaszn\u00e1l\u00e1sra.<\/p>\n
Az Onsemi GT Advanced felv\u00e1s\u00e1rl\u00e1sa a SiC chipek ir\u00e1nti kereslet n\u00f6veked\u00e9s\u00e9vel a vertik\u00e1lis integr\u00e1ci\u00f3hoz val\u00f3 visszat\u00e9r\u00e9st jelzi. A SiC-chipek el\u0151\u00e1ll\u00edt\u00e1s\u00e1hoz az olyan v\u00e1llalatoknak, mint az Onsemi, el\u0151sz\u00f6r a korl\u00e1tozott sz\u00e1m\u00fa gy\u00e1rt\u00f3 egyik\u00e9t\u0151l kell beszerezni\u00fck a nyers korongokat, az \u00fagynevezett osty\u00e1kat; a GT Advanceddal k\u00f6t\u00f6tt meg\u00e1llapod\u00e1s el\u0151tt a phoenixi sz\u00e9khely\u0171 Onsemi kiz\u00e1r\u00f3lag a Cree Inc (CREE) c\u00e9get haszn\u00e1lta.<\/p>\n
Az Onsemi a GTAT felv\u00e1s\u00e1rl\u00e1s\u00e1val b\u0151v\u00edti a SiC-ell\u00e1t\u00e1s biztos\u00edt\u00e1s\u00e1ra \u00e9s b\u0151v\u00edt\u00e9s\u00e9re vonatkoz\u00f3 k\u00e9pess\u00e9g\u00e9t, amely a k\u00f6vetkez\u0151 gener\u00e1ci\u00f3s f\u00e9lvezet\u0151k alapvet\u0151 \u00f6sszetev\u0151je, amely sz\u00e1mos alkalmaz\u00e1sban - t\u00f6bbek k\u00f6z\u00f6tt az elektromos j\u00e1rm\u0171vekben, a t\u00f6lt\u0151infrastrukt\u00far\u00e1ban, az energetikai infrastrukt\u00far\u00e1ban \u00e9s az energetikai infrastrukt\u00far\u00e1ban - technikai el\u0151ny\u00f6ket \u00e9s rendszerhat\u00e9konys\u00e1got biztos\u00edt. Az onsemi \u00e9s a GTAT szak\u00e9rt\u0151i egy\u00fcttm\u0171k\u00f6dve felgyors\u00edthatj\u00e1k a SiC fejleszt\u00e9s\u00e9t, mik\u00f6zben kiel\u00e9g\u00edthetik a fenntarthat\u00f3 \u00f6kosziszt\u00e9m\u00e1khoz hozz\u00e1j\u00e1rul\u00f3, intelligensebb energiaell\u00e1t\u00f3 eszk\u00f6z\u00f6k ir\u00e1nti, gyorsan n\u00f6vekv\u0151 fogyaszt\u00f3i ig\u00e9nyeket.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
A szil\u00edcium-karbid egyre n\u00e9pszer\u0171bb anyagv\u00e1laszt\u00e1ss\u00e1 v\u00e1lt a teljes\u00edtm\u00e9ny f\u00e9lvezet\u0151 alkalmaz\u00e1sokban, mivel k\u00e9pes a nagyobb fesz\u00fclts\u00e9gig\u00e9nyt kezelni. A Bosch nemr\u00e9giben 1,5 milli\u00e1rd doll\u00e1rt fektetett be a kaliforniai Roseville-ben tal\u00e1lhat\u00f3 l\u00e9tes\u00edtm\u00e9nyeinek korszer\u0171s\u00edt\u00e9s\u00e9re \u00e9s a SiC chipek 200 mm-es osty\u00e1kon t\u00f6rt\u00e9n\u0151 gy\u00e1rt\u00e1s\u00e1nak megkezd\u00e9s\u00e9re. M\u00e1s nagy chipgy\u00e1rt\u00f3k, mint az Infineon Technologies \u00e9s az Onsemi, b\u0151v\u00edtik ...<\/p>\n