Les semi-conducteurs en carbure de silicium ont r\u00e9volutionn\u00e9 de nombreuses industries au fil du temps.<\/p>\n
Le carbure de silicium (SiC) est un compos\u00e9 chimique \u00e0 structure hexagonale extr\u00eamement robuste qui poss\u00e8de des propri\u00e9t\u00e9s de semi-conducteur \u00e0 large bande interdite et se targue d'un champ de rupture dix fois plus puissant que le silicium, ainsi que de bandes interdites trois fois plus grandes que celles de son homologue en silicium.<\/p>\n
Les dispositifs de puissance construits en carbure de silicium offrent de nombreux avantages, notamment des rendements de commutation plus \u00e9lev\u00e9s, des sorties de tension plus \u00e9lev\u00e9es et des exigences de refroidissement r\u00e9duites, ce qui permet des conceptions plus compactes et plus l\u00e9g\u00e8res.<\/p>\n
Les dispositifs en silicium fonctionnent \u00e9galement plus rapidement que les semi-conducteurs organiques, pr\u00e9sentent une r\u00e9sistance \u00e0 l'allumage plus faible et une dur\u00e9e de vie op\u00e9rationnelle plus longue - des caract\u00e9ristiques qui les rendent hautement souhaitables dans les applications automobiles, o\u00f9 la demande d'une densit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et d'une fiabilit\u00e9 accrues continue d'augmenter rapidement.<\/p>\n
Les constructeurs automobiles se tournent de plus en plus vers les semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite, comme le SiC, pour r\u00e9pondre aux exigences croissantes de qualit\u00e9 et de performance des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. En am\u00e9liorant l'efficacit\u00e9 des syst\u00e8mes de conversion d'\u00e9nergie, les semi-conducteurs \u00e0 large bande interdite tels que le SiC permettent une plus grande autonomie sans n\u00e9cessiter une plus grande capacit\u00e9 de batterie.<\/p>\n
Les semi-conducteurs en carbure de silicium peuvent fonctionner dans des temp\u00e9ratures et des environnements de rayonnement extr\u00eames, ce qu'un semi-conducteur en silicium (Si) standard ne peut pas faire. Leur large bande interdite leur permet de supporter des niveaux de puissance jusqu'\u00e0 10 fois sup\u00e9rieurs \u00e0 ceux des semi-conducteurs en silicium ordinaires, ce qui les rend parfaits pour des applications telles que les syst\u00e8mes de propulsion des v\u00e9hicules ou les environnements difficiles o\u00f9 les temp\u00e9ratures d\u00e9passent les limites normales.<\/p>\n
Le programme d'\u00e9lectronique et de capteurs int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 haute temp\u00e9rature du centre de recherche Lewis de la NASA \u00e9tudie le SiC en tant que mat\u00e9riau \u00e0 haute temp\u00e9rature pour r\u00e9pondre \u00e0 diverses applications a\u00e9rospatiales et commerciales, telles que l'instrumentation pour le contr\u00f4le et la surveillance des moteurs \u00e0 r\u00e9action, les applications de forage de puits profonds o\u00f9 la pression augmente avec la profondeur, les chambres de combustion des automobiles, entre autres.<\/p>\n
ROHM est \u00e0 la pointe de l'innovation dans le domaine des semi-conducteurs en carbure de silicium depuis plus d'un demi-si\u00e8cle, concevant et produisant des semi-conducteurs, des circuits int\u00e9gr\u00e9s et des articles modulaires de classe mondiale en faisant preuve de cr\u00e9ativit\u00e9 et d'attention - leur objectif \u00e9tant de faciliter les arrangements qui fa\u00e7onneront positivement nos vies d'aujourd'hui et de demain.<\/p>\n
Les semi-conducteurs SiC r\u00e9volutionnent l'\u00e9lectronique de puissance en offrant des rendements plus \u00e9lev\u00e9s, des co\u00fbts r\u00e9duits et des composants plus petits, contribuant ainsi \u00e0 un avenir plus vert et plus durable.<\/p>\n
Le SiC est le seul \u00e0 pouvoir supporter des tensions plus \u00e9lev\u00e9es que les dispositifs au silicium traditionnels en raison de sa couche n plus fine, qui permet de doper la densit\u00e9 du dopant avec beaucoup plus de facilit\u00e9, ce qui permet d'obtenir une tension de blocage nettement plus \u00e9lev\u00e9e \u00e0 taille de matrice \u00e9gale.<\/p>\n
Le carbure de silicium est un mat\u00e9riau id\u00e9al pour les applications \u00e0 haute tension telles que les convertisseurs de puissance, les onduleurs et les syst\u00e8mes de commande de moteur. Il constitue \u00e9galement un choix id\u00e9al pour les chargeurs rapides de v\u00e9hicules \u00e9lectriques, car il peut r\u00e9duire les pertes du syst\u00e8me jusqu'\u00e0 30% tout en augmentant la densit\u00e9 de puissance pour des temps de charge plus rapides.<\/p>\n
Les semi-conducteurs de puissance SiC de Wolfspeed, \u00e0 la pointe de l'industrie et de l'expertise, donnent aux concepteurs de syst\u00e8mes de puissance les outils n\u00e9cessaires pour d\u00e9velopper des syst\u00e8mes l\u00e9gers et \u00e9conomes en \u00e9nergie qui contribuent \u00e0 un monde plus vert. D\u00e9couvrez ici notre s\u00e9lection compl\u00e8te de dispositifs de puissance en carbure de silicium.<\/p>\n
Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) sont \u00e0 l'origine d'une r\u00e9volution dans les transports ferroviaires gr\u00e2ce \u00e0 leurs propri\u00e9t\u00e9s physiques et \u00e9lectroniques sup\u00e9rieures. Non seulement ces semi-conducteurs sont beaucoup plus durables que les dispositifs conventionnels en silicium, mais ils permettent \u00e9galement une gestion de l'\u00e9nergie plus efficace tout en \u00e9tant sans danger sur le plan toxicologique.<\/p>\n
La durabilit\u00e9 et la fiabilit\u00e9 sup\u00e9rieures du SiC font que ces dispositifs conviennent \u00e0 de nombreuses applications o\u00f9 les dispositifs en silicium sont traditionnellement utilis\u00e9s, notamment les onduleurs de contr\u00f4le de la traction \u00e0 haute puissance pour les syst\u00e8mes de recharge des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. En outre, le SiC poss\u00e8de une bande interdite exceptionnellement large qui lui permet de transporter l'\u00e9nergie \u00e9lectrique plus efficacement que ses homologues en silicium.<\/p>\n
ROHM Semiconductor est l'un des principaux producteurs de semi-conducteurs SiC Power qui sont \u00e0 la pointe des efforts de d\u00e9carbonisation dans l'industrie. Leurs MOSFET haute tension, par exemple, contribuent \u00e0 am\u00e9liorer les normes dans d'autres technologies qui d\u00e9pendent des semi-conducteurs, telles que les syst\u00e8mes de chargement des v\u00e9hicules \u00e9lectriques, les onduleurs solaires et la gestion des batteries. Ils contribuent \u00e9galement \u00e0 l'approche dynamique et sans cesse renouvel\u00e9e de ROHM Semiconductor, qui permet de faire avancer l'innovation dans l'industrie des semi-conducteurs \u00e0 la vitesse de l'\u00e9clair.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Les semi-conducteurs en carbure de silicium ont r\u00e9volutionn\u00e9 de nombreuses industries au fil du temps. Le carbure de silicium (SiC) est un compos\u00e9 chimique \u00e0 structure hexagonale extr\u00eamement robuste qui poss\u00e8de des propri\u00e9t\u00e9s de semi-conducteur \u00e0 large bande interdite et se targue d'une intensit\u00e9 de champ de rupture dix fois sup\u00e9rieure \u00e0 celle du silicium, ainsi que de bandes interdites trois fois plus grandes que celles de son homologue en silicium. Applications \u00e0 haute tension Les dispositifs de puissance construits \u00e0 partir de silicium ...<\/p>\n