Les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) offrent de nouvelles solutions r\u00e9volutionnaires pour les applications de puissance, avec une plus grande efficacit\u00e9 du syst\u00e8me en termes de taille, de poids et de facteur de forme. Leurs temp\u00e9ratures de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es, leurs fr\u00e9quences de commutation plus rapides et leur magn\u00e9tisme plus petit r\u00e9duisent consid\u00e9rablement les co\u00fbts des syst\u00e8mes.<\/p>\n
Vincotech rel\u00e8ve ce d\u00e9fi gr\u00e2ce \u00e0 une technologie avanc\u00e9e de fixation de la matrice pour att\u00e9nuer les propri\u00e9t\u00e9s m\u00e9caniques du SiC qui diminuent sa capacit\u00e9 de cyclage de puissance par rapport aux dispositifs en silicium standard.<\/p>\n
L'ACEPACK DRIVE est un module de puissance en carbure de silicium (SiC) haute performance con\u00e7u pour augmenter les performances et l'autonomie des v\u00e9hicules \u00e9lectriques. \u00c9quip\u00e9s de MOSFET et de diodes en SiC avec des tensions nominales allant jusqu'\u00e0 1 200 V et d'une thermistance NTC int\u00e9gr\u00e9e qui surveille la consommation de courant du moteur, ces modules sont disponibles en six packs et en topologies convertisseur + onduleur + frein (CIB) utilisant la technologie de substrat actif bras\u00e9 (AMB) pour une efficacit\u00e9 thermique et une r\u00e9sistance m\u00e9canique optimales, ainsi que des options de montage telles que le soudage ou le montage sur barre omnibus viss\u00e9e pour r\u00e9pondre \u00e0 diff\u00e9rentes exigences de montage.<\/p>\n
Le module utilise les MOSFET de puissance SiC de troisi\u00e8me g\u00e9n\u00e9ration de ST, qui pr\u00e9sentent le meilleur facteur de m\u00e9rite et les meilleures pertes de commutation de leur cat\u00e9gorie, ce qui permet d'obtenir des conceptions plus compactes avec une occupation de l'espace et un poids r\u00e9duits, tout en augmentant le rendement et en prolongeant la dur\u00e9e de vie du bloc-batterie. Les modules ACEPACK DRIVE peuvent \u00e9galement \u00eatre utilis\u00e9s dans les onduleurs de traction des v\u00e9hicules hybrides et \u00e9lectriques pour prolonger la distance de conduite en \u00e9conomisant les cycles de recharge.<\/p>\n
Les v\u00e9hicules \u00e9lectriques hybrides doivent trouver un \u00e9quilibre entre l'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique et l'espace limit\u00e9 des batteries. Les modules ACEPACK DRIVE se caract\u00e9risent par une grande souplesse de configuration, ce qui permet de les adapter facilement \u00e0 diff\u00e9rents \u00e9tages de conversion de puissance et \u00e0 des applications telles que les entra\u00eenements de moteurs industriels, les syst\u00e8mes de panneaux solaires et les outils de soudage.<\/p>\n
Par rapport aux solutions IGBT conventionnelles, l'ACEPACK DRIVE permet d'\u00e9conomiser plus de 7% en pertes de syst\u00e8me tout en augmentant l'efficacit\u00e9 de 30%. En outre, ses modules se caract\u00e9risent par une perte de dispositif par \u00e9tage de puissance inf\u00e9rieure \u00e0 celle de leurs homologues conventionnels, tout en fonctionnant cinq degr\u00e9s plus froid sous charge par rapport aux IGBT conventionnels - sans parler de la gestion des temp\u00e9ratures de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es associ\u00e9es aux v\u00e9hicules \u00e9lectriques sans perte de performance.<\/p>\n
Les modules de puissance SiC de STMicroelectronics destin\u00e9s aux onduleurs de traction des v\u00e9hicules \u00e9lectriques comprennent \u00e9galement des connexions \u00e0 broches press\u00e9es pour assurer un contact \u00e9lectrique et thermique fiable entre les dispositifs et les cartes de circuits imprim\u00e9s, avec des temp\u00e9ratures maximales atteignant une capacit\u00e9 de r\u00e9sistance de 175 degr\u00e9s Celsius. Ils sont dot\u00e9s de r\u00e9seaux d'ailettes pour une dissipation efficace de la chaleur.<\/p>\n
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Le silicium a longtemps \u00e9t\u00e9 consid\u00e9r\u00e9 comme le mat\u00e9riau de choix pour les semi-conducteurs de puissance. Si le silicium peut exceller dans les applications de faible puissance, sa large bande interdite fait du carbure de silicium un mat\u00e9riau mieux \u00e9quip\u00e9 pour supporter des temp\u00e9ratures, des fr\u00e9quences et des tensions plus \u00e9lev\u00e9es avec des pertes r\u00e9duites et une efficacit\u00e9 accrue, ce qui est particuli\u00e8rement pr\u00e9cieux dans les processus de conversion de l'\u00e9nergie qui g\u00e9n\u00e8rent de la chaleur.<\/p>\n
L'efficacit\u00e9 \u00e9nerg\u00e9tique est synonyme de r\u00e9duction des co\u00fbts et de l'impact sur l'environnement, et les modules d'alimentation siC aident les utilisateurs \u00e0 atteindre cet objectif en r\u00e9duisant la consommation d'\u00e9nergie. Leur conception haute performance am\u00e9liore \u00e9galement la fiabilit\u00e9, tandis que leur conductivit\u00e9 thermique sup\u00e9rieure r\u00e9duit les besoins en composants de refroidissement, ce qui permet d'\u00e9conomiser de l'argent et des ressources sur les co\u00fbts d'utilisation de l'\u00e9lectricit\u00e9.<\/p>\n
L'une des principales utilisations du carbure de silicium concerne les syst\u00e8mes de conversion d'\u00e9nergie. Ces syst\u00e8mes convertissent le courant continu des batteries en courant alternatif utilisable par les moteurs. Ils doivent r\u00e9pondre \u00e0 plusieurs crit\u00e8res, notamment un rendement \u00e9lev\u00e9, une grande robustesse et un flux d'\u00e9nergie bidirectionnel. Les modules en carbure de silicium r\u00e9pondent \u00e0 ces exigences tout en respectant les normes internes et externes, y compris les r\u00e9glementations gouvernementales.<\/p>\n
La stabilit\u00e9 thermique du carbure de silicium le rend \u00e9galement id\u00e9al pour les environnements difficiles, ce qui permet de nouvelles conceptions qui fonctionnent sans composants de refroidissement co\u00fbteux et qui rendent les convertisseurs de puissance plus rentables pour une utilisation dans l'a\u00e9rospatiale, l'\u00e9quipement d'essai industriel et les applications de recharge de v\u00e9hicules \u00e9lectriques. Cette technologie permet \u00e9galement de concevoir des convertisseurs de puissance plus \u00e9conomes en \u00e9nergie, adapt\u00e9s aux applications a\u00e9rospatiales et aux services de recharge de v\u00e9hicules \u00e9lectriques.<\/p>\n
Des modules de puissance en carbure de silicium dot\u00e9s de technologies de pointe en mati\u00e8re d'emballage et d'\u00e9lectronique de puissance sont d\u00e9sormais disponibles, con\u00e7us pour des applications exigeantes. Ils se distinguent par une temp\u00e9rature de jonction continue de 175 degr\u00e9s Celsius, une excellente stabilit\u00e9 et dur\u00e9e de vie de l'oxyde de grille, une robustesse contre les avalanches de commutation inductive non brid\u00e9e (commutation par avalanche), une capacit\u00e9 \u00e9tendue contre les courts-circuits, ainsi qu'un faible d\u00e9calage RDS(on) sur l'ensemble de leur plage de temp\u00e9rature de fonctionnement.<\/p>\n
Ces modules se caract\u00e9risent par une commutation \u00e0 grande vitesse et une faible inductance parasite afin de minimiser la taille des composants magn\u00e9tiques, ce qui permet de r\u00e9duire le poids et le volume du syst\u00e8me et donc de r\u00e9aliser des \u00e9conomies significatives sur les co\u00fbts de lancement dans l'espace. En outre, ces conceptions modulaires augmentent la flexibilit\u00e9 tout en r\u00e9duisant les co\u00fbts et les d\u00e9lais d'ing\u00e9nierie.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Les modules de puissance en carbure de silicium (SiC) offrent de nouvelles solutions r\u00e9volutionnaires pour les applications de puissance, avec une plus grande efficacit\u00e9 du syst\u00e8me en termes de taille, de poids et de facteur de forme. Leurs temp\u00e9ratures de fonctionnement plus \u00e9lev\u00e9es, leurs fr\u00e9quences de commutation plus rapides et leurs magn\u00e9tiques plus petits r\u00e9duisent consid\u00e9rablement les co\u00fbts des syst\u00e8mes. Vincotech rel\u00e8ve ce d\u00e9fi gr\u00e2ce \u00e0 une technologie avanc\u00e9e de fixation \u00e0 la matrice permettant d'att\u00e9nuer les propri\u00e9t\u00e9s m\u00e9caniques du SiC qui ...<\/p>\n