Piikarbidi (SiC) on eritt\u00e4in kova ja kiteinen aine, jota esiintyy luonnossa vain hyvin rajallisia m\u00e4\u00e4ri\u00e4, kuten moissanite-jalokive\u00e4. Suurin osa SiC:st\u00e4 tuotetaan nyky\u00e4\u00e4n synteettisesti valokaariuuneissa k\u00e4ytt\u00e4en raaka-aineina piihiekan ja hiilikoksin seoksia.<\/p>\n
Globarin piikarbidil\u00e4mmityselementit on suunniteltu k\u00e4ytett\u00e4v\u00e4ksi korkean l\u00e4mp\u00f6tilan s\u00e4hk\u00f6uuneissa ja muissa s\u00e4hk\u00f6l\u00e4mmityslaitteissa, joita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n magneettisten materiaalien, keramiikan, lasin ja jauhemetallurgian aloilla. Niiden ominaisuuksiin kuuluu niiden korkea k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tilan kest\u00e4vyys korroosiota ja hapettumista vastaan sek\u00e4 pitk\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4 minimaalisella muodonmuutoksella, ja ne on helppo asentaa ja huoltaa.<\/p>\n
Piikarbidi kest\u00e4\u00e4 korkeita l\u00e4mp\u00f6tiloja s\u00e4ilytt\u00e4en samalla mekaanisesti terveen\u00e4, joten se on ihanteellinen materiaali k\u00e4ytett\u00e4v\u00e4ksi teollisuusuunissa sek\u00e4 luodinkest\u00e4vien liivien ja keraamisten levyjen vahvistimena sen poikkeuksellisen kovuuden, lujuuden ja l\u00e4mp\u00f6shokkien kest\u00e4vyyden vuoksi.<\/p>\n
Teollisesti tuotettua piikarbidia voidaan valmistaa erilaisilla tekniikoilla, kuten sintraamalla, reaktiosidonnalla, kiteiden kasvattamisella ja kemiallisella h\u00f6yrypinnoituksella (CVD). Piikarbidi tarjoaa poikkeuksellisen alhaisen tiheyden, j\u00e4ykkyyden, kovuuden ja kulutuskest\u00e4vyyden sek\u00e4 korroosion- ja kemikaalinkest\u00e4vyyden ja erinomaisen l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden yhdistelm\u00e4n; lis\u00e4ksi se toimii erinomaisena s\u00e4hk\u00f6isen\u00e4 eristeen\u00e4, jota k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti sovelluksissa, kuten tulenkest\u00e4viss\u00e4 materiaaleissa, vastusl\u00e4mmitysj\u00e4rjestelmiss\u00e4, liekinsytyttimiss\u00e4 ja elektroniikkakomponenteissa.<\/p>\n
Erinomaisen kest\u00e4vyytens\u00e4 ansiosta piikarbidia voidaan k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 monissa sovelluksissa, kuten sintrausuunissa. Hapettuminen voi kuitenkin vaikuttaa sen pitk\u00e4ik\u00e4isyyteen; kest\u00e4vyyden lis\u00e4\u00e4miseksi sit\u00e4 on ensin k\u00e4sitelt\u00e4v\u00e4 erityisk\u00e4sittelyill\u00e4 ennen k\u00e4ytt\u00f6\u00e4, kuten levitt\u00e4m\u00e4ll\u00e4 sen pinnalle molybdeenidisilisidikerroksia, jotka lis\u00e4\u00e4v\u00e4t pinta-alaa ja parantavat sen kyky\u00e4 vastustaa hapettumista, jotta se kest\u00e4\u00e4 paremmin korroosiota, hapettumista ja siten pidemp\u00e4\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4 pidemp\u00e4\u00e4n ja pidemmiss\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tiloissa. N\u00e4in luodaan pitk\u00e4ik\u00e4isempi\u00e4 ja luotettavampia elementtej\u00e4, jotka kest\u00e4v\u00e4t korkeampia l\u00e4mp\u00f6tiloja pidempi\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6aikoja varten sek\u00e4 korkeampia l\u00e4mp\u00f6tilaymp\u00e4rist\u00f6j\u00e4 ja pidempi\u00e4 ajanjaksoja ilman ongelmia.<\/p>\n
Molybdeenidisilisidit (MoSi2) ja piikarbidi (SiC) ovat eritt\u00e4in haluttuja materiaaleja, kun valmistetaan korkean l\u00e4mp\u00f6tilan l\u00e4mmityselementtej\u00e4, sill\u00e4 niiden erinomaiset hapettumiskest\u00e4vyysominaisuudet mahdollistavat piikerrosten muodostamisen haitallisilta ymp\u00e4rist\u00f6ilt\u00e4 suojaaviksi ja pident\u00e4v\u00e4t elementtien k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4.<\/p>\n
korroosionkest\u00e4vyys on olennainen osa kest\u00e4vyytt\u00e4 teollisuudessa. Korkea korroosionkest\u00e4vyys auttaa suojaamaan l\u00e4mmityselementtej\u00e4 kulumiselta, joka muutoin voisi aiheuttaa ennenaikaisia vikoja kulumisen ja kulumisen vuoksi, ja auttaa n\u00e4in ehk\u00e4isem\u00e4\u00e4n haurastumista tai vikaantumista ja pident\u00e4m\u00e4\u00e4n niiden k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4.<\/p>\n
Piikarbidi on eritt\u00e4in kova ja tiivis kiteinen pii- ja hiiliyhdiste. Synteettisesti tuotettua materiaalia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n sovelluksissa, jotka vaihtelevat hiekkapapereista ja leikkuuty\u00f6kaluista valodiodien (LED) puolijohdealustoihin. L\u00e4mp\u00f6k\u00e4sittelysovelluksissa k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n usein piikarbidia uunien tyynyj\u00e4 tai kiekkotarjottimien kannattimia tai s\u00e4hk\u00f6uunien vastusl\u00e4mmityselementtej\u00e4.<\/p>\n
Piikarbidi vanhenee k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tilan ja sen kautta haihdutetun tehon mukaan, ja useimmat valmistajat antavat arvionsa, jotka perustuvat enimm\u00e4istehon tuottamiseen pidemm\u00e4n ajanjakson aikana. Pinnalle muodostuu my\u00f6s piidioksidikalvoja, jotka edist\u00e4v\u00e4t sen vanhenemista, vaikka erityiset hitsaustekniikat, jotka sulkevat elementin johtavalla pinnoitteella, voivat est\u00e4\u00e4 t\u00e4m\u00e4n korroosiota aiheuttavan kalvon muodostumisen.<\/p>\n
Materiaalien l\u00e4mm\u00f6njohtavuus riippuu sek\u00e4 niiden molekyylikoostumuksesta ett\u00e4 l\u00e4mm\u00f6n kulkeman matkan pituudesta, ja suurempi l\u00e4mm\u00f6njohtavuus saavutetaan, kun useampi atomi tai molekyyli sijaitsee l\u00e4hemp\u00e4n\u00e4 toisiaan alueella ja kun atomien tai molekyylien v\u00e4liset et\u00e4isyydet ovat lyhyempi\u00e4, mik\u00e4 edellytt\u00e4\u00e4 niiden liikkumista.<\/p>\n
Piikarbidilla on korkea l\u00e4mm\u00f6njohtavuus, joten se on erinomainen materiaalivalinta l\u00e4mmityselementteihin. Piikarbidilla on teollisesti valmistetuista keraamisista materiaaleista korkein s\u00e4hk\u00f6njohtavuus; lis\u00e4ksi sen k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4 on yli kaksi vuosikymment\u00e4 jatkuvassa k\u00e4yt\u00f6ss\u00e4.<\/p>\n
Heti kun l\u00e4mmityselementti alkaa toimia, s\u00e4hk\u00f6energia muuttuu l\u00e4mm\u00f6ksi Joulen lain mukaisesti: W = I2R (jossa teho watteina, virta ampeereina ja resistanssi mitataan ohmeina). T\u00e4m\u00e4 johtaa l\u00e4mp\u00f6tilan nousuun verrannollisena j\u00e4nnitteeseen - nopeampi l\u00e4mpeneminen tarkoittaa siis suurempaa j\u00e4nnitett\u00e4!<\/p>\n
On kuitenkin t\u00e4rke\u00e4\u00e4 pit\u00e4\u00e4 mieless\u00e4, ett\u00e4 piikarbidielementtien metallurginen rakenne voi muuttua ajan my\u00f6t\u00e4, mik\u00e4 puolestaan vaikuttaa niiden kest\u00e4vyyteen. Hapettuminen piikarbidien raerajoilla voi aiheuttaa eroosiota, joka johtaa piikalvon muodostumiseen, joka v\u00e4hent\u00e4\u00e4 kest\u00e4vyytt\u00e4 ja lyhent\u00e4\u00e4 samalla k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4; toinen tapa, jolla kest\u00e4vyyteen voi vaikuttaa, on sen kyky k\u00e4sitell\u00e4 syklisi\u00e4 sovelluksia.<\/p>\n
Piikarbidi on eritt\u00e4in kest\u00e4v\u00e4 materiaali, joka kest\u00e4\u00e4 korkeita l\u00e4mp\u00f6tiloja, joten se on ihanteellinen materiaali korkean l\u00e4mp\u00f6tilan l\u00e4mmityselementteihin. Lis\u00e4ksi t\u00e4m\u00e4 kest\u00e4vyys auttaa pident\u00e4m\u00e4\u00e4n sen k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4 ja alentamaan huoltokustannuksia - molemmat tekij\u00e4t ovat ratkaisevassa asemassa, kun tarkastellaan l\u00e4mmitysratkaisujen pitk\u00e4n aikav\u00e4lin tehokkuutta ja s\u00e4\u00e4st\u00f6j\u00e4.<\/p>\n
Piikarbidimateriaali on poikkeuksellisen kest\u00e4v\u00e4\u00e4, koska se kest\u00e4\u00e4 kulutusta ja sill\u00e4 on alhainen l\u00e4mp\u00f6laajenemisnopeus; n\u00e4iden ominaisuuksien ansiosta piikarbidielementit kest\u00e4v\u00e4t suurempia kuormituksia kuin metalliset vastineet jopa korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa.<\/p>\n
Piikarbidi tarjoaa monia etuja, jotka tekev\u00e4t siit\u00e4 erinomaisen valinnan s\u00e4hk\u00f6l\u00e4mmityssovelluksiin, kuten uuneihin, uuneihin ja muihin korkean l\u00e4mp\u00f6tilan teollisuusprosesseihin. Piikarbidi on edullinen ja kest\u00e4v\u00e4 valinta verrattuna molybdeenidisilisidiin (MoSi2), jota k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n my\u00f6s yleisesti l\u00e4mmityselementtein\u00e4.<\/p>\n
Keith Company k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 silikonikarbidielementtej\u00e4 monissa s\u00e4hk\u00f6l\u00e4mmitteisiss\u00e4 uuneissaan ja uuneissaan, jotka helpottavat l\u00e4mmityst\u00e4, kuten uuneissa, joiden leveysvaatimus on suuri tai pitk\u00e4 ja joihin ei voida asentaa metallielementtej\u00e4. Ne kest\u00e4v\u00e4t korkeampia k\u00e4ytt\u00f6l\u00e4mp\u00f6tiloja ja wattikuormituksia kuin MoSi2-elementit ja ovat samalla helposti vaihdettavissa kuumina.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Silicon carbide (SiC) is an extremely hard and crystalline substance found naturally only in very limited amounts as moissanite gemstone. Most SiC is now produced synthetically via electric arc furnaces using mixtures of silica sand and carbon coke as its raw materials. Globar silicon carbide heating elements are designed for use in high temperature electric …<\/p>\n