United Silicon Carbide, Inc es un fabricante de semiconductores especializado en semiconductores de potencia de carburo de silicio y diodos para clientes de toda Nueva Jersey.<\/p>\n
Los diodos Schottky de SiC y los JFET ofrecen niveles de eficiencia energ\u00e9tica que cambian el sector en mercados clave que fomentan una econom\u00eda m\u00e1s ecol\u00f3gica, como la recarga de veh\u00edculos el\u00e9ctricos. Su rendimiento de conmutaci\u00f3n superior mejora el tiempo de carga y la autonom\u00eda de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos; su electr\u00f3nica tolerante a la radiaci\u00f3n y apta para temperaturas extremas es vital para las misiones previstas por la NASA, como la exploraci\u00f3n in situ de Venus o la realizaci\u00f3n de misiones de larga duraci\u00f3n Europa-J\u00fapiter.<\/p>\n
United Silicon Carbide fabrica dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) como FET, JFET y diodos Schottky para clientes de toda Nueva Jersey. En la actualidad, la empresa presta servicio a clientes que demandan FET de SiC como FETs\/JFETs o dispositivos de diodos Schottky.<\/p>\n
USCI, empresa derivada de la Universidad de Rutgers, proporciona a los dise\u00f1adores herramientas que mejoran la eficiencia energ\u00e9tica en mercados clave que impulsan las econom\u00edas ecol\u00f3gicas. Sus productos mejoran el rendimiento y la fiabilidad de los cargadores de veh\u00edculos el\u00e9ctricos, los convertidores CC-CC y los accionamientos de tracci\u00f3n; permiten reducir costes en los centros de datos; y prolongan la vida \u00fatil de los inversores solares fotovoltaicos, entre otras muchas aplicaciones.<\/p>\n
Los FET de SiC de cuarta generaci\u00f3n de USCI presentan una tensi\u00f3n m\u00e1xima de funcionamiento de 750 V y una baja resistencia RDS(on) de 5,9 miliohmios, lo que proporciona a m\u00faltiples industrias una mayor eficiencia a la vez que reduce los costes del sistema. Utilizando su exclusiva configuraci\u00f3n en cascada, sus FET de SiC de alta velocidad combinan una r\u00e1pida velocidad de conmutaci\u00f3n con una resistencia a la conexi\u00f3n ultrabaja para niveles de tensi\u00f3n m\u00e1s altos en encapsulados m\u00e1s peque\u00f1os para aplicaciones de mayor densidad de potencia.<\/p>\n
Qorvo adquiri\u00f3 con \u00e9xito United Silicon Carbide el 3 de noviembre de 2021. Entre los inversores figuran Qorvo, Paycheck Protection Program, GHO Ventures y JumpStart NJ Angel Network como inversores en United Silicon Carbide.<\/p>\n
United Silicon Carbide est\u00e1 causando sensaci\u00f3n en el sector de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos con su innovadora tecnolog\u00eda de semiconductores de SiC, que ha revolucionado desde la investigaci\u00f3n universitaria hasta su adopci\u00f3n en el mercado de masas. Chrissie Gagliardi habla de su experiencia al llevar la tecnolog\u00eda de materiales de vanguardia del laboratorio universitario al mercado de masas, as\u00ed como de sus planes para seguir expandiendo su negocio e influir positivamente en la sociedad.<\/p>\n
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United Silicon Carbide fabrica dispositivos semiconductores. Esta empresa est\u00e1 especializada en semiconductores de potencia de carburo de silicio y diodos y presta servicios a clientes de toda Nueva Jersey.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto qu\u00edmico duro formado por silicio y carbono. Este \u00faltimo suele tomar la forma de grafito negro derivado del carb\u00f3n o de dep\u00f3sitos minerales naturales de moissanita. El SiC es un semiconductor, lo que significa que conduce la electricidad a altas temperaturas y tensiones, adem\u00e1s de ser un abrasivo. Los granos de SiC tambi\u00e9n pueden combinarse para crear cer\u00e1micas muy duras utilizadas en aplicaciones que requieren una gran resistencia, como los frenos y embragues de los autom\u00f3viles; las piedras preciosas sint\u00e9ticas de moissanita tambi\u00e9n pueden cortarse para crear cer\u00e1micas muy duras utilizadas en aplicaciones que requieren una gran resistencia, como los frenos y embragues de los autom\u00f3viles, aunque son materiales poco comunes. El SiC se produce comercialmente como monocristales para su uso en dispositivos electr\u00f3nicos y se produce comercialmente como polvos o monocristales para su uso dentro de dispositivos electr\u00f3nicos a pesar de ser un material raro en s\u00ed mismo.<\/p>\n
Los FET y JFET de SiC se han convertido en un componente de uso generalizado en aplicaciones electr\u00f3nicas, sobre todo en aplicaciones de potencia que se benefician de sus \u00edndices de eficiencia superiores a los de los IGBT y MOSFET de silicio. Entre las aplicaciones que utilizan FETs\/JFETs de SiC destacan los cargadores, los convertidores CC-CC, los accionamientos de tracci\u00f3n para veh\u00edculos el\u00e9ctricos, as\u00ed como las fuentes de alimentaci\u00f3n para telecomunicaciones y servidores; los accionamientos de motores de velocidad variable; los accionamientos de frecuencia variable y los inversores solares fotovoltaicos (FV).<\/p>\n
Las misiones de la NASA requieren componentes electr\u00f3nicos resistentes a la radiaci\u00f3n y capaces de funcionar a temperaturas extremas, como las misiones de exploraci\u00f3n in situ de Venus y Europa-J\u00fapiter, que operar\u00e1n a temperaturas de hasta 350 grados cent\u00edgrados. Estas misiones requieren componentes electr\u00f3nicos con s\u00f3lidas caracter\u00edsticas de gesti\u00f3n t\u00e9rmica para funcionar con seguridad en estas condiciones extremas.<\/p>\n
El SiC es un material ideal para espejos de telescopios astron\u00f3micos por su bajo coeficiente de dilataci\u00f3n t\u00e9rmica y su rigidez; tanto los espejos del telescopio espacial Herschel como los del observatorio Gaia utilizan este material. Adem\u00e1s, el SiC ofrece resistencia a los golpes, lo que lo hace adecuado para equipos militares como los sistemas l\u00e1ser.<\/p>\n
UnitedSiC (ahora Qorvo) est\u00e1 impulsando la adopci\u00f3n del SiC proporcionando una tecnolog\u00eda de dispositivos innovadora que ofrece niveles de rendimiento, fiabilidad y eficiencia energ\u00e9tica l\u00edderes en el mundo para aplicaciones avanzadas alimentadas por bater\u00edas. UnitedSiC es el \u00fanico fabricante sin f\u00e1brica que ofrece transistores de potencia, rectificadores y subsistemas de SiC que pueden combinarse en m\u00f3dulos completos; adem\u00e1s, su cartera de semiconductores de potencia cuenta con varios valores nominales de tensi\u00f3n\/corriente en encapsulados Kelvin de 4 terminales para permitir a los dise\u00f1adores alcanzar el rendimiento deseado del sistema sin concesiones.<\/p>\n
Si tiene alguna pregunta o necesita ayuda con sus productos y servicios, no dude en ponerse en contacto directamente por correo electr\u00f3nico, n\u00famero de tel\u00e9fono, chat en directo o visite su sitio web, donde encontrar\u00e1 m\u00e1s informaci\u00f3n sobre esta empresa y sus ofertas.<\/p>\n
United Silicon Carbide, Inc (USCi) ofrece dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) que proporcionan eficiencia energ\u00e9tica a costes asequibles para mercados clave dentro de la nueva econom\u00eda verde. Nuestros FET de SiC, JFET y diodos Schottky permiten soluciones de alimentaci\u00f3n asequibles dentro de estos mercados clave que impulsan este movimiento ecol\u00f3gico global.<\/p>\n
USCI se fund\u00f3 en 1993 y tiene su sede en Monmouth Junction (Nueva Jersey). Est\u00e1 especializada en dispositivos de alimentaci\u00f3n de carburo de silicio (SiC) y fue una de las primeras empresas en desarrollar esta tecnolog\u00eda. La Gobernadora de Nueva Jersey, Kim Guadagno, se uni\u00f3 a otros funcionarios estatales y locales en una ceremonia de inauguraci\u00f3n de sus instalaciones ampliadas en Monmouth Junction para celebrar la expansi\u00f3n de USCI.<\/p>\n
Qorvo ha adquirido United Silicon Carbide de Princeton, que fabrica componentes de alimentaci\u00f3n de carburo de silicio (SiC). Esta adquisici\u00f3n ampl\u00eda la presencia de Qorvo en mercados de r\u00e1pido crecimiento como los cargadores de veh\u00edculos el\u00e9ctricos, la energ\u00eda industrial, la protecci\u00f3n de circuitos, las energ\u00edas renovables y los centros de datos.<\/p>\n
United Silicon Carbide fabrica semiconductores. La empresa produce semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) dise\u00f1ados para satisfacer aplicaciones de alta eficiencia y atiende a clientes de Nueva Jersey desde su sede en Princeton, Nueva Jersey. Fundada en 1999 y situada en las proximidades.<\/p>\n
Entre los inversores de United Silicon Carbide se encuentran Qorvo, GHO Ventures y JumpStart NJ Angel Network. Con m\u00e1s de 80 SiC FETs, JFETs y dispositivos de diodos Schottky que ofrecen nuevos niveles de eficiencia energ\u00e9tica de carburo de silicio y rendimiento cr\u00edtico para veh\u00edculos el\u00e9ctricos, energ\u00eda industrial, sistemas de protecci\u00f3n de circuitos, energ\u00edas renovables y sistemas de alimentaci\u00f3n de centros de datos; United Silicon Carbide ofrece su cartera de productos para satisfacer esta necesidad.<\/p>\n
La empresa ofrece semiconductores de potencia y diodos de SiC de alta eficiencia, as\u00ed como soluciones que utilizan inversores, convertidores CC-CC y accionamientos de tracci\u00f3n basados en SiC para la gesti\u00f3n avanzada de la energ\u00eda, cargadores de bater\u00edas e inversores solares fotovoltaicos.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC), com\u00fanmente conocido como carborundo, es un compuesto qu\u00edmico extremadamente duro formado por \u00e1tomos de silicio y carbono. El carburo de silicio, que se encuentra en la naturaleza en forma de la rara gema moissanita, se produce en masa desde 1893 en forma de polvo y cristal para su uso como abrasivo. Los granos de SiC tambi\u00e9n pueden unirse para formar materiales cer\u00e1micos como los utilizados en las pastillas de freno de los autom\u00f3viles o en los chalecos antibalas, o tallarse para formar piedras preciosas conocidas como moissanita sint\u00e9tica.<\/p>\n
United Silicon Carbide tiene unos 50 empleados. Sus ingresos anuales oscilan entre uno y cincuenta millones de USD y est\u00e1n en constante crecimiento; su c\u00f3digo SIC es 0115, mientras que el c\u00f3digo NAICS es 211320.<\/p>\n
United Silicon Carbide ha anunciado en un comunicado de prensa que ha establecido una asociaci\u00f3n de distribuci\u00f3n mundial exclusiva con Digi-Key Electronics para comercializar y distribuir su gama completa de semiconductores de carburo de silicio (SiC) de potencia y gesti\u00f3n de potencia para una amplia gama de aplicaciones de los clientes. A trav\u00e9s de esta alianza, los clientes tendr\u00e1n acceso a la tecnolog\u00eda punta de semiconductores de potencia de SiC en Digi-Key.<\/p>\n
Los clientes de USCi se beneficiar\u00e1n del acceso a los MOSFETs, HEMTs y diodos de SiC producidos por USCi, lo que aumentar\u00e1 la flexibilidad de dise\u00f1o a la hora de desarrollar productos electr\u00f3nicos que requieran alta fiabilidad y rendimiento en entornos dif\u00edciles, como los productos de automoci\u00f3n, industriales, aeroespaciales o de defensa. Adem\u00e1s, esta asociaci\u00f3n les proporcionar\u00e1 una ventanilla \u00fanica para todas sus necesidades de semiconductores de potencia.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
United Silicon Carbide, Inc es un fabricante de semiconductores especializado en semiconductores de potencia de carburo de silicio y diodos para clientes de toda Nueva Jersey. Los diodos Schottky y JFET de SiC est\u00e1n proporcionando niveles de eficiencia energ\u00e9tica que cambian la industria en mercados clave que fomentan una econom\u00eda m\u00e1s ecol\u00f3gica, como la carga de veh\u00edculos el\u00e9ctricos. Su rendimiento de conmutaci\u00f3n superior mejora el tiempo de carga y ...<\/p>\n