Coherent ha anunciado que DENSO, con sede en Jap\u00f3n, y Mitsubishi Electric invertir\u00e1n conjuntamente $1.000 millones en su negocio de sustratos de SiC, creando una filial que ofrecer\u00e1 sustratos de SiC de 150 mm y 200 mm, as\u00ed como obleas epitaxiales.<\/p>\n
El SiC es un material atractivo para los semiconductores de potencia, ya que puede reducir la p\u00e9rdida de potencia funcionando a temperaturas m\u00e1s altas que el silicio. Adem\u00e1s, el peque\u00f1o factor de forma y el menor peso del SiC reducen considerablemente el tama\u00f1o y el peso de los dispositivos.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC) es un material muy valioso para la electr\u00f3nica que funciona a altas temperaturas o tensiones, ya que su elevada conductividad t\u00e9rmica y resistencia a la conducci\u00f3n el\u00e9ctrica permiten que los dispositivos semiconductores de potencia con componentes de SiC reduzcan significativamente la p\u00e9rdida de energ\u00eda y el tiempo de conexi\u00f3n en comparaci\u00f3n con la tecnolog\u00eda basada en el silicio. Adem\u00e1s, puede funcionar a frecuencias de conmutaci\u00f3n m\u00e1s altas que el silicio debido a su menor resistencia a la conducci\u00f3n el\u00e9ctrica; por otra parte, su construcci\u00f3n muy robusta permite alcanzar frecuencias de conmutaci\u00f3n m\u00e1s altas que con la tecnolog\u00eda de silicio sola. Desgraciadamente, su baja densidad y su coste han impedido una comercializaci\u00f3n generalizada; aunque algunos peque\u00f1os extraen el carburo de silicio de fuentes naturales, como las joyas de moissanita, la mayor parte del carburo de silicio utilizado en los dispositivos electr\u00f3nicos se produce sint\u00e9ticamente en las instalaciones de fabricaci\u00f3n de productos electr\u00f3nicos, en lugar de a partir de fuentes naturales, como las joyas de moissanita extraen el carburo de silicio de fuentes naturales; la mayor parte de los fabricantes de dispositivos electr\u00f3nicos producen carburo de silicio utilizando precursores sint\u00e9ticos.<\/p>\n
Los investigadores han estudiado las propiedades \u00f3pticas y magn\u00e9ticas de los defectos de esp\u00edn relacionados con vacantes en SiC para abordar estos retos, descubriendo que ciertos pueden controlarse coherentemente incluso a temperatura ambiente; esto representa un hito importante, ya que otros sistemas de defectos conocidos en SiC tienen tiempos de coherencia extremadamente cortos; este trabajo abre toda una serie de aplicaciones para los defectos de esp\u00edn en SiC, como las tareas de informaci\u00f3n cu\u00e1ntica.<\/p>\n
Los investigadores estudiaron las propiedades \u00f3pticas y magneto-\u00f3pticas de los defectos PL8 generados mediante implantaci\u00f3n de iones de hidr\u00f3geno con posterior recocido a altas temperaturas. Se observaron se\u00f1ales de fluorescencia y resonancia magn\u00e9tica detectada \u00f3pticamente (ODMR) tanto a bajas como a altas temperaturas; a temperaturas m\u00e1s bajas, las se\u00f1ales ODMR de estos defectos mostraban un ajuste de Lorentz con dependencia de la temperatura polin\u00f3mica de quinto orden, mientras que las se\u00f1ales a temperaturas m\u00e1s altas mostraban un claro corte con intensidad de dispersi\u00f3n de campo cero.<\/p>\n
A continuaci\u00f3n, los investigadores emplearon secuencias de pulsos Ramsey para medir con precisi\u00f3n el tiempo de decaimiento por inducci\u00f3n libre (T2ast) de estos espines defectuosos PL8, demostrando que su decaimiento por inducci\u00f3n libre depende de la potencia, una caracter\u00edstica esencial para los sistemas de esp\u00edn coherentes.<\/p>\n
Esta investigaci\u00f3n se publica en Nature Nanotechnology y ha sido posible gracias a una inversi\u00f3n de $1.000 millones de las empresas japonesas DENSO y Mitsubishi Electric en el negocio de SiC de Coherent, por la que recibir\u00e1n una participaci\u00f3n no mayoritaria del 12,5%, as\u00ed como acuerdos de suministro a largo plazo para satisfacer la demanda de sustratos y obleas epitaxiales de 150 mm y 200 mm; la fecha de cierre est\u00e1 prevista para principios de 2024.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC) es un extraordinario material semiconductor con notables propiedades t\u00e9rmicas, \u00f3pticas y mec\u00e1nicas que lo hacen adecuado para su uso en electr\u00f3nica de alta potencia, sensores micromec\u00e1nicos, telescopios astron\u00f3micos y muchas otras aplicaciones. Los dispositivos de SiC suelen ofrecer menores p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n que los chips de silicio (SI), al tiempo que funcionan a temperaturas m\u00e1s elevadas para reducir la p\u00e9rdida de potencia y aumentar la eficiencia.<\/p>\n
El carburo de silicio no s\u00f3lo presenta una excepcional resistencia a la temperatura, sino que tambi\u00e9n es altamente conductor; m\u00e1s de 10 veces m\u00e1s conductor que el silicio puro. Gracias a esta propiedad, el carburo de silicio es capaz de conducir la corriente a altas velocidades, lo que le permite obtener bajas p\u00e9rdidas por conmutaci\u00f3n y un funcionamiento r\u00e1pido para mejorar la eficiencia y reducir los costes energ\u00e9ticos. Adem\u00e1s, la capacidad del carburo de silicio para tolerar altas tensiones sin da\u00f1ar los dispositivos lo hace id\u00f3neo para aplicaciones de alta velocidad como motores y accionamientos.<\/p>\n
Anteriormente, el SiC estaba limitado en las aplicaciones de alta frecuencia debido a sus elevadas p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n y a la generaci\u00f3n de calor. Sin embargo, este problema se resolvi\u00f3 recientemente mediante una t\u00e9cnica de dopaje con dopantes basados en nitruros que redujo estas p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n y mejor\u00f3 su rendimiento a altas frecuencias. Gracias a este m\u00e9todo, ha sido posible fabricar transistores de alta velocidad y diodos de alto voltaje con mayores tensiones de ruptura y operaciones m\u00e1s r\u00e1pidas que las tecnolog\u00edas existentes.<\/p>\n
El dopaje basado en nitruros consiste en mezclar silicio con nitr\u00f3geno en la fabricaci\u00f3n para formar vacantes de carbono que confieren al carburo de silicio sus excepcionales caracter\u00edsticas de calidad de frecuencia, lo que le permite manejar grandes corrientes el\u00e9ctricas a altas frecuencias, ideales para motores y accionamientos, as\u00ed como para sistemas de telecomunicaciones y radares.<\/p>\n
Los investigadores han estudiado las propiedades y estructuras de los defectos del carburo de silicio, pero se sabe poco sobre su comportamiento de esp\u00edn a alta temperatura. Tras estudiar su comportamiento de esp\u00edn a este nivel de temperatura, los investigadores han descubierto que la divisi\u00f3n en campo cero de los espines de los defectos del SiC depende de la temperatura; su coherencia de esp\u00edn disminuye al aumentar la temperatura, una observaci\u00f3n que podr\u00eda allanar el camino para nuevas aplicaciones electr\u00f3nicas de esp\u00edn a alta temperatura.<\/p>\n
Coherent Corp, de Saxonburg, Pensilvania, acaba de conseguir una inversi\u00f3n de $1.000 millones de dos proveedores japoneses del mercado de veh\u00edculos el\u00e9ctricos, DENSO Corp y Mitsubishi Electric Corporation, de Kariya, en la prefectura de Aichi. Ambos inversores poseen participaciones del 12,5% en la reci\u00e9n creada filial de Coherent y acuerdos de suministro a largo plazo que contribuir\u00e1n a su crecimiento.<\/p>\n
El carburo de silicio (SiC) es un compuesto qu\u00edmico extremadamente robusto formado por \u00e1tomos de silicio y carbono unidos mediante enlaces covalentes, similares a los que se observan en los diamantes, con fuertes interacciones covalentes similares a las de los diamantes. El SiC presenta una estructura cristalina hexagonal y propiedades semiconductoras de banda ancha. Adem\u00e1s, la energ\u00eda de la banda prohibida del SiC es casi tres veces mayor que la del silicio, lo que significa que la electricidad puede fluir sin sufrir grandes p\u00e9rdidas durante la transmisi\u00f3n, lo que hace que el SiC sea ideal para aplicaciones de alto voltaje, como las fuentes de energ\u00eda de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos.<\/p>\n
El SiC tambi\u00e9n es mucho m\u00e1s duradero que otros semiconductores, lo que permite a los componentes soportar temperaturas m\u00e1s elevadas sin necesidad de sistemas de refrigeraci\u00f3n para seguir funcionando con eficacia. Esto permite a los veh\u00edculos el\u00e9ctricos lograr una mayor eficiencia de combustible y autonom\u00eda de conducci\u00f3n. Adem\u00e1s, el uso de chips semiconductores fabricados con SiC significa que la electr\u00f3nica de potencia de estos veh\u00edculos est\u00e1 equipada con componentes electr\u00f3nicos capaces de soportar frecuencias de conmutaci\u00f3n y temperaturas m\u00e1s elevadas que los fabricados \u00edntegramente con silicio (Si).<\/p>\n
Coherent, que ofrece equipos l\u00e1ser y obleas semiconductoras, ya ha sido testigo de un repunte de la demanda de sus productos de SiC. Sus ventas aumentaron un 50% en el primer trimestre de 2024 gracias a nuevos pedidos de empresas que planifican veh\u00edculos el\u00e9ctricos (VE) de alto rendimiento.<\/p>\n
Esta inversi\u00f3n permitir\u00e1 a la empresa ampliar su capacidad de producci\u00f3n al tiempo que mejora los procesos de fabricaci\u00f3n y desarrolla nuevas tecnolog\u00edas. Adem\u00e1s de producir obleas de SiC, la empresa tiene previsto fabricar amplificadores de potencia de RF de GaN sobre SiC, as\u00ed como otros dispositivos de RF y microondas, sin olvidar las cavidades resonadoras que amplificar\u00e1n la potencia de salida de estos dispositivos.<\/p>\n
Se espera que la inversi\u00f3n de Denso y Mitsubishi Electric eleve el valor del negocio de SiC de Coherent por encima de los 1.400 millones de euros. Ambas empresas japonesas adquirir\u00e1n participaciones no mayoritarias del 12,5% en la nueva filial de Coherent, dirigida por Sohail Khan, vicepresidente ejecutivo de tecnolog\u00eda electr\u00f3nica de banda ancha de Coherent. Adem\u00e1s, estas partes firmar\u00e1n acuerdos de suministro a largo plazo con esta filial antes de su cierre en el primer trimestre de 2024.<\/p>\n
Coherent, fabricante estadounidense de equipos de alta tecnolog\u00eda, ha anunciado hoy que ha recibido una inversi\u00f3n de $1.000 millones de dos proveedores japoneses de autom\u00f3viles el\u00e9ctricos para establecer su negocio de semiconductores de carburo de silicio (SiC). Tanto Denso Corp como Mitsubishi Electric invirtieron $500 millones cada uno, seg\u00fan anunci\u00f3 Coherent el 10 de octubre; a cambio de sus participaciones han suscrito acuerdos de suministro a largo plazo con Coherent.<\/p>\n
El SiC, abreviatura de carbono de silicio, es un compuesto qu\u00edmico duro con una estructura cristalina parecida a la del diamante. Aunque se encuentra de forma natural como mineral de moissanita, desde 1893 se produce en masa en forma de polvo o cristal y se utiliza en aplicaciones de cer\u00e1mica dura como frenos de autom\u00f3viles, embragues y placas de chalecos antibalas. Tambi\u00e9n pueden cultivarse grandes cristales individuales y tallarse en gemas conocidas como gemas de moissanita sint\u00e9tica o molerse en materiales industriales como al\u00famina y carburo de tungsteno para usos de fabricaci\u00f3n.<\/p>\n
El negocio de SiC de Coherent cuenta con una s\u00f3lida trayectoria en el suministro de obleas para dispositivos de electr\u00f3nica de potencia. La conductividad t\u00e9rmica del SiC, l\u00edder en el mercado, permite a los m\u00f3dulos de potencia disipar el calor con mayor eficacia, lo que ayuda a reducir la p\u00e9rdida de potencia y aumentar el rendimiento, mientras que sus propiedades el\u00e9ctricas superiores suponen una ventaja sobre el silicio.<\/p>\n
El carburo de silicio destaca por sus propiedades t\u00e9rmicas, as\u00ed como por su bajo coeficiente de dilataci\u00f3n, lo que lo hace adecuado para su uso en aplicaciones de alta tensi\u00f3n. Adem\u00e1s, su durabilidad es impresionante, con una relaci\u00f3n resistencia-peso excepcional y unas caracter\u00edsticas de f\u00e1cil mecanizado que lo hacen atractivo para su uso en herramientas de precisi\u00f3n.<\/p>\n
La nueva filial involucrar\u00e1 a los clientes en cada paso de la creaci\u00f3n de sus dispositivos, desde la fabricaci\u00f3n de sustratos de SiC y obleas epitaxiales hasta el dise\u00f1o de los componentes que conforman los dispositivos y m\u00f3dulos acabados. Khan afirma que el objetivo de su empresa es entender a sus clientes y crear soluciones adaptadas espec\u00edficamente a sus necesidades, y cree que la nueva filial puede captar una parte sustancial de este mercado en crecimiento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Coherent ha anunciado que DENSO, con sede en Jap\u00f3n, y Mitsubishi Electric invertir\u00e1n conjuntamente $1.000 millones en su negocio de sustratos de SiC, creando una filial que ofrecer\u00e1 sustratos de SiC de 150 mm y 200 mm, as\u00ed como obleas epitaxiales. El SiC es un material atractivo para los semiconductores de potencia, ya que puede reducir la p\u00e9rdida de potencia funcionando a temperaturas m\u00e1s altas que ...<\/p>\n