Aproveche las inigualables capacidades de eficiencia, frecuencia, temperatura y tensi\u00f3n del carburo de silicio con los m\u00f3dulos ACEPACK DRIVE dise\u00f1ados espec\u00edficamente para aprovechar el bajo RDS(on) y las p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n limitadas para proporcionar una mayor densidad de potencia, un menor espacio ocupado y menores necesidades de refrigeraci\u00f3n en inversores de tracci\u00f3n HEV\/EV.<\/p>\n
Sin embargo, las propiedades mec\u00e1nicas del SiC pueden obstaculizar sus capacidades de ciclo de potencia cuando se expone a aplicaciones de tensi\u00f3n repetida. Esto es especialmente evidente en las juntas de soldadura entre el chip y el sustrato, donde las tensiones repetidas degradan el material y acortan la vida \u00fatil del dispositivo.<\/p>\n
SEMITOP E1\/E2 es una completa soluci\u00f3n de m\u00f3dulos de potencia basada en tecnolog\u00edas de chip de vanguardia que permite a los dise\u00f1adores alcanzar niveles \u00f3ptimos de rendimiento en sus dise\u00f1os. Ideal para aplicaciones de potencia baja y media de hasta 70 kW, sus dise\u00f1os compactos y de baja inductancia y sus tecnolog\u00edas de chip hacen que esta plataforma modular sea id\u00f3nea para SAI, energ\u00eda solar (incluido un bus de hasta 1500 VCC para soluciones de inversores en cadena), accionamientos de motores y fuentes de alimentaci\u00f3n, as\u00ed como para los mercados emergentes de cargadores de bater\u00edas de veh\u00edculos el\u00e9ctricos.<\/p>\n
La tecnolog\u00eda HEMT de GaN destaca como una alternativa impresionante a las tecnolog\u00edas m\u00e1s convencionales en t\u00e9rminos de eficiencia y fiabilidad, ya que presenta una eficiencia de conversi\u00f3n de energ\u00eda significativamente mejorada, mejor atenuaci\u00f3n de EMI, mayor frecuencia de conmutaci\u00f3n, hist\u00e9resis reducida, as\u00ed como menores p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n que mejoran la densidad de potencia.<\/p>\n
Los m\u00f3dulos de potencia SEMITOP E1 y E2 IGBT de 7\u00aa generaci\u00f3n fueron los primeros IGBT dise\u00f1ados espec\u00edficamente para abordar topolog\u00edas de accionamiento convencionales como los accionamientos CIB, sixpack y halfbridge. Su tama\u00f1o compacto, su arquitectura flexible y su total compatibilidad con los paquetes est\u00e1ndar del sector los convierten en una propuesta de valor excepcional en cuanto a coste y rendimiento. Su plataforma consta de m\u00f3dulos de 12 mm de altura sin placa base que incorporan dos tornillos de montaje laterales junto con una filosof\u00eda de rejilla de patillas sin soldadura para facilitar la conexi\u00f3n a la placa de circuito impreso; adem\u00e1s, su combinaci\u00f3n de interruptor de potencia HEMT de GaN combinado con IGBT de alto rendimiento garantiza la seguridad de la cadena de suministro para aplicaciones que necesitan un alto rendimiento a un coste competitivo.<\/p>\n
Los semiconductores de SiC tienen una conductividad t\u00e9rmica tres veces superior a la del silicio, por lo que ofrecen p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n mucho menores y mayor densidad de potencia con factores de forma m\u00e1s peque\u00f1os y convertidores de potencia m\u00e1s fr\u00edos para accionamientos de motores industriales, equipos m\u00e9dicos, sistemas aeroespaciales y sistemas de accionamiento de tracci\u00f3n m\u00e1s silenciosos y energ\u00e9ticamente eficientes.<\/p>\n
La plataforma HM presenta una amplia selecci\u00f3n de m\u00f3dulos de 62 mm adecuados para topolog\u00edas de conmutaci\u00f3n dura como LLC y ZVS, con controladores de puerta inteligentes basados en el chipset CISSOID HADES2 para aprovechar al m\u00e1ximo las bajas p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n de la tecnolog\u00eda SiC y el funcionamiento a altas temperaturas de hasta 175 \u00baC.<\/p>\n
ROHM ofrece soluciones de alimentaci\u00f3n de SiC de alto rendimiento que utilizan carcasas est\u00e1ndar de la industria con tecnolog\u00edas de embalaje avanzadas, presentando una baja inductancia de conmutaci\u00f3n del m\u00f3dulo necesaria para frecuencias de conmutaci\u00f3n m\u00e1s altas y componentes de filtro magn\u00e9tico reducidos, lo que conduce a una conversi\u00f3n de potencia eficiente y a la reducci\u00f3n de los costes totales del sistema.<\/p>\n
Los m\u00f3dulos de la serie HM presentan un elevado coeficiente de temperatura RDS(on) para minimizar la p\u00e9rdida de potencia, lo que los hace id\u00f3neos para aplicaciones que requieren una gran fiabilidad, como los inversores industriales y de automoci\u00f3n. Su durabilidad tambi\u00e9n los hace id\u00f3neos para su uso en veh\u00edculos h\u00edbridos, ya que pueden manejar m\u00e1s corriente que los dispositivos basados en silicio, al tiempo que funcionan a temperaturas m\u00e1s elevadas, lo que reduce el tama\u00f1o y el peso totales de los inversores.<\/p>\n
Los m\u00f3dulos de potencia ACEPACK DRIVE de ST utilizan MOSFET de potencia de SiC de segunda y tercera generaci\u00f3n de \u00faltima generaci\u00f3n en una topolog\u00eda compacta sixpack dise\u00f1ada espec\u00edficamente para inversores de tracci\u00f3n de veh\u00edculos el\u00e9ctricos de alta eficiencia. La utilizaci\u00f3n de un encapsulado de cobre de uni\u00f3n directa (DBC) fabricado con nitruro de aluminio proporciona una mayor conductividad t\u00e9rmica. La disposici\u00f3n sim\u00e9trica de las patillas entre los interruptores de alta y baja tensi\u00f3n elimina los errores de montaje gracias a su sistema poka-yoke con patillas X e Y para garantizar una alineaci\u00f3n correcta con las placas de control.<\/p>\n
Equipados con MOSFETs de potencia de SiC STPOWER de tercera generaci\u00f3n, los m\u00f3dulos ACEPACK DRIVE alcanzan cifras de m\u00e9rito l\u00edderes en el sector basadas en RDS(on) por \u00e1rea de matriz y p\u00e9rdidas de conmutaci\u00f3n limitadas. Adem\u00e1s, ofrecen un rendimiento superior cuando funcionan en modo de rectificaci\u00f3n s\u00edncrona, lo que ayuda a reducir los ciclos de carga y aumenta la autonom\u00eda de los veh\u00edculos el\u00e9ctricos.<\/p>\n
Estos m\u00f3dulos utilizan tecnolog\u00eda de sinterizaci\u00f3n para obtener un paquete fiable que los fabricantes pueden integrar f\u00e1cilmente en los accionamientos de veh\u00edculos el\u00e9ctricos. Disponibles con varias potencias nominales para satisfacer las necesidades de tensi\u00f3n de funcionamiento de los inversores. Las bater\u00edas ADP280120W3, ADP360120W3 y ADP480120W3 de 1200 V ya est\u00e1n en plena producci\u00f3n, mientras que las versiones de 750 V (ADP46075W3 y ADP61075W3) deber\u00edan estar disponibles en marzo de 2023. Estos m\u00f3dulos ofrecen una soluci\u00f3n plug-and-play sencilla para inversores de tracci\u00f3n de veh\u00edculos el\u00e9ctricos compatibles con refrigeraci\u00f3n l\u00edquida directa, con conjuntos de aletas de patilla para una disipaci\u00f3n eficiente del calor. Para simular su comportamiento t\u00e9rmico se cre\u00f3 un modelo t\u00e9rmico de elementos finitos (FEM) en 3D dependiente del tiempo, que se valid\u00f3 frente a los datos experimentales teniendo en cuenta la conductividad t\u00e9rmica de las capas de soldadura en funci\u00f3n de la temperatura y se valid\u00f3 como exacto.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Take advantage of silicon carbide’s unparalleled efficiency, frequency, temperature and voltage capabilities with ACEPACK DRIVE modules designed specifically to take advantage of low RDS(on) and limited switching losses to provide higher power density, smaller footprint and reduced cooling needs in HEV\/EV traction inverters. However, SiC’s mechanical properties can impede its power cycling capabilities when exposed …<\/p>\n