United Silicon Carbide Inc

United Silicon Carbide, Inc es un fabricante de semiconductores especializado en semiconductores de potencia de carburo de silicio y diodos para clientes de toda Nueva Jersey.

Los diodos Schottky de SiC y los JFET ofrecen niveles de eficiencia energética que cambian el sector en mercados clave que fomentan una economía más ecológica, como la recarga de vehículos eléctricos. Su rendimiento de conmutación superior mejora el tiempo de carga y la autonomía de los vehículos eléctricos; su electrónica tolerante a la radiación y apta para temperaturas extremas es vital para las misiones previstas por la NASA, como la exploración in situ de Venus o la realización de misiones de larga duración Europa-Júpiter.

Presentación de la empresa

United Silicon Carbide fabrica dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) como FET, JFET y diodos Schottky para clientes de toda Nueva Jersey. En la actualidad, la empresa presta servicio a clientes que demandan FET de SiC como FETs/JFETs o dispositivos de diodos Schottky.

USCI, empresa derivada de la Universidad de Rutgers, proporciona a los diseñadores herramientas que mejoran la eficiencia energética en mercados clave que impulsan las economías ecológicas. Sus productos mejoran el rendimiento y la fiabilidad de los cargadores de vehículos eléctricos, los convertidores CC-CC y los accionamientos de tracción; permiten reducir costes en los centros de datos; y prolongan la vida útil de los inversores solares fotovoltaicos, entre otras muchas aplicaciones.

Los FET de SiC de cuarta generación de USCI presentan una tensión máxima de funcionamiento de 750 V y una baja resistencia RDS(on) de 5,9 miliohmios, lo que proporciona a múltiples industrias una mayor eficiencia a la vez que reduce los costes del sistema. Utilizando su exclusiva configuración en cascada, sus FET de SiC de alta velocidad combinan una rápida velocidad de conmutación con una resistencia a la conexión ultrabaja para niveles de tensión más altos en encapsulados más pequeños para aplicaciones de mayor densidad de potencia.

Qorvo adquirió con éxito United Silicon Carbide el 3 de noviembre de 2021. Entre los inversores figuran Qorvo, Paycheck Protection Program, GHO Ventures y JumpStart NJ Angel Network como inversores en United Silicon Carbide.

United Silicon Carbide está causando sensación en el sector de los vehículos eléctricos con su innovadora tecnología de semiconductores de SiC, que ha revolucionado desde la investigación universitaria hasta su adopción en el mercado de masas. Chrissie Gagliardi habla de su experiencia al llevar la tecnología de materiales de vanguardia del laboratorio universitario al mercado de masas, así como de sus planes para seguir expandiendo su negocio e influir positivamente en la sociedad.

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Productos y servicios

United Silicon Carbide fabrica dispositivos semiconductores. Esta empresa está especializada en semiconductores de potencia de carburo de silicio y diodos y presta servicios a clientes de toda Nueva Jersey.

El carburo de silicio (SiC) es un compuesto químico duro formado por silicio y carbono. Este último suele tomar la forma de grafito negro derivado del carbón o de depósitos minerales naturales de moissanita. El SiC es un semiconductor, lo que significa que conduce la electricidad a altas temperaturas y tensiones, además de ser un abrasivo. Los granos de SiC también pueden combinarse para crear cerámicas muy duras utilizadas en aplicaciones que requieren una gran resistencia, como los frenos y embragues de los automóviles; las piedras preciosas sintéticas de moissanita también pueden cortarse para crear cerámicas muy duras utilizadas en aplicaciones que requieren una gran resistencia, como los frenos y embragues de los automóviles, aunque son materiales poco comunes. El SiC se produce comercialmente como monocristales para su uso en dispositivos electrónicos y se produce comercialmente como polvos o monocristales para su uso dentro de dispositivos electrónicos a pesar de ser un material raro en sí mismo.

Los FET y JFET de SiC se han convertido en un componente de uso generalizado en aplicaciones electrónicas, sobre todo en aplicaciones de potencia que se benefician de sus índices de eficiencia superiores a los de los IGBT y MOSFET de silicio. Entre las aplicaciones que utilizan FETs/JFETs de SiC destacan los cargadores, los convertidores CC-CC, los accionamientos de tracción para vehículos eléctricos, así como las fuentes de alimentación para telecomunicaciones y servidores; los accionamientos de motores de velocidad variable; los accionamientos de frecuencia variable y los inversores solares fotovoltaicos (FV).

Las misiones de la NASA requieren componentes electrónicos resistentes a la radiación y capaces de funcionar a temperaturas extremas, como las misiones de exploración in situ de Venus y Europa-Júpiter, que operarán a temperaturas de hasta 350 grados centígrados. Estas misiones requieren componentes electrónicos con sólidas características de gestión térmica para funcionar con seguridad en estas condiciones extremas.

El SiC es un material ideal para espejos de telescopios astronómicos por su bajo coeficiente de dilatación térmica y su rigidez; tanto los espejos del telescopio espacial Herschel como los del observatorio Gaia utilizan este material. Además, el SiC ofrece resistencia a los golpes, lo que lo hace adecuado para equipos militares como los sistemas láser.

UnitedSiC (ahora Qorvo) está impulsando la adopción del SiC proporcionando una tecnología de dispositivos innovadora que ofrece niveles de rendimiento, fiabilidad y eficiencia energética líderes en el mundo para aplicaciones avanzadas alimentadas por baterías. UnitedSiC es el único fabricante sin fábrica que ofrece transistores de potencia, rectificadores y subsistemas de SiC que pueden combinarse en módulos completos; además, su cartera de semiconductores de potencia cuenta con varios valores nominales de tensión/corriente en encapsulados Kelvin de 4 terminales para permitir a los diseñadores alcanzar el rendimiento deseado del sistema sin concesiones.

Atención al cliente

Si tiene alguna pregunta o necesita ayuda con sus productos y servicios, no dude en ponerse en contacto directamente por correo electrónico, número de teléfono, chat en directo o visite su sitio web, donde encontrará más información sobre esta empresa y sus ofertas.

United Silicon Carbide, Inc (USCi) ofrece dispositivos semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) que proporcionan eficiencia energética a costes asequibles para mercados clave dentro de la nueva economía verde. Nuestros FET de SiC, JFET y diodos Schottky permiten soluciones de alimentación asequibles dentro de estos mercados clave que impulsan este movimiento ecológico global.

USCI se fundó en 1993 y tiene su sede en Monmouth Junction (Nueva Jersey). Está especializada en dispositivos de alimentación de carburo de silicio (SiC) y fue una de las primeras empresas en desarrollar esta tecnología. La Gobernadora de Nueva Jersey, Kim Guadagno, se unió a otros funcionarios estatales y locales en una ceremonia de inauguración de sus instalaciones ampliadas en Monmouth Junction para celebrar la expansión de USCI.

Qorvo ha adquirido United Silicon Carbide de Princeton, que fabrica componentes de alimentación de carburo de silicio (SiC). Esta adquisición amplía la presencia de Qorvo en mercados de rápido crecimiento como los cargadores de vehículos eléctricos, la energía industrial, la protección de circuitos, las energías renovables y los centros de datos.

Póngase en contacto con nosotros

United Silicon Carbide fabrica semiconductores. La empresa produce semiconductores de potencia de carburo de silicio (SiC) diseñados para satisfacer aplicaciones de alta eficiencia y atiende a clientes de Nueva Jersey desde su sede en Princeton, Nueva Jersey. Fundada en 1999 y situada en las proximidades.

Entre los inversores de United Silicon Carbide se encuentran Qorvo, GHO Ventures y JumpStart NJ Angel Network. Con más de 80 SiC FETs, JFETs y dispositivos de diodos Schottky que ofrecen nuevos niveles de eficiencia energética de carburo de silicio y rendimiento crítico para vehículos eléctricos, energía industrial, sistemas de protección de circuitos, energías renovables y sistemas de alimentación de centros de datos; United Silicon Carbide ofrece su cartera de productos para satisfacer esta necesidad.

La empresa ofrece semiconductores de potencia y diodos de SiC de alta eficiencia, así como soluciones que utilizan inversores, convertidores CC-CC y accionamientos de tracción basados en SiC para la gestión avanzada de la energía, cargadores de baterías e inversores solares fotovoltaicos.

El carburo de silicio (SiC), comúnmente conocido como carborundo, es un compuesto químico extremadamente duro formado por átomos de silicio y carbono. El carburo de silicio, que se encuentra en la naturaleza en forma de la rara gema moissanita, se produce en masa desde 1893 en forma de polvo y cristal para su uso como abrasivo. Los granos de SiC también pueden unirse para formar materiales cerámicos como los utilizados en las pastillas de freno de los automóviles o en los chalecos antibalas, o tallarse para formar piedras preciosas conocidas como moissanita sintética.

United Silicon Carbide tiene unos 50 empleados. Sus ingresos anuales oscilan entre uno y cincuenta millones de USD y están en constante crecimiento; su código SIC es 0115, mientras que el código NAICS es 211320.

United Silicon Carbide ha anunciado en un comunicado de prensa que ha establecido una asociación de distribución mundial exclusiva con Digi-Key Electronics para comercializar y distribuir su gama completa de semiconductores de carburo de silicio (SiC) de potencia y gestión de potencia para una amplia gama de aplicaciones de los clientes. A través de esta alianza, los clientes tendrán acceso a la tecnología punta de semiconductores de potencia de SiC en Digi-Key.

Los clientes de USCi se beneficiarán del acceso a los MOSFETs, HEMTs y diodos de SiC producidos por USCi, lo que aumentará la flexibilidad de diseño a la hora de desarrollar productos electrónicos que requieran alta fiabilidad y rendimiento en entornos difíciles, como los productos de automoción, industriales, aeroespaciales o de defensa. Además, esta asociación les proporcionará una ventanilla única para todas sus necesidades de semiconductores de potencia.