Silicon Carbide Parts

Silicon carbide, commonly referred to as SSiC, is a hard, chemically inert material used in various applications including sandblasting nozzles and grinding wheels. Silicon Carbide can be machined in either its green or biscuit state; however, for precise tolerances to be reached it must first be sintered and processed using costly diamond grinding processes – …

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Silicon Carbide Schottky Diode

Silicon carbide schottky diodes offer an alternative to conventional silicon devices, boasting lower forward voltage drops and greater operating temperatures tolerance, in addition to boasting high reverse breakdown voltages and providing superior surge current capability than regular silicon models. Wide band gap devices can be utilized in hard-switching applications like electric vehicle (EV) charging stations, …

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Silicon Carbide Is Plotted to Power Everything From Electric Vehicles and Fast Chargers to Renewable Energy Capture and Storage

With 36 years of experience working with silicon carbide, Cree/Wolfspeed believes it has the knowledge and capabilities needed to power everything from electric vehicles and fast chargers, 5G wireless infrastructure and renewable energy capture and storage applications. The Company boasts an expansive opportunity pipeline and is rapidly increasing capacity by opening new fabs and facilities, …

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Silicon Carbide Armor Saves Lives

Silicon carbide armor has been praised for saving lives during terrorist attacks, mass shootings and other high-risk situations. Due to its unique atomic structure and energy absorption properties, this material makes an excellent shield against projectiles that could otherwise strike at personnel. Silicon carbide has emerged as an attractive option due to its superior multi-hit …

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What Is Silicon Carbide Electrical Conductivity?

Silicon carbide (SiC) is an intermetallic solid that lies somewhere between metals (which conduct electricity) and insulators, with wide band gaps and high electron mobility, making it an attractive material choice for power electronics applications. Silicon’s ability to resist chemical attack at high temperatures and its strength across a broad temperature range make it ideal …

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Was ist Siliziumkarbid?

Siliciumcarbid ist eine inerte chemische Verbindung mit hohem Schmelz- und Siedepunkt, die zu nicht reaktiven Keramikplatten verarbeitet werden kann, die in kugelsicheren Westen verwendet werden. Da es auch ein Halbleitermaterial ist, eignet sich Siliziumkarbid hervorragend als Werkstoff. Aufgrund seiner außergewöhnlichen elektrischen Eigenschaften hat Silizium das Potenzial, die Reichweite von Elektrofahrzeugen um ...

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Vorteile von Siliziumkarbid-MOSFETs

Leistungshalbleiter mit breiter Bandlücke, wie z. B. Siliziumkarbid-MOSFETs, erfreuen sich zunehmender Beliebtheit in elektronischen Schaltkreisen, da ihre überlegene Leistung im Vergleich zu herkömmlichen Leistungshalbleitern auf Siliziumbasis sie zu attraktiven Lösungen macht. MOSFETs bestehen aus drei Anschlüssen, die als Source, Drain und Gate bezeichnet werden. Das Anlegen einer positiven Spannung an das Gate erzeugt ein elektrisches Feld, das ...

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Fuji Siliziumkarbid-Führungen

Fuji-Führungsringe aus Siliziumkarbid (SiC) gelten als eines der hochwertigsten Materialien auf dem Markt. Das härteste und haltbarste Material bietet eine unvergleichliche Abriebfestigkeit und eine Diamantpolitur, die für einen der glattesten Ringe auf dem Markt sorgt. Das Geheimnis der Stärke von Fuji liegt im tiefgepressten Ringdesign. Dies gewährleistet einen besseren Halt zwischen Ringen und Rahmen ...

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Die Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit von Siliziumkarbid

Siliciumcarbid ist eine außergewöhnlich harte, kristalline Keramik mit hervorragender Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit, die hohen Temperaturen ohne thermische Ausdehnung und chemischer Stabilität standhalten kann. Kürzlich berichteten wir über rekordverdächtige isotrope phononische Kristall-Wärmeleitfähigkeit (k) bei Raumtemperatur in 3C-SiC-Bulkkristallen im Wafer-Maßstab bei Temperaturen oberhalb der Raumtemperatur; unser Wert war über 50% höher ...

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