Karbid k\u0159em\u00edku se st\u00e1v\u00e1 st\u00e1le obl\u00edben\u011bj\u0161\u00edm materi\u00e1lem pro v\u00fdkonov\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 aplikace d\u00edky sv\u00e9 schopnosti zvl\u00e1dat vy\u0161\u0161\u00ed nap\u011b\u0165ov\u00e9 n\u00e1roky. Spole\u010dnost Bosch ned\u00e1vno investovala odhadem 1,5 miliardy dolar\u016f do modernizace sv\u00fdch za\u0159\u00edzen\u00ed v Roseville v Kalifornii a za\u010dala vyr\u00e1b\u011bt \u010dipy SiC na 200mm desti\u010dk\u00e1ch.<\/p>\n
Dal\u0161\u00ed v\u00fdznamn\u00ed v\u00fdrobci \u010dip\u016f, jako nap\u0159\u00edklad Infineon Technologies a Onsemi, rovn\u011b\u017e roz\u0161i\u0159uj\u00ed sv\u00e9 v\u00fdrobn\u00ed kapacity, aby pln\u011b vyu\u017eili potenci\u00e1l technologie \u0161irok\u00e9ho p\u00e1sma pro sn\u00ed\u017een\u00ed n\u00e1klad\u016f a zv\u00fd\u0161en\u00ed efektivity.<\/p>\n
Spole\u010dnost Wolfspeed je pr\u016fkopn\u00edkem technologie polovodi\u010d\u016f z karbidu k\u0159em\u00edku a stoj\u00ed v \u010dele jej\u00edho p\u0159echodu z tradi\u010dn\u00edch k\u0159em\u00edkov\u00fdch \u010dip\u016f na r\u016fzn\u00fdch kl\u00ed\u010dov\u00fdch trz\u00edch. Spole\u010dnost se m\u016f\u017ee pochlubit v\u00fdhodou prvn\u00edho hr\u00e1\u010de a rozs\u00e1hl\u00fdm portfoliem patent\u016f a ji\u017e nyn\u00ed se m\u016f\u017ee pochlubit v\u00fdznamn\u00fdmi z\u00e1kazn\u00edky, p\u0159i\u010dem\u017e buduje nov\u00e9 z\u00e1vody, aby uspokojila rostouc\u00ed popt\u00e1vku; spole\u010dnost Wolfspeed nav\u00edc uzav\u0159ela v\u00fdznamn\u00e9 smlouvy s v\u00fdrobci OEM, kter\u00e9 podporuj\u00ed jej\u00ed rychlou expanzi.<\/p>\n
Spole\u010dnost Wolfspeed vyvinula inovativn\u00ed proces kultivace krystal\u016f karbidu k\u0159em\u00edku do podoby desti\u010dek, kter\u00e9 se n\u00e1sledn\u011b zpracov\u00e1vaj\u00ed na \u010dipy, d\u00edky \u010demu\u017e jsou tyto \u010dipy \u00fa\u010dinn\u011bj\u0161\u00ed ne\u017e b\u011b\u017en\u00e9 k\u0159em\u00edkov\u00e9 \u010dipy a mohou pracovat p\u0159i vy\u0161\u0161\u00edm nap\u011bt\u00ed, co\u017e vede ke sn\u00ed\u017een\u00ed elektrick\u00fdch ztr\u00e1t a prodlou\u017een\u00ed \u017eivotnosti bateri\u00ed pro elektromobily. Jejich vy\u0161\u0161\u00ed v\u00fdkon nav\u00edc umo\u017e\u0148uje ten\u010d\u00ed zapojen\u00ed a men\u0161\u00ed sou\u010d\u00e1stky - co\u017e d\u00e1le sni\u017euje v\u00fdrobn\u00ed n\u00e1klady a hmotnost.<\/p>\n
Spole\u010dnost Wolfspeed tak\u00e9 u\u010dinila v\u00fdznamn\u00fd pokrok sm\u011brem k podpisu dlouhodob\u00e9 dohody o dod\u00e1vk\u00e1ch s jedn\u00edm z hlavn\u00edch dodavatel\u016f pro automobilov\u00fd pr\u016fmysl, \u010d\u00edm\u017e podpo\u0159ila ned\u00e1vno podepsan\u00e9 dohody se spole\u010dnostmi Renesas a Infineon a z\u00e1rove\u0148 dos\u00e1hla v\u00fdznamn\u00e9ho pokroku v r\u00e1mci sv\u00e9 dlouhodob\u00e9 strategie r\u016fstu. Aby spole\u010dnost Wolfspeed uspokojila rostouc\u00ed popt\u00e1vku po sv\u00fdch \u010dipech z karbidu k\u0159em\u00edku, roz\u0161i\u0159uje sv\u00e1 za\u0159\u00edzen\u00ed, v\u010detn\u011b v\u00fdstavby tov\u00e1rny na v\u00fdrobu materi\u00e1l\u016f v hodnot\u011b n\u011bkolika miliard dolar\u016f ve sv\u00e9m s\u00eddle v Durhamu v Severn\u00ed Karol\u00edn\u011b, kter\u00e1 desetin\u00e1sobn\u011b zv\u00fd\u0161\u00ed v\u00fdrobn\u00ed kapacitu a bude vyr\u00e1b\u011bt v\u011bt\u0161\u00ed ne\u017e 150mm (8 palc\u016f) desti\u010dky, kter\u00e9 se v sou\u010dasnosti pou\u017e\u00edvaj\u00ed p\u0159i v\u00fdrob\u011b polovodi\u010d\u016f.<\/p>\n
Tato investice zlep\u0161\u00ed v\u00fdnosy a sn\u00ed\u017e\u00ed n\u00e1klady, \u010d\u00edm\u017e se zv\u00fd\u0161\u00ed ziskovost. Krom\u011b toho nab\u00edz\u00ed sv\u00fdm zam\u011bstnanc\u016fm konkurenceschopn\u00e9 bal\u00ed\u010dky v\u00fdhod, jako jsou zdravotn\u00ed a penzijn\u00ed pl\u00e1ny.<\/p>\n
Spole\u010dnost Wolfspeed d\u00edky sv\u00fdm investic\u00edm v\u00fdznamn\u011b roz\u0161\u00ed\u0159ila sv\u016fj pod\u00edl na trhu v odv\u011btv\u00ed nap\u00e1jec\u00edch za\u0159\u00edzen\u00ed, p\u0159it\u00e1hla v\u00edce investic a zaznamenala rychlej\u0161\u00ed r\u016fst tr\u017eeb ne\u017e jej\u00ed odv\u011btv\u00ed. O\u010dek\u00e1vaj\u00ed, \u017ee jejich spole\u010dnost v p\u0159\u00ed\u0161t\u00edch letech za\u017eije rychlou expanzi a m\u011bla by dosahovat zna\u010dn\u00fdch zisk\u016f; tyto investice v\u0161ak vy\u017eaduj\u00ed obrovsk\u00e9 mno\u017estv\u00ed kapit\u00e1lu, co\u017e m\u016f\u017ee zpo\u010d\u00e1tku v\u00e9st k z\u00e1porn\u00fdm voln\u00fdm pen\u011b\u017en\u00edm tok\u016fm, kter\u00e9 by se v\u0161ak m\u011bly zlep\u0161it, jakmile bude jejich za\u0159\u00edzen\u00ed vybudov\u00e1no.<\/p>\n
STMicroelectronics je mezin\u00e1rodn\u00ed polovodi\u010dov\u00e1 spole\u010dnost, kter\u00e1 navrhuje a vyr\u00e1b\u00ed \u0161irokou \u0161k\u00e1lu produkt\u016f. Spole\u010dnost m\u00e1 v\u00edce ne\u017e 60let\u00e9 ko\u0159eny a m\u016f\u017ee se pochlubit siln\u00fdm postaven\u00edm v pr\u016fmyslu i v odv\u011btv\u00ed spot\u0159ebn\u00ed elektroniky; je jedn\u00edm z jejich hlavn\u00edch dodavatel\u016f. Spole\u010dnost STMicroelectronics provozuje tov\u00e1rny po cel\u00e9m sv\u011bt\u011b - v italsk\u00e9 Catanii, malajsijsk\u00e9m Muaru, \u010d\u00ednsk\u00e9m \u0160en-\u010denu a Singapuru - a je k\u00f3tov\u00e1na na burz\u00e1ch v New Yorku a Pa\u0159\u00ed\u017ei, co\u017e umo\u017e\u0148uje snadn\u00fd glob\u00e1ln\u00ed p\u0159\u00edstup.<\/p>\n
Spole\u010dnost STMicroelectronics uvedla na trh prvn\u00ed za\u0159\u00edzen\u00ed z karbidu k\u0159em\u00edku v roce 2004 po rozs\u00e1hl\u00e9m v\u00fdzkumu a v\u00fdvoji a od t\u00e9 doby buduje sv\u00e9 portfolio st\u0159edn\u011b a vysokonap\u011b\u0165ov\u00fdch SiC diod, MOSFET\u016f a dal\u0161\u00edch v\u00fdkonov\u00fdch polovodi\u010d\u016f. Krom\u011b toho STM nab\u00edz\u00ed vlastn\u00ed \u0159e\u0161en\u00ed pro \u0159\u00edzen\u00ed nap\u00e1jen\u00ed na b\u00e1zi SiC navr\u017een\u00e1 pro konkr\u00e9tn\u00ed aplikace.<\/p>\n
Sou\u010dasn\u00e1 v\u00fdroba SiC produkt\u016f STPOWER v Catanii a Ang Mo Kio sest\u00e1v\u00e1 ze dvou linek na 150mm pl\u00e1tky; mont\u00e1\u017e a testov\u00e1n\u00ed fin\u00e1ln\u00edch produkt\u016f prob\u00edh\u00e1 v koncov\u00fdch z\u00e1vodech v \u0160en-\u010denu, respektive v Bouskou\u0159e. Do budoucna se po\u010d\u00edt\u00e1 s nav\u00fd\u0161en\u00edm kapacity pro v\u00fdrobu 200mm desti\u010dek p\u0159i sou\u010dasn\u00e9m zv\u00fd\u0161en\u00ed intern\u00edch zdroj\u016f substr\u00e1t\u016f na 40% do roku 2024.<\/p>\n
Nap\u00e1jec\u00ed za\u0159\u00edzen\u00ed na b\u00e1zi SiC maj\u00ed oproti k\u0159em\u00edkov\u00fdm za\u0159\u00edzen\u00edm n\u011bkolik v\u00fdrazn\u00fdch v\u00fdhod, v\u010detn\u011b vy\u0161\u0161\u00ed \u00fa\u010dinnosti, rychlej\u0161\u00edch sp\u00ednac\u00edch \u010das\u016f, ni\u017e\u0161\u00edch ztr\u00e1t a ni\u017e\u0161\u00edch n\u00e1rok\u016f na tepeln\u00fd management. D\u00edky t\u011bmto vlastnostem jsou za\u0159\u00edzen\u00ed SiC ide\u00e1ln\u00ed pro mnoho aplikac\u00ed \u0159\u00edzen\u00ed nap\u00e1jen\u00ed - zejm\u00e9na pro rychle rostouc\u00ed trhy, jako je e-mobilita a pr\u016fmyslov\u00e9 procesy - a z\u00e1rove\u0148 je lze snadno implementovat do st\u00e1vaj\u00edc\u00edch n\u00e1vrh\u016f bez v\u00fdrazn\u00fdch \u00faprav, co\u017e vede k rychl\u00fdm \u010das\u016fm realizace a v\u00fdrazn\u00fdm \u00faspor\u00e1m n\u00e1klad\u016f.<\/p>\n
Nap\u00e1jec\u00ed \u0159e\u0161en\u00ed na b\u00e1zi karbidu k\u0159em\u00edku pro pou\u017eit\u00ed v automobilov\u00e9m pr\u016fmyslu p\u0159in\u00e1\u0161ej\u00ed revolu\u010dn\u00ed zm\u011bny v konstrukci, proto\u017ee umo\u017e\u0148uj\u00ed vytv\u00e1\u0159et men\u0161\u00ed, leh\u010d\u00ed a kompaktn\u011bj\u0161\u00ed konstrukce a z\u00e1rove\u0148 zvy\u0161uj\u00ed \u00fa\u010dinnost a n\u00e1kladovou efektivitu p\u0159em\u011bny elektrick\u00e9 energie na pohyb. Jsou tak\u00e9 pr\u016fkopn\u00edky nov\u00fdch ekologi\u010dt\u011bj\u0161\u00edch technologi\u00ed nap\u00e1jen\u00ed.<\/p>\n
Spole\u010dnost STMicroelectronics \u00fasp\u011b\u0161n\u011b vytvo\u0159ila glob\u00e1ln\u00ed ekosyst\u00e9m kolem technologie karbidu k\u0159em\u00edku a tato nejnov\u011bj\u0161\u00ed investice tento z\u00e1vazek jen podtrhuje. Tov\u00e1rna bude vybavena pokro\u010dil\u00fdmi n\u00e1stroji pro zpracov\u00e1n\u00ed a novou linkou na v\u00fdrobu pl\u00e1tk\u016f, co\u017e spole\u010dnosti STMicroelectronics umo\u017en\u00ed nab\u00edzet sv\u00fdm z\u00e1kazn\u00edk\u016fm \u0161irokou \u0161k\u00e1lu za\u0159\u00edzen\u00ed z karbidu k\u0159em\u00edku.<\/p>\n
Polovodi\u010de z karbidu k\u0159em\u00edku (SiC) se staly nepostradatelnou sou\u010d\u00e1st\u00ed nap\u00e1jec\u00edch obvod\u016f elektromobil\u016f (EV) d\u00edky sv\u00e9 \u0161irok\u00e9 p\u00e1sov\u00e9 meze\u0159e, stabiln\u00ed m\u0159\u00ed\u017ekov\u00e9 struktu\u0159e a vynikaj\u00edc\u00ed tepeln\u00e9 vodivosti ve srovn\u00e1n\u00ed s k\u0159em\u00edkovou technologi\u00ed. Na rozd\u00edl od k\u0159em\u00edku, kter\u00fd \u010dasem degraduje vlivem radiace, je nav\u00edc SiC st\u00e1le vhodn\u00fd pro kosmick\u00e9 a jadern\u00e9 aplikace - co\u017e je\u0161t\u011b v\u00edce zvy\u0161uje popt\u00e1vku po \u010dipech SiC.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku (SiC) je univerz\u00e1ln\u00ed materi\u00e1l, kter\u00fd je schopen odol\u00e1vat vysok\u00fdm teplot\u00e1m, nap\u011bt\u00edm a frekvenc\u00edm, co\u017e jsou vlastnosti, d\u00edky nim\u017e je vhodn\u00fd pro za\u0159\u00edzen\u00ed v\u00fdkonov\u00e9 elektroniky, jako jsou m\u011bni\u010de, st\u0159\u00edda\u010de, nap\u00e1jec\u00ed zdroje a nab\u00edje\u010dky bateri\u00ed. P\u0159edpokl\u00e1d\u00e1 se, \u017ee do roku 2027 dos\u00e1hne celosv\u011btov\u00e1 hodnota \u010dip\u016f SiC $13,9 miliardy, p\u0159i\u010dem\u017e nejv\u011bt\u0161\u00ed pod\u00edl na trhu bude m\u00edt v\u00fdkonn\u00e1 elektronika, a to kv\u016fli rostouc\u00ed pot\u0159eb\u011b elektrick\u00fdch vozidel, kter\u00e1 vy\u017eaduj\u00ed v\u00fdkonn\u011bj\u0161\u00ed \u010dipy.<\/p>\n
Spole\u010dnost Microchip je p\u0159edn\u00edm dodavatelem produkt\u016f z karbidu k\u0159em\u00edku v oboru. Jej\u00ed \u0161irokou \u0161k\u00e1lu diskr\u00e9tn\u00edch a modul\u00e1rn\u00edch produkt\u016f lze nal\u00e9zt v automobilov\u00fdch, pr\u016fmyslov\u00fdch, dopravn\u00edch a telekomunika\u010dn\u00edch aplikac\u00edch - nap\u0159\u00edklad v automobilech, pr\u016fmyslov\u00fdch stroj\u00edch a telekomunikac\u00edch. Spole\u010dnost s\u00eddl\u00ed v USA a p\u016fsob\u00ed celosv\u011btov\u011b od roku 1996 a jej\u00ed hlavn\u00ed \u010dinnost\u00ed je navrhov\u00e1n\u00ed, v\u00fdvoj a v\u00fdroba elektronick\u00fdch sou\u010d\u00e1stek zam\u011b\u0159en\u00fdch na dlouhodobou spolehlivost p\u0159i sn\u00ed\u017een\u00fdch n\u00e1kladech a rozm\u011brech; a tak\u00e9 komplexn\u00ed portfolio slu\u017eeb a podpory v\u010detn\u011b n\u00e1vrh\u00e1\u0159sk\u00fdch slu\u017eeb, \u0161kolen\u00ed a technick\u00e9 pomoci.<\/p>\n
N\u011bkte\u0159\u00ed v\u00fdrobci \u010dip\u016f maj\u00ed pot\u00ed\u017ee kv\u016fli pandemii COVID-19 a pomal\u00e9mu hospod\u00e1\u0159sk\u00e9mu r\u016fstu, jin\u00ed nach\u00e1zej\u00ed \u00falevu v prodeji elektromobil\u016f. Tento trend podn\u00edtil zv\u00fd\u0161en\u00e9 investice do v\u00fdvoje nov\u00fdch technologi\u00ed; v d\u016fsledku toho se spole\u010dnosti p\u0159ipravuj\u00ed na uspokojen\u00ed zv\u00fd\u0161en\u00fdch po\u017eadavk\u016f na v\u00fdkonov\u00e9 polovodi\u010de.<\/p>\n
Spole\u010dnost ON Semiconductors je p\u0159edn\u00edm dodavatelem polovodi\u010d\u016f SiC a ji\u017e n\u011bkolik let po sob\u011b vykazuje vysok\u00e9 tr\u017eby a zisky. Spole\u010dnost investovala zna\u010dn\u00e9 prost\u0159edky do modern\u00ed tov\u00e1rny v jihokorejsk\u00e9m Bucheonu, kter\u00e1 bude ro\u010dn\u011b vyr\u00e1b\u011bt v\u00edce ne\u017e milion 200mm desti\u010dek; krom\u011b toho provozuje po cel\u00e9m sv\u011bt\u011b n\u011bkolik tov\u00e1ren, kter\u00e9 mohou vyr\u00e1b\u011bt SiC desti\u010dky. Gener\u00e1ln\u00ed \u0159editel Hassane El-Khoury uvedl, \u017ee pokud se popt\u00e1vka bude i nad\u00e1le zvy\u0161ovat, mohou b\u00fdt postaveny nov\u00e9 tov\u00e1rny, ale v\u011b\u0159\u00ed, \u017ee zam\u011b\u0159en\u00ed se na st\u00e1vaj\u00edc\u00ed z\u00e1vody je cestou k efektivn\u00edmu roz\u0161\u00ed\u0159en\u00ed v\u00fdroby.<\/p>\n
Spole\u010dnost GT Advanced Technologies byla zalo\u017eena v roce 1994 jako technologick\u00e1 spole\u010dnost zab\u00fdvaj\u00edc\u00ed se v\u00fdrobou materi\u00e1l\u016f a za\u0159\u00edzen\u00ed pro r\u016fst krystal\u016f pro sol\u00e1rn\u00ed pr\u016fmysl, sv\u011bteln\u00e9 diody (LED), elektroniku a optoelektroniku. Spole\u010dnost GT vyr\u00e1b\u00ed syst\u00e9my pro zpracov\u00e1n\u00ed polyk\u0159em\u00edku a syst\u00e9my pro v\u00fdrobu vl\u00e1ken, trichlorsilanov\u00e9 reaktory, pece pro p\u011bstov\u00e1n\u00ed saf\u00edrov\u00fdch krystal\u016f a tak\u00e9 produkty a slu\u017eby z karbidu k\u0159em\u00edku, jako je 150mm a 200mm SiC p\u0159ipraven\u00fd pro v\u00fdrobu desti\u010dek, a d\u00e1le poskytuje inovativn\u00ed technologick\u00e1 \u0159e\u0161en\u00ed pro trhy s v\u00fdkonov\u00fdmi polovodi\u010di a optoelektronikou.<\/p>\n
S\u00eddlo spole\u010dnosti GT Advanced se nach\u00e1z\u00ed v Hudsonu ve st\u00e1t\u011b New Hampshire. Dne 26. \u010dervna 2018 spole\u010dnost GT Advanced slavnostn\u011b otev\u0159ela sv\u016fj nejmodern\u011bj\u0161\u00ed v\u00fdrobn\u00ed z\u00e1vod na karbid k\u0159em\u00edku (SiC). Z\u00fa\u010dastnili se ho m\u00edstn\u00ed a feder\u00e1ln\u00ed p\u0159edstavitel\u00e9 i zam\u011bstnanci a akcion\u00e1\u0159i. Tento z\u00e1vod bude vyr\u00e1b\u011bt velk\u00e9 mno\u017estv\u00ed SiC pro pou\u017eit\u00ed ve vysoce v\u00fdkonn\u00e9 elektronice.<\/p>\n
Akvizice spole\u010dnosti GT Advanced firmou Onsemi signalizuje n\u00e1vrat k vertik\u00e1ln\u00ed integraci, proto\u017ee popt\u00e1vka po \u010dipech SiC prudce roste. Pro v\u00fdrobu SiC \u010dip\u016f mus\u00ed spole\u010dnosti jako Onsemi nejprve z\u00edskat surov\u00e9 disky zvan\u00e9 wafery od jednoho z omezen\u00e9ho po\u010dtu v\u00fdrobc\u016f; p\u0159ed uzav\u0159en\u00edm dohody s GT Advanced ve Phoenixu vyu\u017e\u00edvala spole\u010dnost Onsemi v\u00fdhradn\u011b produkty spole\u010dnosti Cree Inc (CREE).<\/p>\n
Akvizice spole\u010dnosti GTAT roz\u0161i\u0159uje mo\u017enosti spole\u010dnosti Onsemi p\u0159i zaji\u0161\u0165ov\u00e1n\u00ed a roz\u0161i\u0159ov\u00e1n\u00ed dod\u00e1vek SiC, kter\u00fd je nezbytnou sou\u010d\u00e1st\u00ed polovodi\u010d\u016f nov\u00e9 generace, je\u017e p\u0159in\u00e1\u0161ej\u00ed technick\u00e9 v\u00fdhody a syst\u00e9movou efektivitu v mnoha aplikac\u00edch v\u010detn\u011b elektrick\u00fdch vozidel, nab\u00edjec\u00ed infrastruktury, energetick\u00e9 infrastruktury a infrastruktury pro energetiku. Spole\u010dnou prac\u00ed mohou odborn\u00edci spole\u010dnost\u00ed onsemi a GTAT urychlit v\u00fdvoj SiC a z\u00e1rove\u0148 uspokojit rychle rostouc\u00ed po\u017eadavky z\u00e1kazn\u00edk\u016f na inteligentn\u011bj\u0161\u00ed energetick\u00e1 za\u0159\u00edzen\u00ed, kter\u00e1 p\u0159isp\u00edvaj\u00ed k udr\u017eiteln\u00fdm ekosyst\u00e9m\u016fm.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Karbid k\u0159em\u00edku se st\u00e1v\u00e1 st\u00e1le obl\u00edben\u011bj\u0161\u00edm materi\u00e1lem pro v\u00fdkonov\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 aplikace d\u00edky sv\u00e9 schopnosti zvl\u00e1dat vy\u0161\u0161\u00ed nap\u011b\u0165ov\u00e9 n\u00e1roky. Spole\u010dnost Bosch ned\u00e1vno investovala odhadem 1,5 miliardy dolar\u016f do modernizace sv\u00fdch za\u0159\u00edzen\u00ed v Roseville v Kalifornii a za\u010dala vyr\u00e1b\u011bt \u010dipy SiC na 200mm desti\u010dk\u00e1ch. Dal\u0161\u00ed v\u00fdznamn\u00ed v\u00fdrobci \u010dip\u016f, jako nap\u0159\u00edklad spole\u010dnosti Infineon Technologies a Onsemi, roz\u0161i\u0159uj\u00ed ...<\/p>\n