Karbid k\u0159em\u00edku, ozna\u010dovan\u00fd tak\u00e9 jako karborundum, je slou\u010denina slo\u017een\u00e1 z \u010dist\u00e9ho k\u0159em\u00edku a uhl\u00edku. Tento keramick\u00fd materi\u00e1l m\u00e1 mnoho u\u017eite\u010dn\u00fdch vlastnost\u00ed, v\u010detn\u011b odolnosti v\u016f\u010di abrazivn\u00edm vliv\u016fm, vysok\u00e9 teplotn\u00ed stability a \u0161irok\u00e9 p\u00e1smov\u00e9 mezery mezi polovodi\u010di.<\/p>\n
Spole\u010dnost American Elements nab\u00edz\u00ed vysoce \u010dist\u00fd SiC ACS Reagent Grade a Technical Grade ve standardn\u00edch a p\u0159izp\u016fsoben\u00fdch balen\u00edch. Obra\u0165te se na n\u00e1s pro v\u00edce informac\u00ed!<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku pat\u0159\u00ed mezi nejtvrd\u0161\u00ed keramick\u00e9 materi\u00e1ly. Jeho tvrdost nav\u00edc z\u016fst\u00e1v\u00e1 relativn\u011b neovlivn\u011bna p\u0159i zv\u00fd\u0161en\u00fdch teplot\u00e1ch, tak\u017ee je vhodn\u00fd pro vysokoteplotn\u00ed aplikace, jako jsou vysokoteplotn\u00ed topn\u00e9 prvky v gener\u00e1torech dalek\u00e9ho infra\u010derven\u00e9ho z\u00e1\u0159en\u00ed a chemick\u00fdch reaktorech. Karbid k\u0159em\u00edku nav\u00edc dob\u0159e odol\u00e1v\u00e1 opot\u0159eben\u00ed t\u0159ec\u00edmi silami, tak\u017ee je vhodn\u00fd pro mechanick\u00e9 ucp\u00e1vky pou\u017e\u00edvan\u00e9 v \u010derpac\u00edch syst\u00e9mech a tak\u00e9 ide\u00e1ln\u00ed pro pou\u017eit\u00ed na p\u00edskov\u00e1n\u00ed vst\u0159ikovac\u00edch trysek a topn\u00fdch t\u011bles v gener\u00e1torech dalek\u00e9ho infra\u010derven\u00e9ho z\u00e1\u0159en\u00ed.<\/p>\n
V\u00fdroba karbidu k\u0159em\u00edku obvykle zahrnuje vysokoteplotn\u00ed taven\u00ed surovin, jako je k\u0159emenn\u00fd p\u00edsek a ropn\u00fd koks (nebo uheln\u00fd koks), v odporov\u00e9 peci, p\u0159i\u010dem\u017e vznik\u00e1 zelen\u00fd karbid k\u0159em\u00edku, kter\u00fd se pak rozemele na pr\u00e1\u0161ek a pot\u00e9 se stla\u010d\u00ed na granule, d\u00e1le rozemele a vy\u010dist\u00ed na kone\u010dn\u00fd produkt.<\/p>\n
Granulovan\u00fd SiC je bu\u010f reak\u010dn\u011b v\u00e1zan\u00fd, nebo p\u0159\u00edmo slinut\u00fd, \u010d\u00edm\u017e se vyr\u00e1b\u011bj\u00ed r\u016fzn\u00e9 druhy, p\u0159i\u010dem\u017e reak\u010dn\u011b v\u00e1zan\u00fd tvo\u0159\u00ed ni\u017e\u0161\u00ed n\u00e1klady, ale hrub\u0161\u00ed zrna pro vy\u0161\u0161\u00ed teploty pou\u017eit\u00ed a odolnost proti opot\u0159eben\u00ed ne\u017e p\u0159\u00edmo slinut\u00fd. P\u00e1rov\u00e9 nan\u00e1\u0161en\u00ed nab\u00edz\u00ed \u00fa\u010dinn\u00fd zp\u016fsob v\u00fdroby \u010dist\u0161\u00edch forem materi\u00e1lu pro ur\u010dit\u00e9 aplikace, \u010d\u00edm\u017e se z\u00edsk\u00e1 konzistentn\u011bj\u0161\u00ed mikrostruktura s men\u0161\u00edm mno\u017estv\u00edm ne\u010distot, co\u017e zvy\u0161uje tvrdost z\u00e1\u0159en\u00ed. Vysok\u00e1 radia\u010dn\u00ed tvrdost \u010din\u00ed SiC zvl\u00e1\u0161t\u011b v\u00fdhodn\u00fdm v elektronick\u00fdch aplikac\u00edch, kde jeho atom\u00e1rn\u00ed struktura p\u0159isp\u00edv\u00e1 k rozptylu elektron\u016f a proton\u016f na povrchu a tak\u00e9 k prodlou\u017een\u00ed \u017eivotnosti za\u0159\u00edzen\u00ed p\u0159i dlouhodob\u00e9m vystaven\u00ed z\u00e1\u0159en\u00ed.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku je extr\u00e9mn\u011b tepeln\u011b vodiv\u00fd materi\u00e1l. Vede \u010dty\u0159ikr\u00e1t v\u00edce tepla ne\u017e karbid b\u00f3ru a v\u00edce ne\u017e desetkr\u00e1t v\u00edce tepla ne\u017e diamant, a to d\u00edky atom\u016fm uhl\u00edku, kter\u00e9 tvo\u0159\u00ed kovalentn\u00ed vazbu s jedn\u00edm atomem k\u0159em\u00edku ve st\u0159edu krystalov\u00e9 struktury, co\u017e z n\u011bj \u010din\u00ed vynikaj\u00edc\u00ed volbu pro vysokoteplotn\u00ed aplikace.<\/p>\n
Keramick\u00fd materi\u00e1l je nav\u00edc vysoce odoln\u00fd proti korozi a odol\u00e1v\u00e1 n\u00e1ro\u010dn\u00fdm chemick\u00fdm podm\u00ednk\u00e1m, kter\u00e9 se mohou vyskytovat ve v\u00fdrobn\u00e1ch pap\u00edru, energetick\u00fdch technologi\u00edch a za\u0159\u00edzen\u00edch na zpracov\u00e1n\u00ed oceli. Krom\u011b toho je d\u00edky n\u00edzk\u00e9mu bodu varu a bodu t\u00e1n\u00ed bezpe\u010dn\u00fd pro pou\u017eit\u00ed jako keramick\u00fd materi\u00e1l.<\/p>\n
Sodnov\u00e1penat\u00e9 sklo (SOG) lze dopovat dus\u00edkem nebo fosforem, aby vznikl polovodi\u010d typu n, zat\u00edmco pro aplikace typu p lze p\u0159idat beryllium, b\u00f3r, hlin\u00edk a galium. SOG se \u010dasto vol\u00ed m\u00edsto nitridu k\u0159em\u00edku (SiN) kv\u016fli jeho v\u011bt\u0161\u00edmu povrchu.<\/p>\n
Silikon je nejen v\u00fdjime\u010dn\u00fdm tepeln\u00fdm vodi\u010dem, ale tak\u00e9 neoceniteln\u00fdm materi\u00e1lem pro vyztu\u017een\u00ed pry\u017eov\u00fdch kompozit\u016f. Silikon m\u016f\u017ee zv\u00fd\u0161it tuhost a odolnost pry\u017ee proti od\u011bru a sou\u010dasn\u011b sn\u00ed\u017eit dobu vytvrzov\u00e1n\u00ed a teplotu; nav\u00edc m\u016f\u017ee sn\u00ed\u017eit energii pot\u0159ebnou k vytvrzen\u00ed rovnom\u011brn\u011bj\u0161\u00edm rozpt\u00fdlen\u00edm vytvrzovac\u00edho \u010dinidla v cel\u00e9 sm\u011bsi - ide\u00e1ln\u00ed vlastnosti, d\u00edky nim\u017e je tento materi\u00e1l ide\u00e1ln\u00ed pro v\u00fdrobu pneumatik, pr\u016fmyslov\u00fdch oblo\u017een\u00ed a dal\u0161\u00ed aplikace n\u00e1ro\u010dn\u00e9 na podm\u00ednky.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku m\u00e1 v\u011bt\u0161\u00ed p\u00e1smovou mezeru ne\u017e b\u011b\u017en\u00e9 polovodi\u010dov\u00e9 materi\u00e1ly, co\u017e z n\u011bj \u010din\u00ed ide\u00e1ln\u00ed materi\u00e1l pro v\u00fdkonov\u00e1 za\u0159\u00edzen\u00ed, kter\u00e1 vy\u017eaduj\u00ed vysok\u00e9 provozn\u00ed teploty, vy\u0161\u0161\u00ed sp\u00ednac\u00ed frekvence a vy\u0161\u0161\u00ed energetickou \u00fa\u010dinnost. Krom\u011b toho je karbid k\u0159em\u00edku vynikaj\u00edc\u00edm materi\u00e1lem pro v\u00fdrobu integrovan\u00fdch obvod\u016f (IC), kter\u00e9 usnad\u0148uj\u00ed v\u00fdrobu v\u00fdkonov\u00e9 elektroniky, po\u010d\u00edta\u010dov\u00fdch komponent, r\u00e1diov\u00fdch syst\u00e9m\u016f, optoelektronick\u00e9ho pokroku atd.<\/p>\n
Jeho jedine\u010dn\u00e1 struktura se skl\u00e1d\u00e1 z hexagon\u00e1ln\u00edch vrstev atom\u016f k\u0159em\u00edku a uhl\u00edku uspo\u0159\u00e1dan\u00fdch do kubick\u00fdch m\u0159\u00ed\u017eek s centrovan\u00fdm povrchem (FCC). Atom\u00e1rn\u00ed vazby d\u00e1vaj\u00ed tomuto materi\u00e1lu v\u00fdjime\u010dn\u011b vysokou pevnost vazeb a vytv\u00e1\u0159ej\u00ed kovalentn\u00ed s\u00edt\u011b po cel\u00e9m jeho povrchu - co\u017e vede k v\u00fdjime\u010dn\u011b \u0161irok\u00e9 p\u00e1sov\u00e9 meze\u0159e 3,26 eV.<\/p>\n
\u0160irok\u00e9 energetick\u00e9 mezery v p\u00e1sech umo\u017e\u0148uj\u00ed zv\u00fd\u0161en\u00ed excitace p\u00e1r\u016f elektron-d\u00edra v materi\u00e1lu a vznik foton\u016f rekombinac\u00ed s p\u00e1ry elektron-d\u00edra; v\u00fdsledn\u00e9 sv\u011btlo se naz\u00fdv\u00e1 luminiscence.<\/p>\n
Polovodi\u010de WBG se vyzna\u010duj\u00ed vysok\u00fdm pr\u016frazn\u00fdm nap\u011bt\u00edm, kter\u00e9 jim umo\u017e\u0148uje efektivn\u011b pracovat p\u0159i vy\u0161\u0161\u00edch teplot\u00e1ch, co\u017e vede ke zv\u00fd\u0161en\u00ed hustoty v\u00fdkonu a vynikaj\u00edc\u00ed \u00fa\u010dinnosti. D\u00edky tomu lze v\u00fdkonov\u00e1 za\u0159\u00edzen\u00ed na b\u00e1zi karbidu k\u0159em\u00edku konstruovat s pou\u017eit\u00edm men\u0161\u00edch chladi\u010d\u016f a chladic\u00edch syst\u00e9m\u016f, co\u017e umo\u017e\u0148uje kompaktn\u011bj\u0161\u00ed rozm\u011bry.<\/p>\n
Spole\u010dnost Navitas GeneSiC nab\u00edz\u00ed celou \u0159adu patentovan\u00fdch za\u0159\u00edzen\u00ed, jako jsou SiC Schottkyho diody a p\u0159echodov\u00e9 tranzistory schopn\u00e9 pracovat s nap\u011bt\u00edm a\u017e 1200 V. Chcete-li zjistit, jak m\u016f\u017eete tento v\u00fdkonn\u00fd a z\u00e1rove\u0148 \u00fa\u010dinn\u00fd materi\u00e1l za\u010dlenit do sv\u00e9ho dal\u0161\u00edho konstruk\u010dn\u00edho projektu, kontaktujte n\u00e1s.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku je extr\u00e9mn\u011b tvrd\u00fd a pru\u017en\u00fd materi\u00e1l, kter\u00fd je schopen odol\u00e1vat vysok\u00fdm teplot\u00e1m a nam\u00e1h\u00e1n\u00ed a z\u00e1rove\u0148 z\u016fst\u00e1v\u00e1 lehk\u00fd, tak\u017ee je vhodn\u00fd pro r\u016fzn\u00e9 aplikace. Karbid k\u0159em\u00edku lze nal\u00e9zt v kompozitn\u00edch materi\u00e1lech, jako je karbid k\u0159em\u00edku vyztu\u017een\u00fd uhl\u00edkov\u00fdmi vl\u00e1kny (CFRC), kter\u00fd se nach\u00e1z\u00ed v automobilov\u00fdch brzd\u00e1ch, a tak\u00e9 v keramick\u00fdch desk\u00e1ch pou\u017e\u00edvan\u00fdch pro nepr\u016fst\u0159eln\u00e9 vesty. Krom\u011b toho je z materi\u00e1lu karbidu k\u0159em\u00edku vyroben tak\u00e9 panc\u00ed\u0159 Chobham, kter\u00fd pou\u017e\u00edvaj\u00ed vojensk\u00e1 vozidla, aby odolala z\u00e1sah\u016fm nep\u0159\u00e1telsk\u00e9 palby, a kter\u00fd dok\u00e1\u017ee odolat n\u00e1raz\u016fm nep\u0159\u00e1telsk\u00fdch zbran\u00ed s vysokou rychlost\u00ed.<\/p>\n
SiC m\u00e1 vynikaj\u00edc\u00ed odolnost proti korozi a m\u016f\u017ee pracovat v n\u00e1ro\u010dn\u00fdch podm\u00ednk\u00e1ch bez po\u0161kozen\u00ed, jako je prost\u0159ed\u00ed s vysokou teplotou a p\u0159\u00edtomnost\u00ed chemick\u00fdch l\u00e1tek, jako je kyselina fluorovod\u00edkov\u00e1, fluorid sodn\u00fd a aceton. Krom\u011b toho z\u016fst\u00e1v\u00e1 jeho pevnost nepo\u0161kozen\u00e1 i p\u0159i vysok\u00e9 vlhkosti, ani\u017e by do\u0161lo k naru\u0161en\u00ed jeho integrity.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku se v \u010dist\u00e9m stavu chov\u00e1 jako izolant, av\u0161ak \u0159\u00edzen\u00fdm p\u0159id\u00e1v\u00e1n\u00edm p\u0159\u00edm\u011bs\u00ed, tzv. dopant\u016f, jej lze p\u0159im\u011bt k veden\u00ed elekt\u0159iny. P\u0159id\u00e1n\u00edm hlin\u00edku, boru nebo galia vznik\u00e1 polovodi\u010d typu p, zat\u00edmco p\u0159id\u00e1n\u00edm dus\u00edku nebo fosforu vznik\u00e1 polovodi\u010d typu N, kter\u00fd m\u016f\u017ee za ur\u010dit\u00fdch okolnost\u00ed dos\u00e1hnout supravodivosti.<\/p>\n
Karbid k\u0159em\u00edku je nepostradateln\u00fdm materi\u00e1lem ve v\u00fdzkumu a v\u00fdrob\u011b pokro\u010dil\u00fdch materi\u00e1l\u016f. D\u00edky sv\u00fdm vynikaj\u00edc\u00edm vlastnostem je karbid k\u0159em\u00edku schopen nahradit k\u0159em\u00edkov\u00e9 polovodi\u010de v n\u00e1ro\u010dn\u00fdch elektronick\u00fdch aplikac\u00edch, jako je v\u00fdkonov\u00e1 elektronika pro pozemn\u00ed elektrick\u00e1 vozidla nebo p\u0159\u00edstroje v kosmick\u00fdch pr\u016fzkumn\u00fdch vozidlech, jako jsou rovery nebo sondy (Mantooth, Zetterling & Rusu). Krom\u011b toho je tento materi\u00e1l d\u00edky sv\u00e9 dlouhodob\u00e9 spolehlivosti a \u00fa\u010dinnosti vynikaj\u00edc\u00edm kandid\u00e1tem pro pou\u017eit\u00ed v syst\u00e9mech sol\u00e1rn\u00ed energie, kter\u00e9 vy\u017eaduj\u00ed dlouhodobou spolehlivost a \u00fa\u010dinnost (Mantooth et al.).<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"
Karbid k\u0159em\u00edku, ozna\u010dovan\u00fd tak\u00e9 jako karborundum, je slou\u010denina slo\u017een\u00e1 z \u010dist\u00e9ho k\u0159em\u00edku a uhl\u00edku. Tento keramick\u00fd materi\u00e1l m\u00e1 mnoho u\u017eite\u010dn\u00fdch vlastnost\u00ed, v\u010detn\u011b odolnosti v\u016f\u010di abrazivn\u00edm vliv\u016fm, vysok\u00e9 teplotn\u00ed stability a \u0161irok\u00e9 p\u00e1smov\u00e9 mezery mezi polovodi\u010di. Spole\u010dnost American Elements nab\u00edz\u00ed vysoce \u010dist\u00fd SiC ACS Reagent Grade a Technical Grade ve standardn\u00edch a p\u0159izp\u016fsoben\u00fdch variant\u00e1ch balen\u00ed. Obra\u0165te se pros\u00edm na ...<\/p>\n