Гранулите от силициев карбид (SiC) са здрави и еластични материали, идеални за използване в абразивни приложения. Освен това инертният им характер ги прави подходящи за електроника, която работи при по-високи температури и честоти. Понастоящем SiC се произвежда чрез процеса на Ачесън, който включва реакция на кварцов пясък и петролен кокс в масивни пещи на открито. Хората са използвали ...
Силициевият карбид е изключителен полупроводников материал с широк лентов отвор и висока подвижност на електроните, както и с ниско термично разширение и твърдост - идеални характеристики за огледални материали в астрономическите телескопи. На фигура 5(а) са показани нормализирани по Френел XRR модели на SiC/Si филми с различни дебелини с приложена нормализация по Френел. Кръговете представляват експериментални данни, а ...
Силициев карбид - огледален материал за астрономически телескопи Прочетете повече “
За разлика от техните кристални аналози, които се отличават с подредена структура на атомите, решетъчната структура на a-SiC е организирана на случаен принцип, но тази случайност придава на този материал забележителна здравина. Изследователи от Техническия университет в Делфт наскоро разкриха механичните свойства на нов иновативен материал с безпрецедентна точност, откривайки потенциални бъдещи приложения на този невероятно здрав ...
Силициевият карбид (SiC) е инертно химично съединение със свойства, подобни на тези на полупроводниците; с добавяне на внимателно подбрани примеси SiC може да се превърне в полупроводник по-лесно от традиционния силиций. Широката лентова междина на SiC му позволява да пренася електрическа енергия по-ефективно от силициевия си аналог. SiC транзисторите имат значителни предимства пред IGBT и ...
Силициевият карбид е превъзходен полупроводник с широка лента на пропускане и изключителни физични и химични свойства, включително жълти до зеленикаво-сини и синкаво-черни кристали с иридесценция. Измерванията на показателя на пречупване на епитаксиално отгледан кубичен SiC са направени внимателно с помощта на спектроскопска елипсометрия с променлив ъгъл, което показва, че както обикновените, така и необикновените показатели на пречупване се увеличават с температурата. Индексът на пречупване Индексът на пречупване на ...
Черният силициев карбид (наричан още карборунд) е изключително твърдо синтетично кристално съединение на силиций и въглерод, използвано като важен материал в шкурка, шлифовъчни дискове и режещи инструменти, както и за огнеупорни облицовки и електрически нагревателни елементи в промишлени пещи. Черният силициев карбид се използва широко и като абразив и ...
Шлифовъчните камъни от силициев карбид са по-устойчиви от тези от алуминиев оксид и са предназначени за шлифоване и гравиране на камък, стъкло, керамика, порцелан и цветни метали. С конусовидна форма и малки размери тези шлифовъчни камъни от силициев карбид са идеални камъни за заточване и инструменти за шлифоване с общо предназначение; обикновено се използват за отстраняване на следи от кокили или излишна глазура върху стъклена повърхност ...
Шлифовъчен камък от силициев карбид Dremel Прочетете повече “
Силициевият карбид (SiC) е важен промишлен материал. С твърдост, сравнима с тази на диаманта, SiC се използва в приложения, включващи абразиви, огнеупорни материали и керамика, благодарение на своите твърди свойства. Химичната формула на SiC можете да намерите тук. Когато се занимаваме с химични реакции, е от решаващо значение да преобразуваме точно моловете на реагента и продукта в молове за точно ...
Силициевият карбид (SiC) е изключително твърд керамичен материал, широко използван като абразив и за производството на високопроизводителни компоненти на силовата електроника. Освен това устойчивостта на SiC на екстремни температури го прави подходящ за промишлени условия. Когато обаче SiC се използва в електронни устройства с други материали, той може да изпита механично напрежение поради несъответствие на CTE ...
Коефициент на топлинно разширение (КТЕ) на силициев карбид Прочетете повече “
United Silicon Carbide, Inc е производител на полупроводници, специализиран в силициев карбид и диодни силови полупроводници за клиенти в Ню Джърси. SiC диодите на Шотки и JFET осигуряват променящи се в индустрията нива на енергийна ефективност на ключови пазари, които насърчават по-екологична икономика, като например зареждането на електрически превозни средства. Тяхната превъзходна комутационна ефективност подобрява времето за зареждане и ...
Bulgarian 
English 
Arabic 
Danish 
German 
Czech 
Greek 
Spanish 
Finnish 
French 
Hungarian 
Indonesian 
Italian 
Japanese 
Korean 
Lithuanian 
Latvian 
Norwegian 
Dutch 
Polish 
Chinese 
Portuguese 
Romanian 
Russian 
Slovak 
Slovenian 
Swedish 
Turkish 
Ukrainian